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전기및디지털회로실험 기본측정 실험 결과보고서2025.11.171. 테스터기 사용법 및 전압측정 아날로그 및 디지털 테스터의 사용법을 익히고 직류전압, 교류전압을 측정하는 실험. 테스터의 흑색 단자를 COM에, 적색 단자를 V/Ω에 끼우고 전환 스위치를 조절하여 다양한 범위의 전압을 측정. DC 전압은 2V부터 10V까지 2V씩 증가시키며 측정하여 0~0.5% 오차율 달성. AC 220V 측정 시 218.6mV로 측정되어 99.9% 오차율 발생, 테스터기 사용법 미숙이 원인으로 분석됨. 2. 저항값 측정 및 색띠 판독 저항기의 저항값을 디지털 테스터로 측정하고 색띠 표시법을 학습. 주흑갈금 3...2025.11.17
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금속의 전기저항 측정 실험 예비보고서2025.11.161. 전기저항의 정의 및 오옴의 법칙 전기저항은 전기회로에서 전류의 흐름을 방해하는 값으로, 단위는 옴(Ω)이다. 1옴은 1V의 전압으로 1A의 전류가 흐를 때 생기는 저항을 의미한다. 전류, 전압, 저항의 관계는 R=V/I로 표현되는 오옴의 법칙으로 나타낼 수 있다. 이는 전기회로 실험의 기본 원리이다. 2. 도선의 저항에 영향을 미치는 요소 도선의 저항은 도선의 종류, 길이(l), 단면적(A), 온도에 의존한다. 저항률(ρ)을 이용한 관계식 R=ρl/A로 표현되며, 저항률은 물질의 고유한 값으로 도선의 종류에 따라 다르다. 도체...2025.11.16
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부산대 기초전기전자실험 4주차 결과보고서2025.11.131. 비평형 브릿지 회로 비평형 브릿지 회로에서 R5를 제거한 상태에서 V1과 V2 양단의 전압을 측정하여 Vt를 구하는 실험이다. 이론값으로 V1은 8V, V2는 4V이며, Vt는 4V로 계산된다. 실제 측정값은 V1 8.009V, V2 3.982V, Vt 4.027V로 이론값과 매우 유사한 결과를 보여준다. 이는 브릿지 회로의 기본 원리를 확인하는 실험이다. 2. 테브난 정리 테브난 정리는 부하를 제외한 전체 회로를 독립 전압원 하나와 저항 하나가 직렬로 연결된 등가회로로 대체할 수 있는 방법이다. 실험에서 구한 Vth, Rt,...2025.11.13
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[A+결과보고서] 설계실습 1. 저항, 전압, 전류의 측정방법 설계2025.05.031. DMM 사용법 DMM은 저항, 전압, 전류를 측정하는 장치로써 "HI" 단자와 "LO"단자에 리드선을 연결하여 측정을 진행한다. 저항, 전압, 전류 마다 측정하는 방법과 측정하는 회로가 각각 다르며 일반적으로 전압과 저항을 측정할 때는 병렬, 전류를 측정할 때는 직렬로 연결하여 측정한다. 2. DC Power Supply 사용법 DC power supply는 두 단자 사이에 전압을 발생시키는 장치로 직류전원 전압의 크기를 일정범위 내에서 가변 공급하고자 할 때 사용한다. 3. 고정저항 측정 DMM을 이용해 고정저항의 실제 값을...2025.05.03
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중앙대 전자회로설계실습 결과보고서32025.01.121. 전자회로설계실습 이 보고서는 전자회로설계실습 3번째 실습인 Voltage Regulator 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 실습에서는 브리지 방식의 정류회로를 구성하여 교류전원으로부터 직류전압을 얻는 기본적인 직류전압공급기를 설계하였습니다. 실험 결과를 오실로스코프로 확인하고 이론값과 비교하여 오차 원인을 분석하였습니다. 또한 부하저항 변화에 따른 출력 파형의 변화를 관찰하여 부하저항과 출력전압의 관계를 도출하였습니다. 2. 브리지 정류회로 이 실습에서는 브리지 방식의 정류회로를 구성하여 교류전원으로부터 직류전압을 얻는 ...2025.01.12
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RC 및 RL 직렬회로 특성 실험2025.11.111. RC 직렬회로 RC 직렬회로는 저항 R1과 커패시터 C1이 직렬연결되고 교류전원이 인가된 회로입니다. 커패시터에서는 전류의 위상이 전압보다 90도 앞서고, 저항에서는 전류와 전압의 위상이 같습니다. 직렬회로이므로 같은 전류가 흐르며, 위상차는 전압으로 나타납니다. 저항에 걸리는 전압이 커패시터에 걸리는 전압보다 90도 앞섭니다. 임피던스 Z는 저항과 리액턴스를 포함한 회로 전체 저항을 나타내며, Z = √(R² + Xc²) 형태로 표현됩니다. 2. RL 직렬회로 RL 직렬회로는 저항 R1과 인덕터 L1이 직렬연결되고 교류전원이...2025.11.11
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중첩의 원리, 테브난 노튼 정리 실험 결과보고서2025.11.181. 중첩의 원리(Principle of Superposition) 중첩의 원리는 선형 회로에서 여러 전압원과 전류원이 있을 때, 각 전원이 독립적으로 작용할 때의 응답을 합산하면 모든 전원이 동시에 작용할 때의 응답과 같다는 원리입니다. 실험에서는 두 가지 회로 구성을 통해 각 저항에 흐르는 전류를 측정하여 I = I' + I''임을 증명했습니다. 실험 결과 예상값과 측정값이 대략적으로 일치하여 중첩의 원리가 성립함을 확인했습니다. 2. 테브난 정리(Thevenin's Theorem) 테브난 정리는 복잡한 선형 회로를 단순화하기 ...2025.11.18
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기초 회로 실험 제 21장 최대 전력전송 (결과레포트)2025.01.211. 직류전원과 부하 사이의 전력전송 직류전원이 일정한 경우 부하 저항이 증가를 할수록 직류전원의 전력이 감소를 한다. 그리고 P(L) = [V(PS)/{R(C) + R(L)}]^2 x R(L)에 의해 부하저항에 전달되는 전력은 부하의 저항의 크기에 따라 달라진다. 이때 부하저항에 전달되는 전력의 크기는 부하저항의 크기가 전원의 저항과 같을 때 전력이 가장 크다. 2. 최대 전력전송 조건 표 21-3을 통해 부하의 저항을 0Ω에서 102.04mW인 전원 공급 전력을 10kΩ까지 증가시킬 때 전원 공급 전력이 10kΩ에서 9.10mW...2025.01.21
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핵심이 보이는 전자회로실험 BJT의 바이어스 회로2025.05.161. NPN형 BJT의 전압분배 바이어스 회로 NPN형 BJT의 전압분배 바이어스 회로를 시뮬레이션하고 측정하여 동작점 전류와 전압을 분석하였습니다. 컬렉터 저항 R_C 값이 증가함에 따라 동작점이 0에 가까워지는 것을 확인하였습니다. 2. PNP형 BJT의 전압분배 바이어스 회로 PNP형 BJT의 전압분배 바이어스 회로를 시뮬레이션하고 측정하여 동작점 전류와 전압을 분석하였습니다. 컬렉터 저항 R_C 값이 증가함에 따라 동작점이 0에 가까워지는 것을 확인하였습니다. 3. NPN형 BJT의 자기 바이어스 회로 NPN형 BJT의 자기...2025.05.16
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테브낭·노튼 정리 실험 예비보고서2025.11.181. 테브낭 정리(Thevenin's Theorem) 복잡한 회로망을 단순화하는 방법으로, 임의의 두 단자 a-b 외측에 대해 하나의 전원전압 V₀와 임피던스 Z₀의 직렬연결로 등가화할 수 있다. 등가전압은 단자를 개방했을 때 나타나는 전압이고, 등가임피던스는 회로 내 모든 전원을 제거했을 때 단자에서 본 임피던스이다. 이를 통해 특정 가지의 전류와 전압을 쉽게 계산할 수 있으며, 키르히호프 법칙 적용 시 복잡한 연립방정식을 풀 필요가 없다. 2. 노튼 정리(Norton's Theorem) 테브낭 정리와 쌍대적 관계에 있는 회로 단...2025.11.18
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