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피로 시험(Fatigue Test)2025.04.291. 피로 시험 피로 시험의 목적은 재료의 피로 강도를 구하고 기계, 구조물의 형상, 크기, 가공법, 하중을 가하는 방법 등이 피로 강도에 미치는 영향을 조사하기 위해서이다. S-N 곡선은 재료에 반복해서 가해져 파괴시키는 응력의 반복횟수와 그 진폭과의 관계를 나타내는 곡선이다. 피로한도는 응력진폭이 어느 한계치 이하이면 반복수가 아무리 증가하여도 파괴가 생기지 않는 한계치 응력이다. 2. 피로 강도에 미치는 요인 피로 강도에 영향을 미치는 요인으로는 노치효과, 치수효과, 표면효과, 온도영향, 부식효과 등이 있다. 노치효과는 응력 ...2025.04.29
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[전자회로응용] Characteristics of Enhancement MOSFET 결과레포트 (만점)2025.01.281. MOSFET의 I-V curve MOSFET의 I-V curve에서 triode 영역과 saturation 영역을 수식으로 정의하고 물리적 의미를 분석하였습니다. triode 영역에서는 드레인 전류가 선형적으로 증가하며, saturation 영역에서는 드레인 전류가 일정한 값을 유지합니다. 이는 MOSFET의 동작 원리와 관련이 있습니다. 2. 2N7000 소자의 I-V 특성 DC sweep을 이용하여 2N7000 소자의 I-V 특성을 확인하였습니다. 이를 통해 MOSFET의 동작 영역과 특성을 이해할 수 있었습니다. 3. 2...2025.01.28
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MOSFET 소자 특성 측정2025.05.141. MOSFET 특성 측정 실험을 통해 MOSFET의 Threshold voltage, k_n, g_m 등의 특성을 측정하였다. Threshold voltage는 2.0V와 2.1V 사이의 값을 가지는 것으로 확인되었고, k_n은 0.222A/V^2, g_m은 0.133S로 측정되었다. 또한 drain-source 전압에 따른 drain 전류의 변화를 관찰하여 triode 영역과 saturation 영역에서의 MOSFET 동작 특성을 확인하였다. 다만 전류 측정의 정확도 한계로 인해 k_n과 g_m 값에서 오차가 발생하였고, 출력...2025.05.14
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기기분석 정밀도, 정확도 1강 레포트2025.05.101. 기기분석의 장단점 기기분석의 장점으로는 신속한 응답 시간, 미량 및 초미량 시료 분석 가능, 복잡한 시료 분석 가능, 높은 감도와 신뢰성 있는 측정값 제공 등이 있습니다. 단점으로는 검량이 필수적, 감도와 정확도가 대조기기나 습식 분석법에 따라 변화, 최종 정확도가 ±5%로 제한적, 허용 농도범위의 제한성, 기술 습득에 오랜 시간이 소요, 고가의 기기 구입 및 유지비 등이 있습니다. 2. 검정곡선 작성법 검정곡선 작성법에는 외부표준법, 표준물첨가법, 내부표준법이 있습니다. 외부표준법은 시료의 농도와 지시값의 상관성을 검정곡선 ...2025.05.10
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JFET 특성2025.04.301. JFET JFET은 Junction Field Effect Transistor의 약자로써 접합형 전계효과 트랜지스터를 의미한다. JFET은 전류를 통해 제어하는 BJT와 달리 전압을 조절해 제어하는 소자이며, 또한 Majority carrier와 Minority carrier를 모두 이용하는 BJT와 달리 Majority carrier만 이용하는 Unipolar 소자이다. JFET은 N채널 형과 P채널 형으로 나뉘며, 각각의 단자는 Gate, Drain, Source라는 이름을 가진다. JFET의 작동원리는 Drain과 Sou...2025.04.30
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Young's modulus_예비보고서2025.05.071. Young's Modulus 이 실험에서는 고무 막대에 Stress를 가하고 그에 따른 Strain을 구하여 Stress-Strain 곡선을 도시합니다. Stress-Strain 그래프의 초기 부분 기울기 E를 계산하여 E=3nRT(Mooney-Rivlin equation)으로부터 가교밀도 n을 구합니다. 영률(Young's modulus)은 재료가 얼마나 쉽게 늘어나고 변형되는지를 측정하는 속성입니다. 물체에 힘을 가하면 변형이 일어나며, 이때 Stress와 Strain의 관계에서 E가 탄성 계수로 작용합니다. 따라서 Str...2025.05.07
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전자공학실험 9장 MOSFET 기본 특성 A+ 예비보고서2025.01.131. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. 2. NMOS 동작 영역 NMOS의 경우 소스-바디, 드레인-바디 사이에 각각 PN 접합이 형성되어 있고 역방향 바이어스 상태에 있어야 한다. 게이트에 양의 전압이 인가되면 n형 채널이 형...2025.01.13
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교류및전자회로실험 실험9-1 트랜지스터 기초실험 예비보고서2025.01.171. 트랜지스터 트랜지스터는 N형 반도체와 P형 반도체를 NPN 혹은 PNP의 격층구조로 조합한 소자이고, Collector, Emitter, Base라고 하는 세개의 단자가 있다. 트랜지스터의 주단자는 Collector와 Emitter이며, 트랜지스터의 전류는 Collector에서 Emitter로 소자를 관통하여 흐르는 전류 IC를 말한다. 트랜지스터의 특성은 이들 두 변수 사이의 전압-전류 간 관계를 의미하며, base 단의 전류를 변화시킴으로써 특성곡선을 변화시켜 줄 수 있다. 따라서 base는 트랜지스터의 동작을 사용자가 제...2025.01.17
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[전자회로실험] Diode 실험 보고서2025.01.221. 다이오드 다이오드는 이상적인 정류기(ideal rectifier)로써 인가전압의 극성에 따라 0의 저항 혹은 무한대의 저항을 갖는 반도체 소자이다. 즉, 한 방향으로만 전류가 흐르게 제어하여 전자회로를 구성하는 핵심 소자 중 하나이다. 다이오드가 이러한 특성을 갖게 되는 반도체 수준의 원리를 알아보고, 이 특성을 이용하여 여러 방법으로 회로를 구성하여 다이오드가 전류를 정류하는 매커니즘을 익힌다. 더 나아가 회로 구성에서 다이오드의 필요성과 중요성, 다양한 응용 방법을 다룬다. 2. 반도체 이론 실리콘 원자는 전자구조를 가지고...2025.01.22
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사이리스터 예비보고서2025.01.101. 사이리스터 동작 사이리스터는 p-n-p-n 4층 구조의 반도체 소자로, 특수한 반도체 정류 소자입니다. 게이트에서 일정한 전류를 흘리면 아노드와 캐소드 사이가 통전(턴 온)하여 그대로 통전 상태를 유지합니다. 통전 상태를 정지(턴 오프)시키려면 아노드와 캐소드 사이의 전류를 일정 값 이하로 낮출 필요가 있습니다. 이러한 특징을 이용하여 한번 통전 상태로 전환하면 통과 전류가 영(0)이 될 때까지 그 통전 상태를 유지할 필요가 있는 용도에 사용되고 있습니다. 2. 사이리스터의 장점 및 활용 사이리스터의 장점은 고전압 대전류의 제...2025.01.10
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