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정류회로 실험 결과보고서2025.11.131. 정류회로(Rectifier Circuit) 다이오드를 이용하여 교류를 직류로 변환하는 회로. 반파정류회로는 입력신호의 한 반주기만 정류하며, 전파정류회로는 두 개의 다이오드를 사용하여 양쪽 반주기를 모두 정류한다. 실험에서 반파정류회로의 입력전압 2.459V에 대해 출력전압 1.856V를 측정했으며, 출력전압의 폭이 입력신호 반주기보다 약 15% 짧은 이유는 다이오드의 임계전압 때문이다. 2. 변압기의 권선비(Transformer Turn Ratio) 1차 코일과 2차 코일의 전압비로 권선비를 계산할 수 있다. 패러데이 법칙에...2025.11.13
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BJT와 MOSFET을 사용한 LED 구동 회로 설계2025.11.131. BJT를 이용한 LED 구동회로 설계 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 LED를 구동하는 회로를 설계한다. 구동신호는 1 Hz, 5 Vdc의 square pulse(duty=50%)이다. BJT가 saturation 영역에서 동작하도록 설정하며, LED에 2V가 걸리고 20mA가 흐르도록 한다. 부하가 emitter에 연결된 경우와 inverter 출력에 연결된 경우 두 가지 구성을 비교 분석한다. 각 경우의 소비전력을 계산하고, 한 주기 동안의 총 소비전력을 구한다. 2. MOSFET을 이용한 LED 구동회로 설...2025.11.13
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다이오드의 특성 및 기초 응용회로 실험2025.11.121. 다이오드의 전기적 특성 다이오드는 반도체 소자로서 순방향과 역방향 바이어스에 따른 전류-전압 특성을 가집니다. 순방향 바이어스 시 전류가 흐르고 역방향 바이어스 시 차단되는 정류 특성을 보입니다. 다이오드의 특성곡선은 임계전압(turn-on voltage)을 기준으로 지수함수적 거동을 나타내며, 이는 쇼클리 방정식으로 설명됩니다. 2. 다이오드 응용회로 다이오드는 정류회로, 클리핑회로, 클램핑회로 등 다양한 기초 응용회로에 사용됩니다. 정류회로는 교류를 직류로 변환하며, 클리핑회로는 신호의 특정 부분을 제거하고, 클램핑회로는 ...2025.11.12
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BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch)회로 예비보고서2025.04.271. BJT와 MOSFET을 이용한 RTL switch 회로 설계 및 구현 이 보고서는 BJT와 MOSFET을 이용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL switch 회로를 설계하고 구현하여 relay 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정 및 평가하는 것을 목적으로 합니다. 실습에 필요한 준비물과 회로 설계 과정, 측정 방법 등이 자세히 설명되어 있습니다. 1. BJT와 MOSFET을 이용한 RTL switch 회로 설계 및 구현 BJT(Bipolar Junction Transistor)와 MOSFET(Metal-Ox...2025.04.27
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중앙대 전자회로설계실습 결과5.BJT와 MOSFET을 사용한 구동(Switch)회로 A+2025.01.271. BJT와 MOSFET을 사용한 구동(Switch)회로 이 프레젠테이션은 중앙대학교 전자회로설계실습 수업의 결과물로, BJT(바이폴라 접합 트랜지스터)와 MOSFET(금속-산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터)을 사용한 구동(스위치) 회로를 설계하고 구현한 내용을 다루고 있습니다. 실험 과정에서 LED 구동 회로를 구현하고 측정하였으며, 회로의 동작 특성과 소비 전력 등을 분석하였습니다. 실험 결과에서 약 20%를 넘는 오차율이 발생했는데, 이는 설계 과정에서 사용한 저항값과 실제 실험에서 사용한 저항값의 차이, 다이오드 불량 등...2025.01.27
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미분·적분 회로 실험 예비보고서2025.11.181. 미분회로 RC 직렬회로에서 저항에 걸리는 전압을 이용하여 구성된다. 페이저법을 적용하면 전달함수 H(jω) = jωRC/(1+jωRC)로 표현되며, 시정수 τ=RC가 작을 때 출력전압은 입력전압의 미분 형태가 된다. 즉, Vr(t) = RC·dVG(t)/dt로 나타나며, 주파수가 낮아질수록 입력 신호의 변화율이 감소하여 출력 전압의 변화율도 감소한다. 2. 적분회로 RC 직렬회로에서 커패시터에 걸리는 전압을 이용하여 구성된다. 전달함수 H(jω) = 1/(1+jωRC)로 표현되며, 시정수 τ=RC가 클 때 출력전압은 입력전압의...2025.11.18
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RLC 공진회로의 특성 및 임피던스 분석2025.11.151. RLC 공진회로 RLC 공진회로는 저항(R), 인덕터(L), 커패시터(C)로 구성된 회로로, 특정 주파수에서 공진 현상이 발생한다. 직렬 공진회로에서 전체 임피던스는 주파수에 따라 변하며, 공진 주파수에서 임피던스가 최소값을 가지고 전류가 최대가 된다. 인덕터와 커패시터의 리액턴스가 상쇄되어 순수 저항만 남게 되는 특성을 보인다. 2. Q factor와 Cut-off 주파수 Q factor는 공진회로의 품질계수로, 공진회로의 선택도를 나타내는 지표이다. Cut-off 주파수는 회로의 응답이 최대값의 70.7%로 감소하는 주파수...2025.11.15
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직병렬 저항 회로_결과레포트2024.12.311. 직렬 저항 회로 이 실험에서는 직렬로 연결된 저항의 등가 저항을 측정하고 계산하였습니다. 키르히호프 전압 법칙을 이용하여 등가 저항의 이론값을 구하였고, 실험값과 비교한 결과 오차율이 1% 미만으로 매우 유사한 것을 확인하였습니다. 이는 주변 온도 변화나 저항 내부 오차, 실험 장치의 반올림 오차 등이 원인으로 작용했을 것으로 분석됩니다. 2. 직병렬 저항 회로 이 실험에서는 저항을 직병렬로 연결하고 등가 저항을 측정 및 계산하였습니다. 병렬 저항 회로의 등가 저항 공식을 이용하여 이론값을 구하고, 직렬 저항 회로의 등가 저항...2024.12.31
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인덕턴스와 RL 회로 실험 결과보고서2025.11.181. 인덕턴스(Inductance) 측정 교류회로에서 사용되는 인덕턴스를 측정하는 방법을 다룬다. 실제 인덕터는 저항성분 R과 리액턴스 성분 ωL을 가지고 있으며, 저항성분은 직류전압을 이용하여 측정하고 리액턴스 성분은 교류전압을 인가하여 측정한다. 실험에서는 10mH 인덕터를 LCR 계측기로 측정하고, 다양한 전류값(30mA, 25mA, 20mA, 15mA, 10mA)에서 전압을 측정하여 인덕턴스 특성을 파악했다. 2. RL 직렬회로의 응답특성 1계 회로인 RL 회로에 교류신호를 인가했을 때 나타나는 응답특성 |H(jω)|와 위상...2025.11.18
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중앙대 전기회로설계실습 12차 결과보고서2025.04.271. RC 회로의 주파수 특성 실제 회로에서 사용되는 회로소자(인덕터, 커패시터)의 등가회로를 이해하고 이 소자들이 주파수가 증가함에 따라 어떻게 동작하는지 알기 위해 실습을 진행하였다. R=10kΩ, C=0.1uF가 직렬로 연결된 회로의 주파수 응답을 측정한 결과, 1MHz 부근에서부터 이론값과 실험값의 증감 경향성이 달라졌다. 이는 주파수가 증가하면서 커패시터가 인덕터의 성향을 띄기 시작하기 때문이다. 2. RL 회로의 주파수 특성 R=10kΩ, L=10mH가 직렬로 연결된 회로의 주파수 응답을 측정한 결과, 9.4MHz 부근 ...2025.04.27
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