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홍익대학교 전자회로(2) 최종 프로젝트 보고서2025.04.261. 2-stage OP-Amp 설계 2-stage OP-Amp 회로를 설계하였으며, 모든 트랜지스터가 Saturation 영역에서 동작하도록 하였다. 또한 OP-Amp의 Small-Signal Gain이 50dB 이상, Gain*Bandwidth가 100MHz 이상, Phase Margin이 45도 이상이 되도록 설계하였다. 이를 위해 각 트랜지스터의 크기와 바이어스 전류를 조절하였으며, Compensation Capacitor를 추가하여 Phase Margin을 확보하였다. 2. Unity-gain Buffer 설계 Unity-...2025.04.26
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아주대학교 A+전자회로실험 실험6 예비보고서2025.05.091. 삼각파 발생회로 실험 목적은 연산 증폭기를 사용한 슈미트 트리거 회로와 적분기를 연결하여 삼각파 및 구형파 발생 회로의 동작 원리를 배우고, 실제 실험을 통해 회로를 구현하여 발진 주파수 f_o를 측정하고 계산식으로 구한 값과 비교하여 이론식을 증명하는 것입니다. 삼각파 발생 회로는 슈미트 트리거 회로와 적분회로로 구성되며, 전원을 인가하면 A1의 출력 전압은 +- V_0,sat 크기의 구형파가 되고, A2는 적분 회로이자 부궤환 회로이므로 삼각파 특성을 갖게 됩니다. 이론적으로 주기는 T_0 = 4RC(R_2/R_1)이고 주...2025.05.09
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[전자공학실험2] 연산 증폭기2025.04.271. 연산 증폭기의 사용법 및 특성 측정 이 실험에서는 연산 증폭기의 사용법을 익히고, 연산 증폭기의 특성 측정과 응용 회로 실험을 통해 연산 증폭기의 성능 및 동작 원리를 이해하였습니다. 실험을 통해 연산 증폭기의 DC 오프셋 전압과 오프셋 전류, 반전 증폭기와 비반전 증폭기의 특성, 슬루율 측정, 최대 증폭도 측정, 적분기 회로 등을 확인하였습니다. 2. 연산 증폭기의 DC 오프셋 특성 실험 1에서는 연산 증폭기의 DC 오프셋 전압과 오프셋 전류를 측정하였습니다. 연산 증폭기 내부의 소자 불일치로 인해 발생하는 DC 오프셋 특성...2025.04.27
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전기공학 기초실험: 온도센서 및 다이오드 응용회로2025.11.121. Thermistor 온도센서 Thermistor는 온도 변화에 따라 저항값이 변하는 반도체 소자로, 온도계측회로에 사용되는 기초 센서이다. 온도에 따른 저항 변화 특성을 측정하고 분석하여 온도 측정의 기본 원리를 이해하는 실험이다. 온도센서의 기초특성을 파악하고 실제 온도계측 회로 설계에 적용하는 방법을 학습한다. 2. 다이오드 응용회로 다이오드를 이용한 클리퍼(Clipper) 및 클램퍼(Clamp) 회로는 신호 처리에 사용되는 기본 응용회로이다. 클리퍼 회로는 신호의 특정 부분을 제거하고, 클램퍼 회로는 신호의 직류 레벨을 ...2025.11.12
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RF 리모컨 송수신 회로 설계 및 시뮬레이션2025.11.131. BJT(양방향 접합 트랜지스터) 동작원리 BJT는 2개의 PN접합으로 이루어진 트랜지스터로 NPN과 PNP 형태가 있습니다. Base, Emitter, Collector 3개 단자로 구성되며, 두 단자 사이의 전압(VBE)을 이용하여 제3의 단자인 IC를 제어합니다. 동작모드는 활성모드, 차단모드, 포화모드, 역방향 활성모드로 나뉘며, 순방향/역방향 바이어스 상태에 따라 증폭 작용 또는 스위치 작용을 수행합니다. 2. 발진 원리 및 공진 발진은 입력신호 없이 출력신호가 검출되는 현상으로, DC전원이 존재하는 능동회로에서만 발생...2025.11.13
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전자회로(개정4판) - 생능출판, 김동식 지음 / 11장 연습문제 풀이2025.01.021. 연산증폭기의 응용회로 1. 그림 11-22에서 연산증폭기의 반전(-) 입력전압은 ±Vd 차동전압을 무시할 수 있으므로 연산증폭기의 비반전(+) 입력전압 또한 ±Vd이다. 따라서 출력전압 Vo는 ±Vd ± Vref이다. 2. 이 비교기는 히스테리시스와 제너제한을 가지며, 양단 전압은 항상 ±Vref이다. 3. 연산증폭기의 반전(-) 입력전압은 ±Vd 차동전압을 무시할 수 있으므로 연산증폭기의 비반전(+) 입력전압 또한 ±Vd이다. 4. 시정수 RC에 따른 출력 파형의 변화율을 설명하고 있다. 5. 그림 11-25에서 R1, R2...2025.01.02
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전자회로설계 및 실습8_설계 실습8. MOSFET Current Mirror 설계_예비보고서2025.01.221. 단일 Current Mirror 설계 N-Type MOSFET을 이용하여 특정 Reference 전류가 흐를 수 있는 단일 Current Mirror를 설계 및 측정하여, current mirror를 이용한 전류원의 전기적 특성을 이해한다. 2N7000 MOSFET을 사용하여 VCC=VDD=5V, IREF=10mA인 전류원을 설계한다. 2N7000의 데이터시트를 이용하여 kn'W/L을 구하고, IREF=10mA를 만족시키는 VGS와 R값을 계산한다. 또한 M이 Saturation 영역에서 동작하기 위한 조건과 RL의 최대값을 ...2025.01.22
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실험 23_연산 증폭기 응용 회로1 결과보고서2025.04.281. 반전 증폭기 실험회로 1에서 반전 증폭기를 구성하고, R1 = 10kΩ, R2 = 20kΩ으로 설정했다. 입력 크기를 변화시키면서 출력 전압과 전압 이득을 측정했다. 그 결과 전압 이득이 음의 값으로 나왔고 절대값이 1 이상인 것을 확인했다. 이를 통해 반전 증폭기로서 잘 동작했다고 볼 수 있다. 또한 R2를 100kΩ으로 증가시키면 전압 이득도 증가하는 것을 확인했다. 2. 비반전 증폭기 실험회로 2에서 비반전 증폭기를 구성하고, R1 = 10kΩ, R2 = 20kΩ으로 설정했다. 입력 크기를 변화시키면서 출력 전압과 전압 ...2025.04.28
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쌍극성 접합 트랜지스터(BJT) 특성 실험2025.11.161. BJT의 구조 및 종류 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)는 전자와 정공 두 가지 캐리어가 전류 메커니즘에 관여하는 반도체 소자입니다. NPN 트랜지스터는 두 개의 N형 층이 가운데 P형 층으로 분리된 구조이고, PNP 트랜지스터는 두 개의 P형 층이 가운데 N형 층으로 분리된 구조입니다. 두 종류 모두 에미터, 베이스, 콜렉터 세 개의 단자를 가지며, 에미터의 화살표 방향으로 구분됩니다. 2. BJT의 동작원리 및 전류증폭 BJT는 에미터에서 출발한 정공이 콜렉터에 도달할 때 전류가 흐릅니다. 작은 베이스 전류가 인가되면 콜렉터...2025.11.16
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전자공학실험 5장 BJT 바이어스 회로 A+ 결과보고서2025.01.151. BJT 바이어스 회로 BJT를 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 BJT를 이용한 증폭기의 DC동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해 알아보고, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. 실험 절차 및 결과 실험회로 1에서 VBB 값이 1.5V, RBB 저항값이 4kΩ, RC는 vo의 DC 값이 6V가 되도록 하는 저항값으로 둔다. 컬렉터 전압이 ...2025.01.15
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