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응전실1_전압체배회로_결과보고서2025.01.131. 전압 체배 회로 이 보고서는 전압 체배 회로에 대한 실험 결과를 다루고 있습니다. 실험 1에서는 회로를 구성하고 VM-G, VA-G, VP-G를 측정했습니다. 실험 2에서는 500Ω의 부하를 병렬로 연결하여 동일한 측정을 수행했습니다. 결과 분석에 따르면 다이오드의 개수 차이와 중간 저항으로 인한 전압 강하로 인해 측정값에 차이가 있었습니다. 또한 이상적인 상황이 아니어서 약간의 오차가 발생했지만, 전압 체배 회로의 동작 원리를 잘 보여주는 실험 결과라고 할 수 있습니다. 1. 전압 체배 회로 전압 체배 회로는 입력 전압보다 ...2025.01.13
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조도 센서를 이용한 태양전지판 각도 제어 구현 및 code(아두이노)2025.01.131. 조도 센서를 이용한 태양 전지판 제어 이 프로젝트는 조도 센서를 사용하여 태양 전지판의 각도를 자동으로 제어하는 방법을 구현합니다. 3개의 조도 센서가 서로 다른 위치에 배치되어 있으며, 가장 어두운 부분의 반대 방향으로 서보모터가 움직여 태양 전지판의 각도를 조정합니다. 이를 통해 태양 전지판이 항상 최적의 각도로 향하게 되어 효율적인 발전이 가능합니다. 1. 조도 센서를 이용한 태양 전지판 제어 조도 센서를 이용한 태양 전지판 제어는 태양 전지판의 효율을 높이고 에너지 생산을 최적화하는 데 매우 유용한 기술입니다. 이 기술...2025.01.13
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중앙대 MOSFET 소자 특성 측정 예비보고서2025.05.051. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 MOSFET의 주요 파라미터 계산, MOSFET 회로 구성 및 시뮬레이션, 측정 결과 분석 등이 포함되어 있습니다. 이를 통해 MOSFET 소자의 동작 원리와 특성을 이해하고 실험적으로 검증하는 것이 목적입니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)은 현대 전자 기기에서 가장 널리 사용되는 반도체 소자 ...2025.05.05
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교류및전자회로실험 실험9-2 트랜지스터 기본회로 실험 예비보고서2025.01.171. 트랜지스터의 운전상태 트랜지스터의 운전상태는 cutoff, saturation, active 상태로 나뉜다. cutoff 상태에서는 IB가 0이고 트랜지스터가 open되어 있다. saturation 상태에서는 IB가 충분히 커서 저항이 0에 가까운 short 상태이다. active 상태는 두 상태의 중간이며 IC와 IB에 비례한다. 2. 트랜지스터 스위치 트랜지스터를 스위치로 사용할 때는 cutoff 상태와 saturation 상태로 동작한다. 작은 신호로 큰 전류를 스위칭할 수 있다. LED 점멸 회로를 통해 트랜지스터 스위...2025.01.17
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기초전자회로실험 (전체리포트)2025.01.181. 전자회로 기본 실험 이번 실험에서는 전자회로의 기본적인 계측기 사용법과 직병렬 회로, 다이오드 회로 설계 및 기판 납땜 실습을 진행했습니다. 저항, 멀티미터, 파워서플라이, 브레드보드 등의 기본 소자와 회로 구성 방법을 익혔고, 전압 분배 법칙, 전류 분배 법칙, KVL, KCL 등 전자회로의 기본 이론을 학습했습니다. 또한 다이오드의 특성과 정류 회로에 대해서도 실험을 진행했습니다. 2. 트랜지스터 특성 실험 2주차에는 트랜지스터의 종류와 리드선 확인, 트랜지스터 회로 구성 및 전압/전류 측정 실험을 진행했습니다. 트랜지스터...2025.01.18
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A+ 연세대학교 기초아날로그실험 12주차 결과레포트2025.05.101. 3 Op-amp IA 회로 3 Op-amp IA 회로를 구성하여 입력 신호를 100배 증폭할 수 있음을 확인하였다. 실제 회로 구현 시 소자 값의 오차로 인해 약 1.57%의 오차가 있었지만 목표 gain 100에 근접한 결과를 얻을 수 있었다. 2. Notch Filter Notch filter를 구현하여 중심 주파수 약 58.9Hz에서 출력 전압이 크게 감소하는 것을 확인하였다. Bode analyzer를 사용하여 분석한 결과 중심 주파수는 약 57.54Hz로 나타났다. 3. Low Pass Filter Low Pass F...2025.05.10
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전압 체배기 회로의 특성 실험2025.05.111. 전압 체배기 회로 전압 체배기 회로는 입력 신호의 전압을 높이는 데 사용되는 회로입니다. 커패시터와 다이오드를 사용하여 커패시터의 충전 및 방전을 통해 높은 출력전압을 생성합니다. 2배 전압채배기에서는 2개의 커패시터와 2개의 다이오드로 구성된 배전압 회로에서 출력 전압은 입력 전압의 약 2배에서 다이오드의 순방향 전압 강하를 뺀 값이 됩니다. 3배 전압채배기와 4배 전압채배기도 각각의 3개의 커패시터,다이오드 4개의 커패시터,다이오드로 구성되어 같은 출력전압그래프를 확인할 수 있었습니다. 이를 통해 전압채배기에서 사용되는 커...2025.05.11
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기초회로디지털실험 신호등 설계 (좌회전 가능 4거리 신호 제어 회로) 빵판 구현2025.05.111. 교통신호등 제어 교통신호등 제어 회로를 설계하고 구현하는 내용입니다. 신호등의 점멸 시간을 실제와 다르게 가정하여 설계하였으며, 동서방향과 남북방향의 신호등 신호체계가 다르게 구현되어 있습니다. 회로는 타이밍 회로, 순서논리회로, 상태 디코더, 신호등 유니트 등으로 구성되어 있습니다. 1. 교통신호등 제어 교통신호등 제어는 도시 교통 관리에 있어 매우 중요한 역할을 합니다. 효율적인 신호등 제어를 통해 교통 흐름을 최적화하고 사고 위험을 줄일 수 있습니다. 최근 AI 기술의 발전으로 실시간 교통 상황 분석과 신호등 제어 최적화...2025.05.11
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반도체소자공학 이론(BJT, FET)2025.05.111. 반도체 소자 반도체 소자의 기본 원리와 구조에 대해 설명합니다. 주요 내용으로는 pn 접합, 전하 캐리어, 전계 효과 트랜지스터(FET) 등이 포함됩니다. 2. 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT) 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)의 동작 원리와 특성에 대해 설명합니다. 주요 내용으로는 에미터-베이스 접합, 베이스-콜렉터 접합, 전하 캐리어 흐름 등이 포함됩니다. 3. 전계 효과 트랜지스터(FET) 전계 효과 트랜지스터(FET)의 동작 원리와 특성에 대해 설명합니다. 주요 내용으로는 채널, 게이트, 소스, 드레인 등의 구조와 전하...2025.05.11
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전자회로설계실습 5차 예비보고서2025.05.101. BJT와 MOSFET을 이용한 구동(switch) 회로 설계 이 보고서는 BJT와 MOSFET을 사용하여 TTL 레벨의 전압(5 V)으로 동작하는 RTL switch 회로를 설계하고 구현하여 relay 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정 및 평가하는 것을 목적으로 합니다. 보고서에서는 BJT와 MOSFET 회로의 설계 과정과 계산, 그리고 회로 측정 방법 등을 자세히 설명하고 있습니다. 2. BJT를 이용한 LED 구동 회로 설계 보고서에서는 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531(VF = 2 V, IF = 20 m...2025.05.10
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