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중앙대학교 아날로그 및 디지털 회로 설계 실습 5차 예비보고서2025.01.041. 전압제어 발진기(VCO) 전압제어 발진기(VCO)를 설계하고 전압을 이용한 발진 주파수의 제어를 실험으로 확인하였습니다. 슈미트 회로와 적분기 회로를 결합하여 VCO를 구현하였으며, 입력 전압 VC에 따른 출력 주파수 f의 변화를 관찰하였습니다. 시뮬레이션 결과, VC가 증가함에 따라 f도 증가하는 경향을 보였으며, 고주파 영역에서는 비선형적으로 증가하는 것을 확인하였습니다. 또한 슈미트 회로의 저항비와 커패시터 값을 변화시키면서 출력 파형을 관찰하였습니다. 1. 전압제어 발진기(VCO) 전압제어 발진기(VCO)는 전자 회로 ...2025.01.04
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OP-amp 아날로그회로 설계 프로젝트2025.01.051. Folded-Cascode OP-Amp 설계 Folded-Cascode OP-Amp 설계에 대한 내용이 포함되어 있습니다. 회로 구조, 설계 과정, 사양 및 시뮬레이션 결과 등이 자세히 설명되어 있습니다. 이를 통해 Folded-Cascode OP-Amp의 특성과 설계 방법을 이해할 수 있습니다. 2. Charge Scaling DAC 설계 Charge Scaling DAC 설계에 대한 내용이 포함되어 있습니다. 회로 구조, 레이아웃, 시뮬레이션 결과 등이 자세히 설명되어 있습니다. 이를 통해 Charge Scaling DAC...2025.01.05
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디지털집적회로 NAND, NOR, XOR gate 설계도 및 DC, Transient 시뮬레이션 결과2025.04.281. NAND gate NAND gate의 pull-down 네트워크는 VA와 VB가 모두 높을 때 도통하는 직렬 NMOS 트랜지스터로 구성되며, pull-up 네트워크는 병렬 PMOS 트랜지스터로 구성됩니다. NAND gate의 효과적인 pull-up/pull-down 저항은 단위 인버터의 저항과 같아야 합니다. NMOS 트랜지스터가 직렬로 연결되어 있어 효과적인 저항이 두 배가 되므로 크기가 단위 인버터의 두 배가 되어야 합니다. PMOS의 경우 최악의 경우인 하나의 PMOS만 켜지는 것을 고려하여 단위 인버터와 같은 크기로 설...2025.04.28
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 4_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.111. MOSFET 특성 parameter 계산 Data Sheet를 이용하여 MOSFET의 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하였습니다. 문턱전압 Vth를 구할 때 필요한 수식과 수치를 자세히 설명하였고, Vgs=0.6V일 때의 Id 값도 계산하였습니다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD를 이용하여 MOSFET 회로도를 설계하고, PSPICE로 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였습니다. 시뮬레이션 결과를 이용하여 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하고, 이를 Data Sheet 값과 비교하였...2025.01.11
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서82025.01.111. MOSFET Current Mirror 설계 이 실습에서는 N-type MOSFET을 이용하여 특정 reference 전류가 흐를 수 있는 단일 current mirror와 cascode mirror를 설계 및 측정하여, current mirror를 이용한 전류원의 전기적 특성을 이해하는 것이 목적입니다. 단일 current mirror 설계에서는 MOSFET의 특성을 이용하여 10mA의 전류원을 설계하고, 이를 시뮬레이션으로 확인합니다. 또한 cascode current mirror 설계에서는 단일 current mirror...2025.01.11
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[A+] 전자회로설계실습 10차 예비보고서2025.05.101. OP-Amp를 이용한 Oscillator (신호발생기) 설계 이 보고서는 OP-Amp를 이용한 Oscillator (신호발생기)를 설계하고 측정하여 positive feedback의 개념을 파악하고, 피드백 회로의 parameter 변화에 따른 신호 파형에 대해 학습하는 것을 목적으로 합니다. 설계 과정에서 OrCAD PSPICE를 사용하여 회로를 설계하고 시뮬레이션을 수행하였으며, 피드백 factor (β)와 피드백 저항 (R)의 변화에 따른 영향을 분석하였습니다. 1. OP-Amp를 이용한 Oscillator (신호발생기)...2025.05.10
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[예비보고서]중앙대학교 아날로그및디지털회로설계실습 위상 제어 루프(PLL)2025.05.101. 위상 제어 루프(PLL) 위상 제어루프(PLL)는 전압제어 발진기의 출력 위상을 입력 신호의 위상과 비교하여 입출력의 위상 차이를 이용하여 전압제어 발진기를 제어하는 피드백 시스템이라고 할 수 있습니다. PLL의 경우 위상 검출기, 루프 필터, 가변 발진기 이 3가지로 구성되어 있으며, 통신 분야에서 폭 넓게 사용됩니다. 2. 위상 검출기 XOR를 이용한 위상 검출기의 경우 V1과 V2의 위상 차이가 변화에 따른 Vout전압의 평균값 특성은 이론부와 같이 주기적인 파형의 주기를 갖습니다. XOR를 이용한 위상 검출기는 대부분 ...2025.05.10
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중앙대학교 아날로그 및 디지털 회로 설계 실습 예비 보고서2025.01.041. 초전형 적외선 센서 초전형 적외선 센서는 인체의 움직임을 감지하여 전압 변화를 발생시킵니다. 이 센서는 침입자 경보기와 자동 도어 센서 등에 사용되며, 접촉식 초전형 적외선 센서를 이용한 스크린 등의 다양한 터치 제품에도 활용되고 있습니다. 2. High-Pass Filter 설계 초전형 적외선 센서와 증폭기 사이에 신호를 전달하는 High-Pass Filter를 저항과 커패시터를 이용하여 설계하였습니다. High-Pass Filter는 저주파 영역의 신호를 차단하고 고주파 영역의 신호만 전달하는 필터입니다. 전달함수를 통해 ...2025.01.04
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RC & Circuit Simulator 실험 보고서2025.01.221. 축전기(Capacitor) 축전기는 특정한 정전 용량(커패시턴스, Capacitance)을 갖는 회로 소자로, 주로 두 개의 도체판으로 구성되어 있고 사이 공간은 얇은 절연체로 채워져 있다. 커패시턴스는 도체판의 면적을 넓히거나 두 판 사이의 간격을 작게 함으로써 증가한다. 도체판 표면에 전하가 저장되는데, 두 표면에 모이는 전하의 양은 같지만 부호는 반대이다. 2. 용량성 리액턴스(Capacitive reactance) 축전기에서의 전류 흐름을 방해하는 정도를 나타내는 수치로, X_C = -1/wC 로 나타낼 수 있으며 주파...2025.01.22
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