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피드백 증폭기 (Feedback Amplifier) 설계 및 실험2025.05.141. Series-Shunt 피드백 증폭기 설계 Series-Shunt 피드백 증폭기 회로를 PSPICE로 시뮬레이션하여 입출력 특성 곡선을 그렸습니다. 입력저항과 부하저항 값을 변경하여 특성 곡선을 비교 분석하였고, 전원 전압 변화에 따른 출력 전압 변화도 확인하였습니다. 출력 전압이 일정 전압 이상에서 더 이상 변하지 않는 이유를 설명하였습니다. 2. Series-Series 피드백 증폭기 설계 Series-Series 피드백 증폭기 회로를 PSPICE로 시뮬레이션하여 입출력 특성 곡선을 그렸습니다. 입력저항과 피드백 저항 값을...2025.05.14
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 6_Common Emitter Amplifier 설계2025.01.111. Emitter 저항을 삽입한 Common Emitter Amplifier 설계 설계실습 6. Common Emitter Amplifier 설계에서 Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier 회로를 설계하고자 합니다. Early effect를 무시하고 이론부의 overall voltage gain 식을 이용하여 부하저항에 최대전력이 전달되도록 부하저항을 결정하고, 이를 바탕으로 필요한 저항 값들을 계산합니다. 또한 PSPICE 시뮬레이션을 통해 출력파형을 분석하고 증폭기의 특성을 확인합니다. 2. ...2025.01.11
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중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습 예비보고서10 구매 시 절대 후회 없음(A+자료)2025.05.141. OP-Amp를 이용한 Oscillator (신호발생기) 설계 및 측정 이 보고서는 OP-Amp를 이용한 Oscillator (신호발생기)를 설계 및 측정하여 positive feedback의 개념을 파악하고, 피드백 회로의 parameter 변화에 따른 신호 파형에 대해 학습하는 것을 목적으로 합니다. OrCAD PSPICE를 사용하여 Oscillator를 설계하고, 시뮬레이션을 통해 출력 파형과 주기를 확인합니다. 또한 feedback factor (β)와 feedback 저항 R의 영향을 분석합니다. 2. Positive ...2025.05.14
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중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서10_Oscillator 설계2025.01.111. Oscillator 설계 설계실습 10. Oscillator 설계에서는 R1=R2=1kΩ, R=957Ω (설계값은 968.34Ω), C=0.47uF으로 Oscillator를 설계하고 이에 나타나는 VO, V+, V-의 파형을 확인하고 T1, T2, VTH, VTL을 측정하였으며 PSPICE 시뮬레이션 결과와 비교해보았다. R1의 값을 1/2배, 2배로 감소, 증가시켜보며 즉, β값을 감소(β=0.333), 증가(β=0.666)시켜보며 나타나는 변화를 확인해 보았고 β가 감소, 증가함에 따라 T1, T2, VTH, VTL 또한 ...2025.01.11
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중앙대 전전 전자회로설계실습 예비보고서 Common Emitter Amp2025.05.021. Common Emitter Amplifier 설계 이 보고서는 Emitter 저항을 삽입한 Common Emitter Amplifier 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 증폭기의 입력전압 감소를 위한 저항 설계, PSPICE를 이용한 회로 시뮬레이션, 출력파형 분석 등이 포함되어 있습니다. 1. Common Emitter Amplifier 설계 Common Emitter Amplifier는 가장 기본적인 트랜지스터 증폭기 회로 중 하나입니다. 이 증폭기는 입력 신호를 증폭하여 출력 신호를 생성하는 역할을 합...2025.05.02
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 1_Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계2025.01.111. 센서 측정 및 등가회로 센서의 출력전압을 오실로스코프로 직접 측정하여 peak to peak 전압이 200㎷이었고, 센서의 부하로 10㏀ 저항을 연결한 후 10㏀ 저항에 걸리는 전압을 측정하여 peak to peak 전압이 100㎷이었다. 이를 바탕으로 센서의 Thevenin 등가회로를 구하는 과정을 기술하고 PSPICE로 그려서 제출하였다. 또한 Function generator와 저항으로 Thevenin 등가회로를 구현하기 위해 Function generator의 출력을 설정하는 방법을 제시하였다. 2. Inverting ...2025.01.11
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[예비보고서]중앙대학교전자회로설계실습 4주차 MOSFET의 특성측정2025.01.121. MOSFET 특성 측정 이 보고서에서는 MOSFET 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 데이터시트를 이용한 문턱전압(VT)과 전류계수(kn) 계산, PSPICE 시뮬레이션을 통한 MOSFET 회로 설계 및 특성 곡선 분석, 시뮬레이션 결과와 데이터시트 값의 비교 등이 포함되어 있습니다. 이를 통해 MOSFET 소자의 동작 원리와 특성을 이해하고 측정하는 방법을 학습할 수 있습니다. 1. MOSFET 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect...2025.01.12
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서62025.01.111. Common Emitter Amplifier 설계 이 보고서는 50Ω, 5kΩ, 12V인 경우, β=100인 NPN BJT를 사용하여 이 kΩ 단위이고 amplifier gain(Av)이 -100V/V인 증폭기를 설계, 구현, 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 설계 과정에서 Early Effect를 무시하고 이론부의 Overall Voltage Gain 식을 사용하여 부하저항 RL에 최대전력이 전달되도록 하는 방법을 설명하고 있습니다. 또한 Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier의 설계...2025.01.11
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MOSFET 바이어스 회로 실험 예비보고서2025.01.021. MOSFET 바이어스 회로 이 실험은 MOSFET 바이어스 회로를 구현하고 분석하는 것을 목적으로 합니다. 게이트 바이어스 회로와 베이스 바이어스 회로를 구성하고 각각의 회로에서 필요한 전압과 전류 값을 구하는 실험을 수행합니다. Pspice 시뮬레이션을 통해 회로를 분석하고 실험 결과를 예측합니다. 1. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)은 전자 기기에서 널리 사용되는 중요한 반도체 소자입니다. MOSFET 바이어스 회로는 MOSF...2025.01.02
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전자회로설계 및 실습7_설계 실습7. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성_예비보고서2025.01.221. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이전 실험에서 설계한 emitter 저항을 이용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 및 커패시터들의 영향을 측정하고 평가합니다. PSPICE 시뮬레이션을 통해 출력파형, 전압, 전류, 이득 등을 분석하고 주파수 특성 그래프를 작성합니다. RE와 커패시터 변경에 따른 주파수 특성 변화도 확인합니다. 2. RE 변화에 따른 주파수 특성 RE를 ±10% 변경했을 때 overall voltage gain의 최대값, 3dB bandwidth, unity...2025.01.22
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