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중앙대학교 아날로그및디지털회로 예비보고서62025.01.201. 위상 검출기 설계실습 계획서6-3-3에서는 XOR를 이용한 위상 검출기의 특성을 PSpice 시뮬레이션을 통해 파악하고, V1과 V2의 위상 차이 변화에 따른 Vout 전압의 평균값 특성을 확인하였습니다. 입력 A, B에 대해 위상차가 0, 0이 아닌 값, 180도일 때의 출력 Y를 분석하여 XOR 게이트가 정상적으로 동작하는 것을 확인하였습니다. 2. 위상 고정 루프 설계 설계실습 계획서6-3-4에서는 그림 6-2의 위상 고정 루프 회로를 PSpice로 설계하고, VCO, phase detector, loop filter 각...2025.01.20
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 9_피드백 증폭기 (Feedback Amplifier)2025.01.111. Series-Shunt 피드백 회로 설계 PSPICE schematic을 그리고 입력 전압원의 값을 0V에서 +6V까지 0.1V의 증분으로 증가시킴에 따라 부하저항 양단의 출력전압이 어떻게 변하는지를 보여주는 입출력 transfer characteristic curve를 그렸습니다. 입력저항을 10kΩ, 부하저항을 100Ω으로 하고 같은 작업을 반복해서 부하저항 양단의 출력전압이 어떻게 변하는지를 보여주는 입출력 transfer characteristic curve를 그렸습니다. 두 경우의 transfer characteris...2025.01.11
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연산증폭기의 특성 예비보고서2025.01.061. 슬루율 슬루율은 계단 파형 전압이 인가되었을 때 출력전압의 시간에 따른 최대변화율을 나타내는 지표입니다. 슬루율이 높을수록 증폭기의 주파수 응답이 좋습니다. 실험에서는 PSPICE 시뮬레이션과 실험을 통해 uA741 연산증폭기의 슬루율을 측정하고, 데이터시트 값과 비교하였습니다. 2. 공통모드 제거비 공통모드 제거비(CMRR)는 연산증폭기 회로 설계에서 중요한 지표입니다. 입력단자에 같은 신호가 인가되는 공통모드 상황에서 증폭기의 출력전압이 0이 되어야 하지만, 실제로는 완벽하지 않기 때문에 공통모드 이득이 발생합니다. CMR...2025.01.06
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 23 연산 증폭기 응용 회로 1)2025.01.291. 비반전 증폭기 비반전 증폭기는 연산 증폭기의 비반전 단자에 입력 신호를 연결하여 신호를 증폭하는 회로입니다. 이 회로에서 입력 신호가 비반전(+) 단자로 들어가기 때문에, 출력 신호는 입력 신호와 동일한 위상을 가지며, 반전되지 않습니다. 이득은 피드백 저항과 입력 저항의 비율로 결정되며, 높은 입력 임피던스와 낮은 출력 임피던스를 가지는 특성이 있어 신호 처리에 유리합니다. 2. 반전 증폭기 반전 증폭기는 연산 증폭기의 반전(-) 단자에 입력 신호를 연결하여 신호를 증폭하는 회로입니다. 이 회로에서 출력 신호는 입력 신호와 ...2025.01.29
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전자공학응용실험 ch17 능동부하가 있는 공통 소오스 증폭기 예비레포트2025.05.031. 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 정전류원과 전류 거울을 이용한 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 회로를 구성하고, 이를 바탕으로 공통 소오스 증폭기의 전압 이득을 구하고자 한다. 능동 부하는 아날로그 증폭기에서 널리 사용되고 있으며, 간단한 공통 소오스 증폭기에 적용함으로써 특성을 정확하게 파악할 수 있다. 2. 전류 전원 및 전류 미러 집적 회로 설계의 바이어싱은 일정한 전류 전원을 이용한다. 전류 미러는 바이어싱에 사용될 뿐만 아니라, 때때로 전류 증폭기로도 쓰인다. 전류 전원과 전류 미러는 유한한 ...2025.05.03
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중앙대 MOSFET 소자 특성 측정 예비보고서2025.05.051. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 MOSFET의 주요 파라미터 계산, MOSFET 회로 구성 및 시뮬레이션, 측정 결과 분석 등이 포함되어 있습니다. 이를 통해 MOSFET 소자의 동작 원리와 특성을 이해하고 실험적으로 검증하는 것이 목적입니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)은 현대 전자 기기에서 가장 널리 사용되는 반도체 소자 ...2025.05.05
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전자공학응용실험 ch20 차동증폭기 기초실험 예비레포트2025.05.051. 차동 증폭기 기초 실험 차동 증폭 회로는 출력이 단일한 단일 증폭 회로에 비하여 노이즈와 간섭에 의한 영향이 적고, 바이패스 및 커플링 커패시터를 사용하지 않고도 증폭 회로를 바이어싱 하거나 다단 증폭기의 각 단을 용이하게 커플링 할 수 있으므로, 집적회로의 제작 공정이 좀 더 용이하여 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 MOSFET을 사용한 차동 쌍의 동작을 위한 기본 조건을 살펴보고 기본적인 측정을 통하여 검증하고자 한다. 이를 토대로 부하 저항을 연결한 MOSFET 차동 증폭 회로를 구성하여 확인하고, 특성을 분석한다. ...2025.05.05
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중앙대 Common Emitter Amplifier 설계 예비보고서2025.05.051. Gain Gain은 출력이 입력과 닮은꼴 일 때만 의미가 있다. 그러나 입력전압이 10 mVpp인 경우 출력파형이 왜곡(distortion) 되므로 gain의 의미가 없어진다. 2. 입력신호 크기 감소 입력신호의 크기를 줄이기 위하여 단자와 접지 사이에 50 Ω보다 작은 저항을 연결한 회로에 대하여 전압 이득이 95% 이상이 되도록 저항을 PSPICE로 구한다. 이 저항과 function generator 출력저항 50 Ω은 voltage divider가 되어 증폭기의 입력전압이 낮아지므로 overall voltage gain...2025.05.05
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[전자공학응용실험] 능동부하가 있는 공통 소스증폭기-예비레포트2025.04.261. 능동 부하가 있는 공통 소스 증폭기 이 실험에서는 정전류원 전류 거울을 이용한 능동 부하가 있는 공통 소스 증폭기 회로를 구성하고, 이를 바탕으로 공통 소스 증폭기의 전압 이득을 구하고자 한다. 능동 부하는 아날로그 증폭기에서 널리 사용되고 있으며, 간단한 공통 소스 증폭기에 적용함으로써 특성을 정확하게 파악할 수 있다. 2. 공통 소스 증폭기의 전달 특성 곡선 입력에 따라서 M1에 흐르는 전류와 부하에 흐르는 전류가 같아지는 출력을 구할 수 있고, 이를 통해 공통 소스 증폭기의 전달 특성 곡선을 구할 수 있다. 3. 공통 소...2025.04.26
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실험 09_MOSFET 기본 특성 예비 보고서2025.04.271. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소오스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소오스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. NMOS와 PMOS의 구조와 동작 원리가 서로 반대이지만 기본적인 동작 원리는 동일하다. 2. MOSFET 동작 영역 MOSFET에는 차단 영역, 트라이오드 영역, 포화 영역의 세 가지...2025.04.27
