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전자회로(개정4판) - 생능출판, 김동식 지음 / 6장 연습문제 풀이2025.01.021. 포화점과 차단점에서의 컬렉터 전류와 에미터 전압 계산 포화점에서의 컬렉터 전류와 에미터 전압, 차단점에서의 컬렉터 전류와 에미터 전압을 계산하기 위해서는 베이스 전류와 베이스-에미터 전압이 필요하다. 이를 통해 컬렉터 전류와 에미터 전압을 구할 수 있다. 2. 증폭기의 최대 효율 증폭기의 최대 효율은 17%이다. 이는 증폭기의 동작 특성을 나타내는 중요한 지표이다. 3. 직류 및 교류 부하선 분석 직류 부하선과 교류 부하선을 분석하여 증폭기의 동작점과 출력 전압의 스윙 값을 구할 수 있다. 이를 통해 증폭기의 성능을 평가할 수...2025.01.02
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전자공학실험 12장 소오스 팔로워 A+ 결과보고서2025.01.151. 소오스 팔로워 증폭기 소오스 팔로워는 출력 임피던스가 작으므로, 작은 부하 저항을 구동하는 데 많이 사용된다. 이 실험에서는 소오스 팔로워의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통해 확인하고자 한다. 2. MOSFET 동작 영역 MOSFET이 포화 영역에서 동작하는지 확인하기 위해 각 단자들의 전압을 측정하고 분석하였다. VGS>=Vth이면서 VDS>=VGS-Vth인 경우에 포화 영역, VGS>Vth이면서 VDS<VGS-Vth인 경우에는 트라이오드, VGS<Vth이여서 전류가 흐르지 않을 때는 차단 영...2025.01.15
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A+ 연세대학교 기초아날로그실험 5주차 결과레포트2025.05.101. Inverting amplifier 실험 결과 그림1과 같이 Inverting amplifier 회로를 빵판에 구성하였다. 저항 을 사용하였으며 저항 는 47과 150k 두가지를 사용하였다. 또한 myDAQ를 이용하여 Op-amp의 전원단자 , 에 각각 15V와 -15V를 걸어주었다. 입력 전원은 진폭 0.1V (=0.2)와 주파수 1kHz의 교류 전원으로 설정하였다. 실험 결과 매우 작은 오차율이 나왔으며 입력 파형과 출력 파형이 서로 반대인 것을 확인할 수 있었다. Bode plot 분석 결과 특정 주파수보다 커지면 gai...2025.05.10
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전자회로설계실습 예비보고서 112025.01.041. Push-Pull 증폭기 이 실험의 목적은 RL = 100 Ω, Rbias = 1 kΩ, VCC = 12 V인 경우 Push-Pull 증폭기의 동작을 이해하고 Dead zone과 Crossover distortion 현상을 파악하며 이를 제거하는 방법에 대해 실험하는 것입니다. 실험을 통해 Push-Pull 증폭기의 입출력 transfer characteristic curve를 확인하고, Dead zone이 발생하는 이유를 설명합니다. 1. Push-Pull 증폭기 Push-Pull 증폭기는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 역...2025.01.04
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MOSFET 증폭기 회로 예비보고서2025.01.021. MOSFET 증폭기 회로 MOSFET를 사용한 소스 접지 증폭기의 바이어스 방법과 기본적인 특성을 이해하도록 한다. n 채널 MOSFET의 구조와 동작 원리, 동작 영역에 따른 드레인 전류 특성, 소스 공통 증폭기의 구조와 특성 등을 설명하고 있다. 실험을 통해 MOSFET의 특성과 소스 공통 증폭기의 동작을 확인하고자 한다. 1. MOSFET 증폭기 회로 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 증폭기 회로는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 역할을 합니다. MOS...2025.01.02
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능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기의 실험 결과2025.01.021. 공통 소오스 증폭기 공통 소오스 증폭기는 NMOS와 PMOS 트랜지스터를 사용하여 구성된 증폭기 회로입니다. 이 실험에서는 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기의 특성을 측정하고 분석하였습니다. 실험 결과에 따르면, 입력 전압이 0~3V 범위에서 출력 전압이 일정하게 유지되다가 4V 이상에서 급격히 감소하는 것을 확인할 수 있었습니다. 또한 전압 이득은 약 85V/V로 측정되었습니다. 이러한 결과는 회로 구성 요소의 특성, 바이어싱, 주파수 응답 등 다양한 요인에 의해 영향을 받는 것으로 분석됩니다. 1. 공통 소오스 증폭기 ...2025.01.02
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Semiconductor Op Amp 실험 보고서 (A+)2025.01.241. OP AMP(Operational Amplifier 연산 증폭기) OP AMP는 가장 큰 전압 이득을 가지며 +입력단자와 입력단자 간의 전압 차를 이용한 증폭기이다. OP AMP는 입력단자, +입력단자, 정측 전원단자, 부측 전원단자, 출력 단자 총 5개의 단자로 구성되어 있다. 2개의 입력단자 중에 입력단자에 입력 신호를 가하면 입력과는 반대되는 상태의 신호가 출력되고, +입력단자에 입력 신호를 가하면 같은 상태의 신호가 출력된다. 따라서 입력단자를 반전 입력, +입력단자를 비반전 입력이라 칭한다. 2. 반전 증폭기 반전 증...2025.01.24
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전자공학응용실험 ch18 증폭기의 주파수 응답특성 예비레포트 (pspice 및 이론, 예비보고사항 모두 포함)2025.05.031. 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성 이 실험에서는 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성을 실험하여 대역폭의 개념을 이해하고, 이득과 대역폭 사이의 관계를 파악하고자 한다. MOSFET의 기생 커패시턴스로 인해 주파수에 따라 전압 이득 및 위상이 변하며, 대역폭은 증폭기의 응용 범위를 결정하는 중요한 척도이다. 실험을 통해 이득 대역폭 곱의 관계를 이해하고자 한다. 2. 공통 소스 증폭기의 소신호 등가회로 및 주파수 응답 특성 공통 소스 증폭기의 소신호 등가회로를 분석하면 드레인 단자에서의 전류 방정식과 게이트 단자에서의 전압...2025.05.03
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기초전자실험 - 23장 달링턴 및 캐스코드 증폭기 회로2025.04.301. 달링턴 회로 달링턴 회로는 두 개의 BJT 트랜지스터를 하나의 IC 패키지 내에 제공한다. 달링턴 회로의 베타 실효값(beta_D)은 각 트랜지스터 베타 값의 곱과 같다. 달링턴 이미터 폴로어는 일반 이미터 폴로어에 비해 높은 입력 임피던스를 가지고 있다. 달링턴 이미터 폴로어의 입력 임피던스는 R_B * (beta_D * R_E)로 주어진다. 달링턴 이미터 폴로어의 출력 임피던스는 r_e이며, 전압 이득은 (R_E) / (R_E + r_e)와 같다. 2. 캐스코드 회로 캐스코드 회로는 Q_1을 이용한 공통 이미터 증폭기가 Q...2025.04.30
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서강대학교 22년도 전자회로실험 10주차 결과레포트2025.01.131. MOSFET 소스 팔로워 소스 팔로어의 이론적인 전압이득은 1/gm이 작은 값이기에, 거의 1에 가까운 이득을 보인다. 바이어스가 포함된 소스 팔로어의 경우도, 소신호 등가회로를 이용해 전압이득을 계산할 수 있다. 실험 결과, 소스 팔로어의 전압이득을 측정해본 결과, 0.93이 나왔고, 이론값과 3.9%의 오차만 있어 소스 팔로어로서 잘 동작하고 있다고 할 수 있다. 2. 1단 증폭기 1단 증폭기는 등가회로로 생각할 수 있고, 이때 전압이득은 쉽게 구할 수 있다. 실험 결과, 1단 증폭기의 전압이득은 이론값 3.955와 측정값...2025.01.13
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