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전기회로설계실습 실습4 예비보고서2025.01.201. Thevenin 등가회로 설계 Thevenin 등가회로를 설계, 제작, 측정하여 원본 회로 및 이론값과 비교하는 것이 이 실습의 목적입니다. 브리지 회로에서 부하 저항 RL에 걸리는 전압과 전류를 이론적으로 계산하고, Thevenin 등가회로의 Vth와 Rth를 구한 뒤 실험적으로 검증하는 내용이 포함되어 있습니다. 1. Thevenin 등가회로 설계 Thevenin 등가회로 설계는 전기 회로 분석에 있어 매우 중요한 개념입니다. Thevenin 등가회로는 복잡한 회로를 간단한 등가 회로로 변환할 수 있게 해줌으로써 회로 분석...2025.01.20
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[A+] 중앙대학교 전기회로 설계실습 예비보고서 4. Thevenin등가회로 설계2025.04.291. 브리지 회로 브리지 회로에서 R1에 걸리는 전압과 R2에 흐르는 전류를 nodal analysis를 통해 구하였다. R1에 걸리는 전압은 약 5V이고, R2에 흐르는 전류는 약 1A이다. 2. Thevenin 등가회로 설계 부하를 제거하고 전압원을 단락시켜 Thevenin 등가저항 Rth를 구하였다. 그리고 부하를 제거한 상태에서 양단의 전압을 측정하여 Thevenin 등가전압 Vth를 구하였다. 이를 통해 Thevenin 등가회로를 설계하였다. 3. Thevenin 등가회로 실험 Thevenin 등가저항 Rth를 측정하기 위...2025.04.29
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중첩의 원리 실험2025.05.161. 선형성(Linearity) 선형성(Linearity)은 비례성(homogeneity property)과 가산성(additivity property)으로 구성됩니다. 선형회로에서만 적용 가능한 중첩(Superposition)의 원리는 하나 이상의 독립 전원이 있을 때, 전체 회로의 동작이 모든 독립 전원이 하나씩 동작할 때의 결과를 합친 것과 같다는 것을 의미합니다. 2. 중첩의 원리 적용 중첩의 원리를 적용하기 위해서는 하나의 소스를 제외하고 모든 독립전원을 끄고, 각각 다른 독립전원에 1의 내용을 반복한 뒤 독립전원에 의한 ...2025.05.16
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전자회로 설계 및 실습 결과보고서: MOSFET Current Mirror 설계2025.05.141. Current Mirror Current Mirror는 트랜지스터를 전류원으로 이용하여 같은 크기의 전류를 계속해서 만들어내는 회로입니다. 이번 실험에서는 단일 Current Mirror와 Cascode Current Mirror를 설계하고 측정하여 그 특성을 확인하였습니다. 2. 단일 Current Mirror 첫 번째 실험에서는 단일 Current Mirror 회로를 구현하고 측정하였습니다. 실험 결과 MOSFET을 이용해 회로를 설계하면 동일한 전류(Io)가 흐르는 것을 확인할 수 있었습니다. 또한 ΔVo ≡ Io·ΔRo...2025.05.14
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실험2 다이오드 전원 공급 장치와 응용회로실험2025.05.111. 직류 전원 공급 장치 직류 전원 공급 장치의 구성을 이해할 수 있다. 변압기, 정류기, 필터 등의 구성 요소와 동작 원리를 설명할 수 있다. 2. 반파 정류기 반파 정류기의 동작 원리와 특성을 이해할 수 있다. 피크 부하전압, 직류(평균) 부하전압, 전류 등을 계산할 수 있다. 3. 전파 정류기 전파 정류기의 동작 원리와 특성을 이해할 수 있다. 피크 부하전압, 직류(평균) 부하전압, 전류 등을 계산할 수 있다. 4. 브리지 정류기 브리지 정류기의 동작 원리와 특성을 이해할 수 있다. 피크 부하전압, 직류(평균) 부하전압, 전...2025.05.11
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[A+보고서] Floyd 회로이론실험결과레포트_ 20 커패시터2025.05.131. 커패시터 커패시터는 도체 두 개가 절연체를 사이에 두고 갈라져 마주 보는 형태로, 이 두 도체 사이에 전압이 가해지면 도체에는 전하(electric charge)가 모이게 된다. 이렇게 전하를 저장하는 능력이 커패시터의 기본 성질이다. 커패시터의 도체는 판(plate)이라고 하고, 절연체를 유전체(dielectric)라고 한다. 도체 판이 넓을수록, 두 도체 판 사이의 틈이 좁을수록 전하를 저항하는 능력인 커패시턴스가 커진다. 커패시터로 흐르는 전하는 커패시터의 전압의 크기가 전압 원의 전압과 같아질 때까지 쌓인다. 즉, 커패...2025.05.13
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트랜지스터를 이용한 회로 실험 결과 보고서2025.01.031. 트랜지스터의 동작 원리 이 실험에서는 트랜지스터의 기본적인 동작 원리와 3가지 동작 모드(선형 동작 영역, 포화 동작 영역, 차단 동작 영역)를 이해하고자 하였다. 트랜지스터의 증폭 특성을 확인하기 위해 이미터 공통 회로를 구성하고 전압, 전류 등을 측정하여 트랜지스터의 동작을 분석하였다. 또한 실제적인 이미터 공통 증폭기 회로를 구성하여 교류 신호에 대한 증폭 특성과 내부 저항을 계산하였다. 2. 트랜지스터 회로의 특성 곡선 및 부하선 실험 결과를 통해 트랜지스터 회로의 V_CE-I_C 특성 곡선과 부하선을 확인할 수 있었다...2025.01.03
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Diode의 회로적 특성 실험_결과레포트2025.01.121. Diode의 회로적 특성 실험 실험을 통해 Diode와 Zener Diode의 회로적 특성을 확인하였다. Diode 회로 실험에서는 시뮬레이션 결과와 유사한 파형을 관찰할 수 있었으며, 약 7.0%의 오차율이 발생했다. Zener Diode 회로 실험에서도 시뮬레이션 결과와 유사한 파형을 관찰할 수 있었으며, 약 7.4%의 오차율이 발생했다. 실험 결과를 통해 Diode와 Zener Diode의 동작 원리를 이해할 수 있었다. 1. Diode의 회로적 특성 실험 Diode는 전자 회로에서 매우 중요한 역할을 하는 반도체 소자입...2025.01.12
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기초회로실험 OPAMP 실험 결과보고서2025.04.291. 반전 증폭기 반전 증폭기의 전압이득을 확인하는 실험을 온라인 웹 시뮬레이션을 이용하여 진행했다. 저항 값에 따른 출력전압과 전압이득의 변화를 확인했으며, 이상적인 연산 증폭기를 사용했기 때문에 계산 값과 실험 값이 거의 일치했다. 다만 웹 시뮬레이션의 표기 한계로 인한 기기적 오차가 발생했다. 실제 소자를 이용할 경우 환경적 오차와 기기적 오차가 추가로 발생할 수 있다. 2. 비반전 증폭기 비반전 증폭기 실험 역시 온라인으로 진행되었으며, 반전 증폭기 실험과 유사한 결과를 얻었다. 이상적인 연산 증폭기를 사용했기 때문에 오차가...2025.04.29
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중앙대학교 아날로그 및 디지털 회로 설계 실습 5차 예비보고서2025.01.041. 전압제어 발진기(VCO) 전압제어 발진기(VCO)를 설계하고 전압을 이용한 발진 주파수의 제어를 실험으로 확인하였습니다. 슈미트 회로와 적분기 회로를 결합하여 VCO를 구현하였으며, 입력 전압 VC에 따른 출력 주파수 f의 변화를 관찰하였습니다. 시뮬레이션 결과, VC가 증가함에 따라 f도 증가하는 경향을 보였으며, 고주파 영역에서는 비선형적으로 증가하는 것을 확인하였습니다. 또한 슈미트 회로의 저항비와 커패시터 값을 변화시키면서 출력 파형을 관찰하였습니다. 1. 전압제어 발진기(VCO) 전압제어 발진기(VCO)는 전자 회로 ...2025.01.04
