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캐스코드 증폭기 실험 결과 보고서2025.01.021. 캐스코드 증폭기 캐스코드 증폭기는 공통 소스 증폭기에 비해 높은 전압 이득을 얻을 수 있어 많이 사용되고 있습니다. 입력 임피던스가 상대적으로 낮은 공통 게이트 증폭기를 추가로 연결하여 전류 신호를 출력하기에 유용하지만, 출력 전압 스윙이 감소하는 단점이 있어 저전압 회로에서 사용하기 어려울 수 있습니다. 캐스코드 증폭기의 출력 저항은 트랜지스터 자체의 출력 저항에 비해 증가하지만, 실험 과정에서 저항 측정이 이루어지지 않아 정확한 비교는 어렵습니다. PSpice를 통해 구한 전압 이득과 실험 결과 간 차이는 PSpice가 모...2025.01.02
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OP 증폭기를 이용한 비교기 회로 실험 결과 보고서2025.01.031. 비교기 회로 비교기 회로는 두 입력 전압의 크기를 비교하여 출력 전압을 결정하는 회로입니다. 실험을 통해 입력 전압이 기준 전압보다 크거나 작을 때 출력 전압이 달라지는 것을 확인할 수 있었습니다. 또한 LED를 이용하여 출력 전압의 상태에 따라 LED의 색이 변하는 것을 관찰할 수 있었습니다. 2. 포토트랜지스터 포토트랜지스터는 빛에 의해 베이스 전류가 변화하여 콜렉터 전류가 변화하는 소자입니다. 실험을 통해 입력 전압이 증가하거나 포토트랜지스터와 발광 다이오드 사이의 거리가 가까워질수록 출력 전압이 감소하는 것을 확인할 수...2025.01.03
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다이오드의 특성 및 정류회로2025.05.161. 다이오드 다이오드는 반도체 소자의 일종으로, 전류를 한 방향으로만 흐르게 하는 특성을 가지고 있습니다. 다이오드에는 게르마늄 다이오드와 실리콘 다이오드가 있으며, 이들은 P-N 접합 구조로 이루어져 있습니다. 다이오드의 양극(양극성)과 음극(음극성)은 각각 P 영역과 N 영역으로 구분됩니다. 다이오드가 순방향 바이어스 상태일 때 전류가 흐르며, 역방향 바이어스 상태일 때는 전류가 흐르지 않습니다. 2. LED LED(Light Emitting Diode)는 다이오드의 일종으로, P-N 접합 구조를 가지고 있습니다. 전류가 흐르...2025.05.16
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[A+]전자회로설계실습 예비보고서 82025.01.041. N-Type MOSFET을 이용한 Current Mirror 설계 이 보고서의 목적은 N-Type MOSFET을 사용하여 단일 Current Mirror와 Cascode Current Mirror를 설계하고 측정하여 current mirror를 이용한 전류원의 전기적 특성을 이해하는 것입니다. 보고서에는 Current Source 회로 설계를 위한 2N7000 MOSFET의 특성 분석, IREF = 10 mA인 전류원 설계를 위한 VGS 및 R1 값 계산 등의 내용이 포함되어 있습니다. 1. N-Type MOSFET을 이용한 ...2025.01.04
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전자회로실험 A+ 5주차 결과보고서(Bipolar Junction Transistor Characterization)2025.05.101. Bipolar Junction Transistor (BJT) BJT는 1948년 윌리엄 쇼클리에 의해 발명되었으며, 최초로 대량 생산된 트랜지스터입니다. BJT의 물리적 특성을 이해하는 것은 그 동작과 응용을 이해하는 데 핵심적입니다. 이 실험에서는 BJT의 4가지 동작 영역을 탐구하고 DC 전류 이득, Early 전압과 같은 특성값을 결정합니다. 실험에 사용된 트랜지스터는 NPN 소자인 2N3904입니다. 2. BJT 동작 영역 분석 실험에서는 VB와 VC를 변화시키면서 IC, β 등을 측정하여 BJT의 동작 영역을 확인했습...2025.05.10
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응용물리회로실험 - Transistor2025.05.071. pnp 트랜지스터 pnp 트랜지스터에서 에미터와 베이스의 접합은 순방향 다이오드와 유사하고, 컬렉터와 베이스의 접합은 역방향 바이어스 다이오드와 유사하다. 이 트랜지스터에는 두 개의 바이어스 전압이 인가되어 다수 캐리어와 소수 캐리어가 특정 방향으로 흐른다. 많은 양의 다수 캐리어가 p-n 접합을 통해 n형 물질로 확산되고, 가운데 있는 n형 물질은 매우 얇고 전도성이 낮아서 매우 적은 양의 캐리어만이 저항이 큰 경로를 통해 베이스 단으로 흐르게 된다. 1. pnp 트랜지스터 pnp 트랜지스터는 전자 회로에서 매우 중요한 역할...2025.05.07
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전자회로 다이오드 응용회로 실험보고서2025.05.091. 다이오드 다이오드란, p형 반도체와 n형 반도체를 접합시켜 각 반도체 영역에 금속성 접촉과 리드선이 연결된 소자로 한쪽 방향으로만 전류를 흘릴 수 있고 다른 방향으로는 전류를 차단하는 기능을 한다. 이러한 성질을 이용하여 input으로 들어간 교류를 직류로 변환하는 등의 정류회로를 구성하는 데 사용한다. 2. 반파정류회로 반파정류회로란, 양과 음 중 한 쪽 Vin만 출력시키는 회로이다. 그림1의 회로에서 Vout은 Vin이 VD,ON 을 초과할 때까지 0을 유지하는데, 이 점에서 D1은 켜지고 VOUT = Vin – VD,ON...2025.05.09
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핵심이 보이는 전자회로 실험 PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성2025.05.161. PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성 실험을 통해 PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성을 분석하였습니다. 시뮬레이션 결과와 실험 측정 결과를 비교하여 다이오드의 커트-인 전압 값을 확인하였습니다. 시뮬레이션 결과에서는 커트-인 전압이 400mV, 실험 측정 결과에서는 350mV로 나타났습니다. 이를 통해 다이오드의 전류-전압 특성을 이해할 수 있었습니다. 1. PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성 PN 접합 다이오드는 전자 회로에서 매우 중요한 반도체 소자입니다. 다이오드의 전류-전압 특성은 다이오드의 동작 원리와 성능을 이해...2025.05.16
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부산대 기초전기전자실험 결과보고서 9주차 A+보고서 1등보고서2025.05.161. LPF (Low Pass Filter) LPF 실험에서는 차단주파수 1kHz, 30kHz일 때의 Vo/Vi 값을 관찰하였습니다. 이론대로 차단주파수보다 낮은 주파수는 잘 통과시켜주고, 차단주파수보다 높은 주파수는 잘 통과시키지 못하는 모습을 관찰할 수 있었습니다. 2. HPF (High Pass Filter) HPF 실험에서는 차단주파수 1kHz, 30kHz일 때의 Vo/Vi 값을 관찰하였습니다. 이론대로 차단주파수보다 높은 주파수는 잘 통과시켜주고, 차단주파수보다 낮은 주파수는 잘 통과시키지 못하는 모습을 관찰할 수 있었습니...2025.05.16
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전자회로실험_A+레포트_증가형 MOSFET의 바이어스 회로2025.01.131. MOSFET MOSFET는 게이트(Gate), 소오스(Source), 드레인(Drain)의 3개 단자를 갖는다. 게이트 단자에 인가되는 전압의 극성과 크기에 따라 소오스와 드레인 사이의 전류흐름이 제어된다. 소오스는 전류를 운반하는 캐리어를 공급하고, 드레인은 소오스에서 공급된 캐리어가 채널 영역을 지나 소자 밖으로 방출되는 단자이다. 2. MOSFET 전압분배 바이어스 회로 저항 R1, R2로 전원전압 VDD를 분배하여 게이트 바이어스 전압 VGQ=VGSQ를 생성한다. MOSFET가 포화영역에서 동작하도록 바이어스된다면, 드...2025.01.13
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