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Semiconductor Device and Design2025.05.101. CMOS process design rules CMOS 설계 규칙은 특정 공정을 사용하여 제조할 회로의 물리적 마스크 레이아웃이 준수해야 하는 일련의 기하학적 제약 조건 또는 규칙입니다. 주요 목적은 가능한 한 작은 실리콘 영역을 사용하면서도 전반적인 수율과 신뢰성을 달성하는 것입니다. 이러한 규칙에는 금속 및 폴리-Si 상호 연결과 같은 최소 허용 선폭, 최소 기능 치수, 두 개의 이러한 기능 사이의 최소 허용 간격 등이 포함됩니다. 이러한 설계 규칙은 CMOS 인버터의 NMOS와 PMOS 트랜지스터 사이의 간격을 결정합니다...2025.05.10
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BJT 1-Large Signal Analysis 1_예비레포트2025.01.121. BJT 소자의 구조 및 동작 원리 BJT 소자는 3개의 불순물 영역으로 구성되어 있으며, Emitter, Base, Collector로 명명된다. NPN 트랜지스터와 PNP 트랜지스터로 구분된다. Emitter-Base 접합은 순방향으로, Base-Collector 접합은 역방향으로 바이어스된다. BJT의 동작 영역은 Cut-Off, Active, Saturation 영역으로 나뉘며, 이에 따라 다른 특성을 보인다. 2. BJT의 특성 실험 실험을 통해 BJT의 IC-VCE 특성과 Beta 특성을 확인하였다. 실험 회로 1-a...2025.01.12
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[A+ 보장] LED의 특성 분석2025.05.111. LED의 전류-전압 특성 LED의 전류-전압 특성 그래프를 통해 소자별 문턱전압을 확인할 수 있으며, 일반적으로 파장이 짧을수록 문턱전압이 높다는 사실을 확인할 수 있다. 전류-전압의 log scale 그래프에서는 쇼클리 방정식을 통해 1차 함수로 근사되지만, 실제 실험 그래프에서는 1차 함수가 아님을 확인할 수 있다. 2. LED의 광출력-전류 특성 인가 전류 대비 출력 전류의 그래프에서는 일반적으로 선형영역에서 인가 전류대비 출력 전류를 확인할 수 있었고, 555nm에서는 선형영역을 넘어 포화영역에 해당하는 부분이 일부 확...2025.05.11
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사이리스터 예비보고서2025.01.121. 사이리스터의 구조 사이리스터는 p-n-p-n 접합의 4 층으로 이루어진 반도체 소자이다. 반도체 소자의 일종으로 반도체 스위치로 취급한다. 다이오드와 형태가 비슷하지만 다이오드보다 핀 하나가 더 있으며, 그 핀으로 인해 정방향 뿐만 아니라 역방향으로도 전류가 흐르게 만들면서 교류를 생산할 수 있다. 2. 사이리스터의 동작원리 사이리스터는 제어단자(G, Gate)로부터 음극(K)에 전류를 흘리는 것으로, 양극(A,Anode)과 음극(K,Cathode) 사이를 도통시킬 수 있는 3 단자의 단방향 반도체 소자이다. 게이트에 일정한 ...2025.01.12
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MOSFET의 특성 실험2025.05.111. MOSFET의 동작 원리 MOSFET 소자는 게이트의 전압을 인가시켜 드레인과 소스 사이에 채널을 형성하고, 그 채널을 통해 전류가 흐르게 하는 소자이다. 게이트, 드레인, 소스, 바디의 4단자로 구성되어 있으며, 게이트 전압을 변화시킴으로써 채널의 폭이 변화하고 그에 따라 전류가 변화하게 된다. 2. MOSFET의 드레인 특성곡선 실험 결과에 따르면 V_GS값이 3V까지는 I_D가 급격하게 증가하다가 4V 이후부터는 기울기가 감소하여 증가하는 것을 확인할 수 있었다. 이로 미루어 보아 핀치오프 전압은 약 4V라고 할 수 있고...2025.05.11
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트랜지스터 결과보고서2025.01.051. 트랜지스터 스위칭 기능 트랜지스터 스위칭 회로는 작은 베이스 전류로 큰 콜렉터 전류를 스위칭할 수 있는 회로로 많이 사용되고 있다. 이 회로에서 트랜지스터의 콜렉터는 전류를 흡입하는 기능이므로 전류를 출력할 수 없다. 사용법은 제어하고 싶은 것의 플러스쪽을 전원에 연결하고 마이너스쪽을 트랜지스터의 콜렉터에 연결한 후, 베이스 전류를 ON/OFF하면 부하의 전류를 ON/OFF할 수 있다. 2. 트랜지스터 스위칭 동작원리 트랜지스터의 이미터와 컬렉터 간을 도통 상태로 하려면 베이스 전류 IB가 흐르게 하면 된다. 이를 반대로 생각...2025.01.05
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MOSFET 에너지 밴드2025.05.081. MOSFET 동작 모드 MOSFET은 Gate 전압에 따라 Accumulation, Depletion, Inversion 모드로 동작한다. Accumulation 모드에서는 전류가 흐르지 않고, Depletion 모드에서는 약간의 전류만 흐르며, Inversion 모드에서는 Source에서 Drain으로 전자가 이동하여 전류가 잘 흐른다. MOSFET의 동작 모드는 Gate 전압을 조절하여 변경할 수 있다. 2. MOSFET 동작 영역 MOSFET의 동작 영역은 Gate 전압과 Drain 전압의 조합에 따라 달라진다. Gate...2025.05.08
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숭실대학교 신소재공학실험2 반도체 소자 전기적 특성 분석 결과보고서2025.01.211. 반도체 소자 전기적 특성 분석 이 보고서는 반도체 소자의 전기적 특성을 분석하기 위해 SEM, AFM, TEM, OM, Alpha step, Four-point probe 등의 분석 기법을 사용한 실험 결과를 다루고 있습니다. 실험을 통해 표면 morphology, 단면 두께, 소자 면적, 상부 전극 두께, 금속 막의 비저항 등을 측정하고 분석하였습니다. 실험 결과 분석에 따르면 불순물, 온도, 금속 막의 구조 등의 요인으로 인해 실험값과 이론값의 차이가 발생하였으며, 금속 막의 두께 감소에 따라 비저항이 증가하는 것을 확인하...2025.01.21
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 4_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.111. MOSFET 특성 parameter 계산 Data Sheet를 이용하여 MOSFET의 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하였습니다. 문턱전압 Vth를 구할 때 필요한 수식과 수치를 자세히 설명하였고, Vgs=0.6V일 때의 Id 값도 계산하였습니다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD를 이용하여 MOSFET 회로도를 설계하고, PSPICE로 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였습니다. 시뮬레이션 결과를 이용하여 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하고, 이를 Data Sheet 값과 비교하였...2025.01.11
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BJT 3-BJT Amplifier_예비레포트2025.01.121. BJT 증폭기 이 보고서는 BJT(Bipolar Junction Transistor) 증폭기의 작동 원리와 특성을 다룹니다. Common Emitter 회로에서 BJT의 전압 및 전류 관계를 설명하고, 이를 바탕으로 Small Signal Parameters와 Gain을 계산하는 방법을 제시합니다. 또한 실험을 통해 이론적 예측과 실제 측정 결과를 비교하여 BJT 증폭기의 동작을 확인합니다. 1. BJT 증폭기 BJT(Bipolar Junction Transistor) 증폭기는 전자 회로에서 널리 사용되는 중요한 회로 구성 요...2025.01.12
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