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피로 시험(Fatigue Test)2025.04.291. 피로 시험 피로 시험의 목적은 재료의 피로 강도를 구하고 기계, 구조물의 형상, 크기, 가공법, 하중을 가하는 방법 등이 피로 강도에 미치는 영향을 조사하기 위해서이다. S-N 곡선은 재료에 반복해서 가해져 파괴시키는 응력의 반복횟수와 그 진폭과의 관계를 나타내는 곡선이다. 피로한도는 응력진폭이 어느 한계치 이하이면 반복수가 아무리 증가하여도 파괴가 생기지 않는 한계치 응력이다. 2. 피로 강도에 미치는 요인 피로 강도에 영향을 미치는 요인으로는 노치효과, 치수효과, 표면효과, 온도영향, 부식효과 등이 있다. 노치효과는 응력 ...2025.04.29
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[전자회로응용] Characteristics of Enhancement MOSFET 결과레포트 (만점)2025.01.281. MOSFET의 I-V curve MOSFET의 I-V curve에서 triode 영역과 saturation 영역을 수식으로 정의하고 물리적 의미를 분석하였습니다. triode 영역에서는 드레인 전류가 선형적으로 증가하며, saturation 영역에서는 드레인 전류가 일정한 값을 유지합니다. 이는 MOSFET의 동작 원리와 관련이 있습니다. 2. 2N7000 소자의 I-V 특성 DC sweep을 이용하여 2N7000 소자의 I-V 특성을 확인하였습니다. 이를 통해 MOSFET의 동작 영역과 특성을 이해할 수 있었습니다. 3. 2...2025.01.28
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MOSFET 소자 특성 측정2025.05.141. MOSFET 특성 측정 실험을 통해 MOSFET의 Threshold voltage, k_n, g_m 등의 특성을 측정하였다. Threshold voltage는 2.0V와 2.1V 사이의 값을 가지는 것으로 확인되었고, k_n은 0.222A/V^2, g_m은 0.133S로 측정되었다. 또한 drain-source 전압에 따른 drain 전류의 변화를 관찰하여 triode 영역과 saturation 영역에서의 MOSFET 동작 특성을 확인하였다. 다만 전류 측정의 정확도 한계로 인해 k_n과 g_m 값에서 오차가 발생하였고, 출력...2025.05.14
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옥살산의 용해열 측정 실험 보고서2025.11.141. Van't Hoff 방정식과 용해열 Van't Hoff 방정식은 평형상수와 온도의 관계를 나타내는 식으로, 용해도 측정을 통해 용해열을 구하는 데 사용된다. Gibbs-Helmholtz 방정식으로부터 유도되며, 좁은 온도 범위에서 엔탈피 변화(ΔH)가 일정하다고 가정한다. 용해도 S를 평형상수 K 대신 대입하여 적분하면 용해열을 계산할 수 있다. 이 실험에서는 25℃와 35℃에서의 옥살산 용해도를 측정하여 그래프의 기울기로부터 용해열 4.9256 kJ/mol을 구했다. 2. 중화 적정을 통한 용액 표준화 중화 적정은 산-염기 ...2025.11.14
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기기분석 정밀도, 정확도 1강 레포트2025.05.101. 기기분석의 장단점 기기분석의 장점으로는 신속한 응답 시간, 미량 및 초미량 시료 분석 가능, 복잡한 시료 분석 가능, 높은 감도와 신뢰성 있는 측정값 제공 등이 있습니다. 단점으로는 검량이 필수적, 감도와 정확도가 대조기기나 습식 분석법에 따라 변화, 최종 정확도가 ±5%로 제한적, 허용 농도범위의 제한성, 기술 습득에 오랜 시간이 소요, 고가의 기기 구입 및 유지비 등이 있습니다. 2. 검정곡선 작성법 검정곡선 작성법에는 외부표준법, 표준물첨가법, 내부표준법이 있습니다. 외부표준법은 시료의 농도와 지시값의 상관성을 검정곡선 ...2025.05.10
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JFET 특성2025.04.301. JFET JFET은 Junction Field Effect Transistor의 약자로써 접합형 전계효과 트랜지스터를 의미한다. JFET은 전류를 통해 제어하는 BJT와 달리 전압을 조절해 제어하는 소자이며, 또한 Majority carrier와 Minority carrier를 모두 이용하는 BJT와 달리 Majority carrier만 이용하는 Unipolar 소자이다. JFET은 N채널 형과 P채널 형으로 나뉘며, 각각의 단자는 Gate, Drain, Source라는 이름을 가진다. JFET의 작동원리는 Drain과 Sou...2025.04.30
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Young's modulus_예비보고서2025.05.071. Young's Modulus 이 실험에서는 고무 막대에 Stress를 가하고 그에 따른 Strain을 구하여 Stress-Strain 곡선을 도시합니다. Stress-Strain 그래프의 초기 부분 기울기 E를 계산하여 E=3nRT(Mooney-Rivlin equation)으로부터 가교밀도 n을 구합니다. 영률(Young's modulus)은 재료가 얼마나 쉽게 늘어나고 변형되는지를 측정하는 속성입니다. 물체에 힘을 가하면 변형이 일어나며, 이때 Stress와 Strain의 관계에서 E가 탄성 계수로 작용합니다. 따라서 Str...2025.05.07
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물리전자2 과제5: 트랜지스터 Load Line 및 FET 특성2025.11.181. Load Line과 트랜지스터 동작점 Load line은 외부 인가 전압에 따른 출력 전류를 예측하기 위해 필요하다. E = iDR+vD 식의 그래프와 트랜지스터의 I-V 특성곡선을 같은 그래프에 그려 교점을 찾으면 정상상태의 전류와 전압값을 얻을 수 있다. VG 값의 변화에 따라 iD와 vD가 달라지며, VG 증가 시 전류는 증가하고 전압은 감소하여 트랜지스터가 ON되고, VG 감소 시 전류는 감소하여 OFF된다. 2. JFET의 동작 원리 및 Pinch-off JFET는 G 터미널의 바이어스로 제어된다. G에 양의 바이어스...2025.11.18
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다이오드 특성 실험 예비보고서2025.11.171. PN 접합 다이오드 P형과 N형 반도체를 접합시킨 다이오드의 구조와 동작 원리를 설명합니다. 접합면에서 자유전자와 정공의 확산으로 인해 공핍층이 형성되며, 이는 양이온과 음이온으로 이루어진 전하 공백 영역입니다. 순방향 바이어스 시 N형에 음극, P형에 양극을 연결하여 전류가 흐르게 하고, 역방향 바이어스 시 극성을 반대로 연결하여 공핍층을 확대시킵니다. 역방향에서도 소수캐리어에 의한 미소 전류가 흐르게 됩니다. 2. 다이오드 특성곡선 및 문턱전압 실리콘(Si) 다이오드의 문턱전압은 약 0.65V이고 게르마늄(Ge) 다이오드는...2025.11.17
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기계공학실험: 인장 테스트 실험보고서2025.11.141. 인장실험(Tensile Test) 인장실험은 재료에 외부 하중을 가하여 재료의 물리적 특성을 파악하는 실험입니다. 이 실험을 통해 항복점, 항복강도, 인장강도, 연신율, 단면 수축률 등 다양한 값을 얻을 수 있습니다. SS275 재료를 사용하여 100N, 300N, 600N, 900N의 인장 하중과 압축 하중을 적용하여 변형률을 측정하고 응력을 계산했습니다. 실험 결과 하중이 증가할수록 변형률이 증가하는 경향을 보였으며, 계산값과 이론값 사이에 오차가 발생했습니다. 2. 응력-변형률 선도(Stress-Strain Diagram...2025.11.14
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