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공통 소오스 증폭기의 특성 분석2025.01.021. MOSFET 소신호 등가회로 MOSFET의 소신호 등가회로는 트랜지스터의 내부 동작 특성을 전류원, 저항 등으로 모델화한 것입니다. 하이브리드 모델과 T모델이 대표적이며, 이를 통해 MOSFET의 트랜스컨덕턴스와 출력 저항 등의 특성을 분석할 수 있습니다. 2. 공통 소오스 증폭기의 특성 공통 소오스 증폭기는 MOSFET을 이용한 선형 증폭기 회로입니다. MOSFET이 포화 영역에서 동작할 때 입력 전압과 드레인 전류 사이에 제곱의 법칙이 성립하므로 비선형적인 특성을 보입니다. 이를 선형화하기 위해 DC 바이어스 전압과 소신호...2025.01.02
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 4 BJT 기본 특성)2025.01.291. NPN형 BJT의 동작 원리 NPN형 BJT는 이미터(emitter), 베이스(base), 컬렉터(collector)로 구성된 3단자 반도체 소자다. 이미터는 N형 반도체로 주로 전자를 공급하는 역할을 하고, 베이스는 얇은 P형 반도체로 전류 제어의 핵심 역할을 한다. 컬렉터는 N형 반도체로 이미터에서 방출된 전자를 모은다. 동작 원리는 베이스-이미터 전압(V_BE)과 컬렉터-이미터 전압(V_CE)에 따라 달라진다. 베이스에 약 0.7V(실리콘 기준)의 전압이 가해지면 베이스와 이미터 사이의 PN 접합이 순방향 바이어스가 되어...2025.01.29
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실험 09_MOSFET 기본 특성 예비 보고서2025.04.271. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소오스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소오스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. NMOS와 PMOS의 구조와 동작 원리가 서로 반대이지만 기본적인 동작 원리는 동일하다. 2. MOSFET 동작 영역 MOSFET에는 차단 영역, 트라이오드 영역, 포화 영역의 세 가지...2025.04.27
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전자회로설계 및 실습4_설계 실습4. MOSFET 소자 특성 측정_예비보고서2025.01.221. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서의 목적은 MOS Field Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, )을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구하는 것입니다. 보고서에는 MOSFET의 특성 parameter 계산, MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션, PSPICE를 이용한 특성 곡선 도출 및 분석 등의 내용이 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Semicondu...2025.01.22
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연세대 23-2 기초아날로그실험 A+6주차 결과보고서2025.01.121. 삼각파/사각파 발생기 실험 1에서는 삼각파/사각파 발생기 회로를 구현하고 측정 결과를 분석했습니다. 이론값과 실험값 사이에 약간의 오차가 있었지만, PSPICE 시뮬레이션 결과와 비교했을 때 오차가 감소했습니다. 오차의 주요 원인은 실험에 사용한 소자 값의 한계와 수동 측정 방식에 있었습니다. 2. 555 타이머 기반 LED 점멸기 - 비안정 모드 실험 2에서는 555 타이머를 이용한 LED 점멸기 회로를 비안정 모드로 구현하고 측정 결과를 분석했습니다. 이론값과 실험값 사이에 약간의 오차가 있었지만, PSPICE 시뮬레이션 ...2025.01.12
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[A+] 중앙대학교 아날로그 및 디지털 회로 설계실습 예비보고서 5. 전압제어 발진기2025.04.291. 슈미츠 회로의 특성 실험에 사용될 IC의 datasheet를 참조하여 중요한 전기적 특성을 확인하였습니다. 슈미츠 회로의 특성을 이해하고 PSPICE를 이용하여 슈미츠 트리거 회로를 설계하였습니다. 이를 통해 출력 파형의 특성을 확인하였습니다. 2. 전압제어 발진기의 설계 전압제어 발진기를 설계하고 출력 파형을 관찰하였습니다. 입력 전압 Vc의 변화에 따른 출력 주파수의 변화를 확인하였고, 이를 그래프로 나타내었습니다. 또한 중심 주파수가 2kHz가 되도록 회로의 C1 값을 설계하였습니다. 3. 슈미츠 회로의 저항비와 Capa...2025.04.29
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중앙대 MOSFET 소자 특성 측정 예비보고서2025.05.051. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 MOSFET의 주요 파라미터 계산, MOSFET 회로 구성 및 시뮬레이션, 측정 결과 분석 등이 포함되어 있습니다. 이를 통해 MOSFET 소자의 동작 원리와 특성을 이해하고 실험적으로 검증하는 것이 목적입니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)은 현대 전자 기기에서 가장 널리 사용되는 반도체 소자 ...2025.05.05
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[A+]전자회로설계실습 예비보고서 72025.01.041. Common Emitter Amplifier의 주파수특성 이전 실험에서 설계한 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 및 커패시터들의 영향을 측정하고 평가합니다. 100 kHz, 20 mVpp 사인파를 입력하였을 때의 출력파형을 PSPICE로 시뮬레이션하여 모든 노드의 전압과 브랜치의 전류가 나타난 회로도와 출력파형을 제출합니다. 출력전압의 최대값, 최소값, 피크-피크 값을 확인하고 주파수 특성을 분석합니다. 1. Common Emitter Amplifier의 주파수특성 Comm...2025.01.04
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실험 02_정류회로 예비 보고서2025.04.271. 정류회로 정류회로는 교류 전압을 직류 전압으로 변환하는 중요한 회로입니다. 반파 정류회로, 전파 정류회로, 브리지 정류회로 등 다양한 정류회로 구조가 있으며, 각각의 동작 원리와 입출력 특성이 다릅니다. 반파 정류회로는 한 주기 중 반 주기 동안만 정류 동작을 하지만, 전파 정류회로와 브리지 정류회로는 전 주기에 걸쳐 정류 동작을 합니다. 또한 필터 커패시터를 추가하면 리플이 감소하는 피크 정류회로를 구현할 수 있습니다. PSpice 시뮬레이션을 통해 각 정류회로의 입출력 파형을 확인할 수 있습니다. 1. 정류회로 정류회로는 ...2025.04.27
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 9. 피드백 증폭기(Feedback Amplifier)2025.04.301. Series-Shunt 피드백 증폭기 설계실습 9. 피드백 증폭기(Feedback Amplifier)의 목적은 피드백을 이용한 증폭기의 동작을 이해하는 것입니다. 이를 위해 Series-Shunt 구조의 피드백 증폭기와 Series-Series 구조의 피드백 증폭기를 설계하고 실험합니다. Series-Shunt 피드백 증폭기는 입력이 전압이고 출력도 전압인 구조이며, 입력 저항, 부하 저항, 전원 전압 변화에도 gain을 일정하게 유지할 수 있어 voltage regulator로 활용할 수 있습니다. 2. Series-Seri...2025.04.30
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