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CMOS 정리2025.11.131. CMOS 기술 CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)는 반도체 집적회로 제조 기술로, 상보형 금속산화막 반도체를 의미합니다. 낮은 전력 소비, 높은 집적도, 우수한 노이즈 특성을 특징으로 하며, 현대 마이크로프로세서, 메모리, 이미지 센서 등 다양한 전자기기에 광범위하게 적용되고 있는 핵심 반도체 기술입니다. 2. 반도체 공정 반도체 공정은 실리콘 웨이퍼 위에 회로를 형성하는 일련의 제조 과정입니다. CMOS 공정은 NMOS와 PMOS 트랜지스터를 동시에 제작하여 상보형 구조를 만들며...2025.11.13
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CMOS와 CCD의 장단점과 카메라 제조사의 선택2025.01.221. CCD 이미지 센서 CCD 이미지 센서는 오랜 시간 동안 고급 카메라 시스템에서 널리 사용되어 온 기술입니다. CCD의 가장 큰 장점은 뛰어난 이미지 품질입니다. CCD는 빛을 받아들인 후 전자 신호를 한 번에 처리하기 때문에 픽셀 간의 균일도가 높고, 결과적으로 노이즈가 적습니다. 특히, 저조도 환경에서도 고품질의 이미지를 얻을 수 있다는 점에서 전문가들에게 선호됩니다. 또한, CCD는 높은 다이내믹 레인지(dynamic range)를 제공하여 빛의 양이 극단적으로 차이나는 환경에서도 정교한 표현이 가능합니다. 그러나 CCD...2025.01.22
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CCD와 CMOS의 장점과 단점은 각각 무엇인지를 서술 하세요2025.01.271. 이미지센서 요즘 카메라 없는 휴대폰을 찾아보기가 힘들다. 또한 컴퓨터 network에 의한 통신의 발전에 따라, 각종 화상 data의 용도가 점점 다양해지고 있다. 광학 렌즈를 통해 이미지 센서 chip 수광면에 영상이 맺히면, 이미지 센서의 표면에 있는 각 화소에 들어온 빛을 감지해서, 각 화소에 들어온 빛의 세기에 비례한 전기적 신호를 차례대로 출력한다. 이 전기적 신호를 처리해서 영상을 재생하거나, 전송 또는 저장을 하는 것이다. 2. CCD와 CMOS 이미지센서는 구조에 따라 크게 CCD(전하결합소자, Charge Co...2025.01.27
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반도체 공정 기술 및 메모리 소자 종합 분석2025.11.181. 반도체 전공정(FEP) 기술 반도체 공정의 전공정은 트랜지스터, DRAM, 플래시 메모리 등 다양한 소자 제조에 필수적이다. 웨이퍼 기판, 표면 준비, 박막 형성, 플라즈마 식각 등의 기술이 포함되며, 무어의 법칙에 따른 소자 축소로 인해 새로운 재료와 공정 기술의 도입이 필요하다. 특히 고-k 유전체와 금속 게이트 도입, SOI 웨이퍼 활용, 응력 제어 등이 주요 기술 과제이다. 2. 플래시 메모리 기술 플래시 메모리는 비휘발성 메모리로 NAND형과 NOR형으로 구분된다. NAND형은 직렬 연결으로 고집적도와 빠른 쓰기/지우...2025.11.18
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인하대 VLSI 설계 2주차 CMOS Process flow diagram 등 이론 수업 과제2025.05.031. CMOS Process flow diagram CMOS Process flow diagram을 다시 그려보고 설명하였습니다. CMOS 공정 흐름도를 통해 실리콘 칩 제조 과정을 자세히 살펴보았습니다. 모래에서 실리콘을 추출하고 잉곳을 만들어 웨이퍼를 제작하는 과정부터 포토리소그래피, 이온 주입, 에칭, 게이트 형성, 금속 증착 등 복잡한 공정 단계를 거쳐 최종적으로 완성된 프로세서를 만드는 과정을 이해할 수 있었습니다. 2. Intel 온라인 마이크로프로세서 박물관 Intel 온라인 마이크로프로세서 박물관을 방문하여 실리콘 칩...2025.05.03
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반도체 부품 장비 융합 개론 - 노트정리 & 기출문제 포함2025.01.181. 반도체 기본 특성 반도체의 기본적인 특성에 대해 설명하고 있습니다. 마이크로 패브리케이션 공정을 활용한 집적회로, MEMS 센서, 태양광 패널 등의 예시를 제시하고 있습니다. in-plane과 out-of-plane의 차이, 트랜지스터의 발전, 무어의 법칙, 반도체 8대 공정 등을 다루고 있습니다. 또한 클린룸 시설의 중요성과 기준, 실리콘 웨이퍼 직경 증가 추세와 그에 따른 이슈 등을 설명하고 있습니다. 2. 3D 반도체 트렌드 집적도를 높이기 위해 웨이퍼 표면에 수직방향으로 소재를 쌓아올리는 3D 반도체 기술에 대해 설명하...2025.01.18
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전자회로실험 설계2 결과보고서2025.05.091. CMOS 특성 확인 실험 1에서는 NMOS 트랜지스터의 특성을 확인하였다. V_DS를 고정하고 V_GS에 따른 I_DS의 선형성을 살펴보았으며, 문턱 전압 V_TH를 측정하고 cut-off region, saturation region, triode region에서의 동작을 관찰하였다. 또한 실험 결과를 통해 μ_n C_ox W/L와 λ_n을 도출하였다. 2. NMOS 기반 증폭기 설계 실험 2에서는 NMOS 특성과 파라미터를 이용하여 전압 이득이 2 이상인 common source 증폭기 회로를 설계하였다. 입력 신호의 진폭...2025.05.09
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디지털 VLSI 설계: Dynamic CMOS 회로 설계 및 시뮬레이션2025.11.161. Dynamic CMOS 회로 설계 Dynamic CMOS는 PMOS 풀-업 네트워크와 NMOS 풀-다운 네트워크로 구성된 논리 회로이다. 클록 신호가 0일 때 PMOS가 활성화되어 출력이 1로 충전되고, 클록 신호가 1일 때 NMOS 풀-다운 네트워크가 활성화되어 입력 신호에 따라 출력이 결정된다. Dynamic CMOS는 정적 CMOS와 달리 클록 신호에 의존하므로 타이밍 특성이 중요하며, 직렬 연결 시 특별한 주의가 필요하다. 2. HSPICE 시뮬레이션 및 검증 HSPICE를 이용하여 Dynamic CMOS 회로의 동작을...2025.11.16
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디지털집적회로 inverter 설계도 및 시뮬레이션 결과2025.04.281. CMOS 인버터 설계 CMOS 인버터는 다른 유형의 인버터에 비해 노이즈 마진이 넓고 전력 소비가 낮아 집적 회로 설계의 기반이 되고 있습니다. 이 프로젝트에서는 CMOS 인버터를 선택하여 설계하고 시뮬레이션을 수행했습니다. PMOS와 NMOS의 크기 비율을 변경하여 스위칭 임계 전압과 전파 지연 시간을 분석했습니다. 2. DC 분석 DC 분석에서는 스위칭 임계 전압(Vs)을 계산하고 PMOS/NMOS 크기 비율에 따른 변화를 확인했습니다. PMOS/NMOS 크기 비율이 1.4335일 때 Vs는 VDD/2보다 낮았고, 1일 때...2025.04.28
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전자재료물성 실험 및 설계 2 - BJT 및 MOSFET 특성2025.11.181. BJT(양극성 접합 트랜지스터)의 전기적 특성 BJT는 전류 제어용 소자로 PNP, NPN 구조로 나뉜다. 세 개의 전극(이미터, 베이스, 컬렉터)으로 구성되며, 베이스 전류에 의해 컬렉터 전류가 제어된다. BJT는 차단영역, 활성영역, 포화영역, 역활성영역의 네 가지 동작영역을 가지며, 활성영역에서 증폭 기능을 수행한다. 온도 증가에 따라 캐리어 수가 증가하여 전기전도도가 증가하고 문턱전압이 낮아진다. 2. BJT 증폭기 회로의 종류 및 특성 BJT 증폭기는 접지 위치에 따라 공통 이미터(CE), 공통 베이스(CB), 공통 ...2025.11.18
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