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수동소자의 고주파 특성 측정 방법의 설계2025.05.021. 저항 MHz 대의 주파수 대역에서 저항값이 점점 떨어지는데 이때 기생 커패시터를 통해 흐르는 전류가 더 커지기 때문임. 2. 커패시터 커패시터가 저항과 인덕터 성분을 모두 갖고 있다는 사실에 주목하여 4MHz 이상의 주파수에서 커패시터가 아닌 인덕터로 동작하는 것을 확인. FG의 파형과 저항의 파형을 측정하며 주파수의 증가에 따라 저항의 전압이 증가하다가 4MHz 이상의 주파수에서 커패시터가 인덕터로 작동함에 따라 저항의 전압이 감소하는 것을 확인. 3. 인덕터 mH 급의 인덕터가 1MHz 부근에서 커패시터처럼 작동함을 확인....2025.05.02
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아주대학교 기초전기실험 A+ 결과보고서 Ch. 15 (DC)2025.05.031. IEEE 윤리헌장 IEEE 윤리헌장의 정신에 입각하여 보고서를 작성하였음을 서약하고 있습니다. 이 헌장은 IEEE 회원들이 기술이 삶의 질에 미치는 중요성을 인식하고, 전문직으로서의 의무와 책임을 받아들이는 것을 담고 있습니다. 2. RC 회로 특성 분석 RC 회로에서 저항과 커패시터의 특성을 분석하였습니다. 회로 구성, 전압 측정, 시간 상수 계산 등을 통해 RC 회로의 동작을 이해하고 실험 결과와 이론값을 비교하였습니다. 일부 오차가 발생한 것은 저항에서의 열 손실과 전압 측정 시 사람의 반응 시간 등이 원인으로 분석되었습...2025.05.03
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전자공학실험 6장 공통 이미터 증폭기 A+ 결과보고서2025.01.151. 공통 이미터 증폭기 공통이미터 증폭기는 베이스가 입력 단자, 컬렉터가 출력 단자, 이미터가 공통 단자인 증폭기이고, 높은 전압 이득을 얻을 수 있다는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 이미터 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구하고, 이를 실험에서 확인하고자 한다. 2. BJT 동작 영역 실험회로 1에서 VBB가 0~0.5V일 때는 출력전압 VO가 거의 바뀌지 않고 VBB또한 VBE>0.7의 조건을 만족하지 않아 cut-off(차단영역)임을 알 수 있다....2025.01.15
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[기초전자실험 with pspice] 13 커패시터 예비보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 커패시터 커패시터는 전하를 저장(충전)하는 기능을 가진 부품이다. 커패시터는 유전체를 가운데 두고 양쪽에 전극(도체판)이 놓여 있는 구조로 만들어져 있다. 커패시터에 전압이 인가되면 [+]와 [-]의 전하들이 유전체를 사이에 두고 전극에 대전되어 충전이 이루어진다. 커패시터의 충전 용량을 커패시턴스라고 하며, [F]을 단위로 사용한다. 커패시터에는 전해 커패시터, 세라믹 커패시터, 탄탈 커패시터, 마일러 커패시터 등 다양한 종류가 있다. 커패시터를 직렬 또는 병렬로 연결하면 전체 커패시턴스가 변화하며, 커패시터에 교류전압을 인...2025.04.28
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커패시터의 충방전2025.04.251. 커패시터 충방전 실험 이 실험은 저항과 커패시터로 이루어진 회로에서 커패시터에 인가되는 전압의 시간적인 변화를 관측하고 회로의 시간상수를 구하는 것이 목적입니다. 실험에서는 저항값과 커패시터 용량을 변화시켜 충방전 과정을 관찰하였고, 실험값과 계산값을 비교하여 3% 미만의 오차를 확인하였습니다. 실험 과정, 환경 요인, 결과 도출 과정에서 발생할 수 있는 오차 요인들을 분석하였습니다. 1. 커패시터 충방전 실험 커패시터 충방전 실험은 전기 회로의 기본 원리를 이해하는 데 매우 중요한 실험입니다. 이 실험을 통해 커패시터의 충전...2025.04.25
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정류회로 실험2025.01.141. 정류회로 실험을 통해 220V의 교류전원을 16V의 직류전원으로 변환하는 과정을 확인하였다. 오실로스코프를 이용하여 전압진폭, 주기, 진동수 등을 측정하였고, 마지막 실험에서는 직류전압 15.7V, 멀티미터 측정값 15.76V로 0.38%의 오차율을 보였다. 실험을 통해 정류회로의 동작 원리와 오실로스코프 사용법을 익힐 수 있었다. 2. 다이오드 실험 과정에서 다이오드가 순방향 전류만 흐르는 것을 확인하였다. 이를 통해 다이오드의 특성을 이해할 수 있었다. 3. 커패시터 커패시터를 회로에 연결하여 교류전원을 직류전원으로 변환하...2025.01.14
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인덕터 및 RL회로의 과도응답(Transient Response) 결과보고서 (보고서 점수 만점/A+)2025.04.251. RL 회로 10mH 인덕터와 1kΩ의 저항을 사용하여 RL회로를 구성하고 오실로스코프를 이용하여 RL time constant를 측정하였다. 입력전압은 FG를 사용하여 1V 사각파(high = 1V, low = 0V, duty cycle = 50%)로 인가하였다. 또한 인덕터가 충분한 자기에너지를 충전, 방전할 수 있도록 이 사각파의 주기를 10τ,즉,100μs로 설정하였다. 실험을 통한 시정수는 9.50μs였고 오차는 5%였다. 2. 입력전압 변화 입력전압을 ±0.5 V의 사각파(high = 0.5 V, low = - 0.5...2025.04.25
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전기기초실험 레포트 과제2025.05.111. 다이오드 다이오드는 전류를 한쪽으로만 흐르게 하는 정류작용을 하는 전자 부품이다. 다이오드의 전기 저항은 순방향에서 매우 작지만 역방향에서는 매우 크다. 다이오드는 교류를 직류로 변환하는데 사용된다. 다이오드는 비선형 전류-전압 특성을 가지고 있다. p-n 접합 다이오드는 반도체 기반의 전자회로를 구성하는 기본 단위이다. 2. 트랜지스터 트랜지스터는 3개의 반도체 층으로 구성된 능동 반도체 소자이다. NPN 트랜지스터의 경우, 이미터와 베이스 사이에 순방향 전압을 걸면 이미터에서 베이스로 전자가 주입되고, 베이스와 컬렉터 사이...2025.05.11
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전자공학실험 11장 공통 소오스 증폭기 A+ 결과보고서2025.01.151. 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 공통 소오스 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정하고자 한다. 공통 소스 증폭기는 게이트가 입력 단자, 드레인이 출력 단자, 소스가 공통 단자인 증폭기로서 높은 전압 이득을 얻을 수 있는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 소스 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구해본 다음, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. MOSFET 동작 영역 NMOS에서 VGS>=Vth이면서 VD...2025.01.15
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전자회로설계 및 실습7_설계 실습7. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성_결과보고서2025.01.221. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이번 실습에서는 이전에 설계한 emitter 저항을 이용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성과 커패시터들의 영향을 측정하고 평가하였습니다. 실험 결과, 전압 및 전류 측정에서 평균 2.5% 이하의 오차를 얻을 수 있었고, 1MHz 이하의 주파수 대역에서는 실험 결과와 시뮬레이션 값의 차이가 작았습니다. 하지만 1MHz 이상의 고주파 대역에서는 오차가 크게 나타났습니다. 이는 가변 저항 값의 오차와 입력 전압이 작아 오실로스코프에서 정확한 측정이...2025.01.22
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