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기초전자회로실험 (전체리포트)2025.01.181. 전자회로 기본 실험 이번 실험에서는 전자회로의 기본적인 계측기 사용법과 직병렬 회로, 다이오드 회로 설계 및 기판 납땜 실습을 진행했습니다. 저항, 멀티미터, 파워서플라이, 브레드보드 등의 기본 소자와 회로 구성 방법을 익혔고, 전압 분배 법칙, 전류 분배 법칙, KVL, KCL 등 전자회로의 기본 이론을 학습했습니다. 또한 다이오드의 특성과 정류 회로에 대해서도 실험을 진행했습니다. 2. 트랜지스터 특성 실험 2주차에는 트랜지스터의 종류와 리드선 확인, 트랜지스터 회로 구성 및 전압/전류 측정 실험을 진행했습니다. 트랜지스터...2025.01.18
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컴퓨터개론 ) 컴퓨터 발전의 역사를 간략하게 기술하고 각 세대별 컴퓨터의 특성을 기술2025.01.291. 컴퓨터 발전의 역사 컴퓨터의 발전은 기계식 계산기의 발전에서부터 시작했다. 1623년 독일의 빌헬름 시카드가 처음으로 기계식 계산기를 발명했으며, 이후 복잡한 아날로그식 계산기의 단점을 극복하기 위한 전자식 계산기 개발이 고안되었다. 영국의 찰스 배비지가 처음 기계식 디지털 계산기 '차분기관'을 발명했으며, 근대적 의미의 컴퓨터가 처음 고안되기 시작했다. 20세기 초에는 진공관과 튜링 기계 등의 기술적 발전을 바탕으로 1942년 아타나소프-베리(ABC) 컴퓨터가 처음 발표되었다. 이후 1946년 에니악(ENIAC) 컴퓨터가 발...2025.01.29
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트랜지스터 기초실험 결과보고서2025.01.201. 트랜지스터 동작 원리 실험을 통해 쌍극성 트랜지스터의 기본적인 동작 원리를 익히고, 트랜지스터 회로에서 부하선과 동작점의 개념을 이해하였다. 또한 트랜지스터의 특성곡선을 실험적으로 확인하였다. 2. 트랜지스터 특성곡선 실험 결과를 통해 트랜지스터의 특성곡선을 분석하여 동작 영역을 이해하고, 입력 전압과 출력 전압의 변화에 따른 트랜지스터의 동작 변화를 확인하였다. 3. 트랜지스터 동작점 실험에서 측정된 데이터를 통해 동작점에서의 전압과 전류의 상호 관계를 확인하고, 이를 토대로 트랜지스터가 올바르게 작동하는지를 파악하였다. 1...2025.01.20
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전기전자공학실험-쌍극성 접합 트랜지스터 특성2025.04.301. 쌍극성 접합 트랜지스터 쌍극성 트랜지스터(BJT)는 실리콘(Si) 또는 게르마늄(Ge)으로 만들어지며, npn 또는 pnp 구조를 가진다. 트랜지스터의 에미터, 베이스, 컬렉터 단자를 통해 전류와 전압을 제어할 수 있으며, 차단영역, 포화영역, 활성영역, 항복영역 등의 특성을 가진다. 또한 alpha(전압증폭률)와 beta(전류증폭률)의 관계를 통해 트랜지스터의 성능을 분석할 수 있다. 2. 트랜지스터 형태, 단자, 재료 결정 트랜지스터의 형태(npn, pnp)와 단자(에미터, 베이스, 컬렉터)를 DMM을 사용하여 결정할 수 ...2025.04.30
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물리2 세특 (트랜지스터 구조 관련) 24년 수시 합격생의 생기부 자료2025.01.211. 트랜지스터 트랜지스터는 전극에 가해진 전압이나 전류를 제어해서 신호를 증폭하거나 스위치 역할을 하는 반도체 소자이다. 트랜지스터는 크게 BJT(Bi-polar Junction Transistor)와 FET(Field Effect Transistor)로 나눌 수 있다. BJT는 전류를 증폭시키며 Base, Collector, Emitter인 3개의 전극을 가지고 있고 전자와 정공 둘 다 기여하는 Biploar 소자이다. FET은 전압을 증폭시키며 Gate, Source, Drain으로 이루어져 있고 전자나 정공 중 한 종류만 전...2025.01.21
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전기전자기초실험2 5주차 트랜지스터1(예비+결과레포트)2025.01.241. 트랜지스터의 종류 트랜지스터에는 BJT(Bipolar Junction Transistor)와 FET(Field Effect Transistor)가 있습니다. BJT는 전류 제어 방식으로 작동하며 NPN과 PNP 두 가지 유형이 있습니다. FET는 전압으로 제어되며 JFET(Junction FET)와 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor FET) 등이 있습니다. MOSFET은 전력 제어에 유리하고 빠른 스위칭 속도로 다양한 전자기기에 활용됩니다. 2. NPN 트랜지스터와 PNP 트랜지스터의 차이 NPN 트랜...2025.01.24
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건국대학교 전기전자기초실험2 트랜지스터2 예비레포트 결과레포트2025.01.291. 트랜지스터 증폭 회로 종류 양극성 트랜지스터 증폭 회로는 고전압 신호와 전류를 증폭할 때 사용되며, 공통 증폭 회로는 이미터, 베이스, 컬렉터 중 하나가 공통으로 연결된다. 스위치 증폭 회로는 트랜지스터를 스위치로 사용하여 디지털 신호를 증폭한다. 2. 트랜지스터 공통 이미터 증폭기 회로의 바이어스 방법 트랜지스터 공통 이미터 증폭기 회로에서는 베이스-이미터 접합에 양의 전압(VBE)을 가하고, 바이어스 전압을 조절하여 베이스 전류를 원하는 값으로 설정한다. 그 후 컬렉터 전압을 VBE보다 크게 설정하고, 저항을 이용하여 트랜...2025.01.29
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응용물리회로실험 - Transistor CE + EF2025.05.071. 공통 이미터 회로 공통 이미터 회로의 입력 임피던스와 출력 임피던스를 측정한다. 공통 이미터와 이미터 폴로어로 이루어진 회로의 입력 출력 임피던스를 측정한다. 2. 입력 임피던스 및 출력 임피던스 측정 첫 번째 실험에서는 가 있는 경우와 없는 경우의 입력 임피던스를 측정했는데 각각 2117 Ω , 7812 Ω이 나왔다. 1. 공통 이미터 회로 공통 이미터 회로는 트랜지스터 증폭기 회로의 기본 구조 중 하나입니다. 이 회로는 입력 신호를 증폭하여 출력 신호를 생성하는 역할을 합니다. 공통 이미터 회로의 주요 특징은 높은 전압 이...2025.05.07
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전자회로실험 A+ 12주차 결과보고서(MOSFET Characteristics)2025.05.101. MOSFET 기본 구조 MOSFET의 기본 구조는 다음과 같습니다. Gate: Source 부분과 Drain 부분의 반도체를 연결시켜주는 Channel을 형성하게 하는 역할, Source: 트랜지스터로 특정 캐리어를 공급해주는 역할, Drain: Source에서 들어온 캐리어들을 채널을 통해 밖으로 이동시키는 역할, Body: Channel을 형성하기 위한 캐리어들을 보충해주는 역할(대부분 접지) 2. MOSFET 작동 원리 MOSFET의 작동 원리는 다음과 같습니다. 1. 전압이 인가되지 않은 상태에서 MOSFET은 동작하지...2025.05.10
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트랜지스터 분해2025.05.121. 트랜지스터 트랜지스터는 전자 회로에서 신호 증폭, 스위칭 등의 기능을 수행하는 핵심 부품입니다. 이 자료에서는 npn 트랜지스터의 구조와 원리를 설명하고 있습니다. 트랜지스터는 emitter, collector, base의 3개 단자로 구성되어 있으며, 수지 케이스로 내부 부품을 보호하고 있습니다. 분해 결과 트랜지스터 내부에는 copper frame과 passivated die가 있음을 확인할 수 있었습니다. 1. 트랜지스터 트랜지스터는 현대 전자 기술의 핵심 구성 요소로, 전자 회로의 기본 단위입니다. 트랜지스터는 전기 신...2025.05.12
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