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다이오드 직렬 및 병렬연결 실험결과2025.11.161. 다이오드 순방향 특성 Si 다이오드와 Ge 다이오드의 순방향 특성을 비교 분석한 결과, Si 다이오드는 약 0.7V의 순방향 전압강하를 가지며 Ge 다이오드는 약 0.3V의 순방향 전압강하를 갖는다. 직렬 연결 시 다이오드의 위치가 반대로 바뀌면 VD(V)과 VO(V)의 값도 반대로 나타나며, VD의 변화에 따라 ID값도 달라진다. 0.7V 이상의 전압이 인가될 때 전류가 높은 곳이 Si 다이오드이고 낮은 곳이 Ge 다이오드이다. 2. 다이오드 직렬 및 병렬 연결 회로 다이오드를 직렬로 연결하면 각 다이오드의 순방향 전압강하가...2025.11.16
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옴의 법칙 측정값 및 계산2025.04.261. 옴의 법칙 실험을 통해 탄소저항과 다이오드가 옴의 법칙을 만족하는지 확인하였다. 탄소저항은 옴의 법칙을 잘 만족하였지만, 다이오드는 옴의 법칙을 만족하지 않는다는 것을 확인하였다. 특히 발광 다이오드에서는 빛이 나오는 현상을 관측할 수 있었고, 빛이 나오는 시간과 발광 조건에 대해서도 추정할 수 있었다. 2. 탄소저항 실험 1에서 33Ω와 100Ω의 탄소저항을 사용하여 옴의 법칙 만족 여부를 확인하였다. 실험 결과 33Ω의 경우 3.03%의 오차율을 보여 옴의 법칙을 잘 만족하였지만, 100Ω의 경우 5.5%의 오차율을 보여 ...2025.04.26
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중앙대학교 정류회로 및 정전압 전원회로 결과 보고서2025.01.291. 평활 회로 평활 회로는 인덕터와 커패시터를 사용한 저주파 필터로 구성되어 교류 전압 성분을 제거한다. 인덕터는 교류의 흐름은 차단하고 직류는 그대로 통과시키며, 커패시터는 교류의 흐름은 통과하고 직류는 차단시킨다. 인덕터를 사용하면 평활 성능이 뛰어나 더 안정적인 출력 전압을 얻을 수 있지만 가격이 저항보다 비싸다. 저항으로 교체할 경우 회로의 단순화와 비용 절감의 장점이 있지만, 전압 강하와 리플의 증가로 인해 출력의 질이 떨어진다. 2. 정전압 전원 회로 정전압 안정화 회로에서 부하가 변동하여 부하 전류가 갑자기 증가하게 ...2025.01.29
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[부산대 이학전자실험] OP-AMP (3)2025.05.041. Comparator Comparator는 이름에서 알 수 있듯이 전압을 비교할 수 있는 장치이다. Op Amp의 높은 전압 이득을 이용하여 입력신호를 무한대로 가깝게 증폭해준다. Comparator는 입력되는 두 전압의 크기를 비교하여 두 입력 값 중 가장 큰 것을 결정해준다. 실험 결과 입력전압이 기준전압보다 크면 출력전압이 (+)로, 작으면 (-)로 출력되는 것을 확인할 수 있었다. 다만 회로의 내부저항으로 인해 출력전압이 공급전압보다 약간 낮게 나왔다. 2. 다이오드 다이오드는 전류를 한쪽 방향으로만 흐르게 하는 소자이다...2025.05.04
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물리화학실험 basic electronics 실험보고서2025.05.051. 다이오드 다이오드는 2개의 단자를 갖는 전자 부품으로 한쪽에는 낮은 저항을, 다른쪽에는 높은 저항을 둬 전류가 한쪽으로만 흐를 수 있게하는 물질이다. 오늘날 가장 많이 쓰는 다이오드는 반도체 다이오드로 P-N접합을 포함한 소재에 연결되어있다. 실험에서 사용한 다이오드도 pn접합 다이오드로 실리콘 다이오드가 가장많이 만들어진다고 한다. 실험 결과 게르마늄 다이오드는 0.3~0.4V에서, 실리콘 다이오드는 0.5~0.7V정도에서 전류값이 갑자기 증가하는 것을 보였는데, 이는 각자의 문턱저항을 의미한다. 문턱저항 이상에서는 전류가 ...2025.05.05
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정전압 회로와 리미터 실험 결과보고서2025.11.121. 전압 레귤레이터 회로 다이오드를 이용한 전압 레귤레이터는 입력 전압의 변동 또는 부하의 변화에 관계없이 출력 전압을 일정하게 유지하는 회로이다. 제너 다이오드를 사용한 레귤레이터는 역방향 바이어스 상태에서도 동작하여 PN접합 다이오드 레귤레이터보다 더 작은 리플을 제공한다. 부하 저항이 증가할수록 리플이 감소하며, 내부 저항이 작은 다이오드를 사용할수록 부하 전류 변화에 따른 출력 전압 강하를 줄일 수 있다. 2. 정류회로 특성 다이오드의 한 방향 전류 흐름 특성을 이용한 정류회로는 반파 정류회로, 전파 정류회로, 브리지 정류...2025.11.12
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반도체 소자 및 설계 - 62025.05.101. FET(NMOS, PMOS) 공정 FET(NMOS, PMOS) 공정에 대해 설명합니다. FET(NMOS, PMOS)의 기호와 동작 원리, 특히 NMOS와 PMOS의 차단 모드, 선형 모드, 포화 모드에 대해 자세히 설명하고 있습니다. 2. 래치업 효과 CMOS 기술에서 내재된 바이폴라 접합 트랜지스터로 인해 발생할 수 있는 래치업 효과에 대해 설명합니다. 래치업 효과는 Vdd와 GND 라인을 단락시켜 칩을 파괴하거나 시스템 오류를 일으킬 수 있습니다. 3. 래치업 효과 해결 방법 래치업 효과를 해결하기 위한 방법으로 산화물 트...2025.05.10
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전기전자공학실험-A급 및 B급 전력 증폭기 (2)2025.04.301. pnp형 트랜지스터 pnp형 트랜지스터는 npn형 트랜지스터와 방향이 반대이므로 회로를 구성할 때 주의해야 한다. 2. B급 증폭기 설계 B급 증폭기를 설계할 때 피크전압이 앞의 것과 똑같이 나타나 회로의 효율이 완벽하게 실험이 가능했다. 3. 출력 전력 계산 책에 나온 출력 전력을 사용할 때는 rms값인지, peak값인지, p-p값인지 주의하여 값을 계산해야 한다. 4. A급 증폭기 효율 A급 증폭기의 최대 효율 25%는 초과할 수 없다는 것을 확인했다. 5. B급 증폭기 다이오드 B급 증폭기의 다이오드 2개는 파형이 0.7...2025.04.30
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전자회로실험_A+레포트_Diode Limter2025.01.131. 전자회로 실험 전자 회로 실험 <Diode Limiter>실험부품오실로스코프함수발생기DC전원공급장치저항(1.890kΩ)다이오드(1N 4004')브레드보드BNC케이블을 사용하여 병렬형 리미터 회로와 직렬형 리미터 회로를 구성하고 실험을 진행하였다. 실험 결과를 통해 다이오드의 방향에 따라 리미터 회로의 동작이 달라지는 것을 확인하였다. 병렬형 리미터 회로에서는 다이오드가 정현파의 윗부분에서 리미터로 동작하며, 직렬형 리미터 회로에서는 다이오드가 차단되어 출력의 최대값이 제한되는 것을 확인하였다. 2. 리미터 회로 전자회로에서 교...2025.01.13
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전기전자공학실험-다단 증폭기 RC 결합2025.04.301. RC 결합 JFET 다단 증폭기 다단으로 연결된 증폭기의 전압이득은 서로 연결된 증폭기의 전압이득의 곱이다. RC 결합은 커패시터를 이용해 직류 성분을 차단하고 교류 성분만 전달하는 결합 방식이다. 각각의 증폭 회로에서 독자적인 바이어스 전압을 선택할 수 있으나 결합 커패시터의 리액턴스가 주파수의 영향을 받기 때문에 두 증폭기 간 교류 신호 전달이 주파수의 영향을 받아 전체 증폭 회로의 이득이 주파수에 따라 변할 수 있다. 2. BJT와 JFET의 차이점 BJT와 비교하면 FET의 종류는 더 다양하다. 모든 FET는 매우 높은...2025.04.30
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