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4 Point Probe와 LCR Meter 사전 보고서2025.11.131. 4 Point Probe 4 Point Probe는 반도체 및 박막 재료의 전기적 특성을 측정하는 장비입니다. 네 개의 프로브를 이용하여 시료의 표면에 접촉하여 전기 저항, 비저항, 전도도 등의 전기적 성질을 비파괴적으로 측정합니다. 특히 반도체 웨이퍼, 박막, 도전성 코팅 등의 품질 관리 및 연구에 널리 사용되며, 정확한 측정을 위해 프로브 간격과 접촉 압력이 중요합니다. 2. LCR Meter LCR Meter는 인덕턴스(L), 커패시턴스(C), 저항(R)을 측정하는 전자 측정 장비입니다. 다양한 주파수에서 전자 부품의 임...2025.11.13
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열전도 실험 보고서2025.11.141. 열전도율(Thermal Conductivity) 열전도율은 재질의 열을 전도하는 능력을 나타내는 물리량으로, 단위는 W/m⋅K입니다. 본 실험에서는 구리의 열전도율 401W/m⋅K을 기준으로 하였고, 스테인리스의 이론적 열전도율은 16.2W/m⋅K입니다. 재질이 구리에서 스테인리스로 변할 때 열전도율이 크게 변하는 것을 확인할 수 있으며, 이는 재질의 특성에 따라 열을 전도하는 능력이 크게 달라짐을 의미합니다. 2. 열저항(Thermal Resistance) 열저항은 R = L/(K×A) 공식으로 계산되며, 열이 물질을 통과할...2025.11.14
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RC회로의 시정수 측정회로 및 방법설계 결과보고서 (보고서 점수 만점/A+)2025.04.251. RC회로의 시정수 측정 주어진 시정수를 갖는 RC회로를 만들어 설계하고 충전, 방전하며 전압을 측정하는 실험을 하였다. 완전한 충방전이 일어나도록 하는 전압과 시간 상수를 주기로 갖는 전압을 인가한 상태에서 오실로스코프를 통해 저항과 커패시터의 파형을 확인할 수 있었다. 2. DMM의 내부저항 측정 22MΩ 저항을 연결하고 DMM으로 전압을 측정하여 DMM의 내부저항을 계산하였다. DMM의 내부저항이 10MΩ에 근사하게 측정되었으며, 직렬로 큰 저항이 연결된 회로에서 DMM으로 전압을 측정할 경우 실제 전압과 다를 수 있다는 ...2025.04.25
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충북대학교 일반 물리학 실험 키르히호프의 법칙 보고서2025.01.121. 키르히호프의 법칙 실험을 통해 키르히호프의 법칙을 적용하여 전류의 이론값과 측정값을 비교하였다. 또한 휘트스톤 브리지를 이용하여 미지의 저항을 정확하게 측정하였다. 실험 결과 오차율이 허용 범위 내에 있었으며, 오차 발생 원인을 분석하고 향후 실험에서 개선할 점을 고려하였다. 2. 저항 측정 멀티미터로 저항을 측정할 때 회로에 연결된 상태에서 측정하면 올바른 값을 얻지 못하는 경우가 많다. 이는 전류가 흐르는 상태에서 저항값을 측정하면 멀티미터와 외부 회로 전압이 중복되기 때문이다. 휘트스톤 브리지를 이용하여 미지의 저항을 측...2025.01.12
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옴의법칙측정 결과보고서2025.01.121. 옴의 법칙 옴의 법칙은 전기 회로에서 전압, 전류, 저항 사이의 관계를 설명하는 기본 원리이다. 이번 실험에서는 옴의 법칙을 확인하기 위해 다양한 저항값을 가진 저항기를 사용하여 전압과 전류의 관계를 측정하고 분석하였다. 실험 결과, 대부분의 저항기에서 옴의 법칙이 잘 성립하였지만, 백열등 필라멘트의 경우 온도 변화에 따른 저항 변화로 인해 옴의 법칙이 성립하지 않는 것을 확인할 수 있었다. 이를 통해 옴의 법칙이 성립하지 않는 경우에 대해서도 이해할 수 있었다. 2. 전기 저항 이번 실험에서는 다양한 저항값을 가진 저항기를 ...2025.01.12
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저항, 전압, 전류의 측정방법 설계 실습 결과보고서2025.11.141. 저항 측정 및 오차 분석 30개의 10kΩ 저항(5%)을 측정하여 유효숫자 3자리로 기록하고 평균값을 구했다. 실험 결과 오차율이 0~2% 범위에 있어 5% 이상 벗어난 저항은 0%였다. 표준편차는 0.059595로 계산되었다. 병렬 연결 시 표준편차는 0.030174로 감소하여 오차가 줄어듦을 확인했다. 2. 2-wire와 4-wire 측정법 비교 점퍼선의 저항을 2-wire와 4-wire 측정법으로 측정하여 비교했다. 2-wire 측정법에서는 직렬 연결값이 단일값의 2배가 되지 않았으나, 4-wire 측정법에서는 거의 2배...2025.11.14
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테브난 노턴 등가회로 실험 예비보고서2025.11.161. 테브난 등가회로(Thevenin Equivalent Circuit) 테브난 등가회로는 복잡한 선형 회로를 간단한 등가회로로 변환하는 방법입니다. 임의의 선형 회로는 전압원과 직렬 저항으로 이루어진 간단한 회로로 표현될 수 있으며, 이를 통해 회로 분석을 단순화할 수 있습니다. 테브난 등가전압과 테브난 등가저항을 구하여 부하 회로의 동작을 예측할 수 있습니다. 2. 노턴 등가회로(Norton Equivalent Circuit) 노턴 등가회로는 복잡한 선형 회로를 전류원과 병렬 저항으로 표현하는 방법입니다. 테브난 등가회로와 동등...2025.11.16
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중력가속도 측정 실험 결과 분석2025.11.151. 중력가속도 측정 포토게이트를 이용하여 떨어지는 피켓 펜스의 낙하 시간을 측정하여 중력가속도를 구하는 실험이다. 시간에 대한 속력의 기울기는 평균 9.8525m/s²이고, 구간별 가속도의 평균은 9.7875m/s²로 측정되었다. 이론값인 9.8m/s²와 비교하면 각각 약 0.5357%와 약 0.1275%의 오차율을 보였으며, 구간별 가속도의 평균이 더 정확한 결과를 나타냈다. 2. 실험 오차 분석 오차의 주요 원인으로는 피켓 펜스가 수직이 아닌 각도로 떨어짐, 공기저항의 영향, 손으로 떨어뜨릴 때 발생하는 외력, 그리고 적은 실...2025.11.15
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전기회로설계실습 실습7 결과보고서2025.01.201. RC 회로 설계 이 실습에서는 RC 회로의 시정수 측정 회로와 방법을 설계하였다. RC 회로의 R, C 값을 이용하여 시정수(τ)를 계산하고, DMM을 통해 실제 τ를 측정하여 비교하였다. 또한 원하는 시정수와 R 값이 주어졌을 때 회로를 설계하고, 사각파 입력에 따른 커패시터와 저항의 전압 파형을 분석하였다. 2. DMM 내부 저항 측정 첫 번째 실험에서는 DMM의 내부 저항을 측정하였다. 출력 전압과 측정 전압의 차이를 통해 DMM의 내부 저항이 측정 대상 저항과 비슷한 경우 전압 측정에 주의해야 함을 확인하였다. 3. 시...2025.01.20
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충북대 A+ 옴의 법칙 일반물리학및실험, 맛보기물리학및실험2025.01.171. 옴의 법칙 옴의 법칙은 전류(I)가 전압(V)에 비례하고 저항(R)에 반비례한다는 것을 나타내는 법칙입니다. 이 실험에서는 옴의 법칙을 확인하기 위해 다양한 저항값을 사용하여 전류-전압 그래프를 그리고, 선형 분석을 통해 저항값을 계산하였습니다. 디지털 멀티미터로 측정한 저항값과 비교하여 선형 분석 방법의 정확성을 확인하였습니다. 2. 전류, 전압, 저항의 관계 전류는 전하의 흐름을 나타내고, 전압은 전기 회로에서 전류를 흐르게 하는 능력을 나타냅니다. 저항은 전류 흐름을 방해하는 정도를 나타냅니다. 옴의 법칙에 따르면 전압(...2025.01.17
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