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실험 9. CE 회로의 특성 실험2025.05.111. CE 회로의 특성 실험을 통해 CE 회로의 IB와 Ic 사이의 관계를 이해하고, 측정된 데이터를 이용해 β(dc)를 계산할 수 있었다. 또한 BJT의 특성 곡선을 구하고 β(dc)와 α(dc)의 관계식을 이해하고 유도할 수 있었다. 2. 공통 이미터 회로 공통 이미터 회로에서는 트랜지스터의 이미터 단자가 입력과 출력에서 공통 단자로 사용된다. 이 회로 구조에서 베이스가 입력 단자 역할을 하고 컬렉터가 출력 단자 역할을 수행한다. 직류 베이스 바이어스 전압은 트랜지스터의 베이스를 통해 흐르는 베이스 전류 IB를 결정하고, IB는...2025.05.11
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 22 연산 증폭기 특성)2025.01.291. 연산 증폭기 특성 연산 증폭기(op-amp)는 두 입력 단자 간의 전압 차이를 증폭하여 출력으로 전달하는 고이득 전압 증폭기이다. 이 연산 증폭기는 다양한 회로 구성에 따라 반전 증폭기, 비반전 증폭기, 차동 증폭기 등으로 활용될 수 있으며, 각 회로는 저항 및 피드백 요소를 추가하여 원하는 특성에 맞게 출력 전압을 조정할 수 있다. 2. 공통 모드 전압 범위 연산 증폭기의 입력 공통 모드 전압 범위를 측정하여 표 22-1에 기록하였다. 입력의 공통 모드 전압을 변화시키면서, 연산 증폭기의 DC 전류가 일정하게 흐르고 출력의 ...2025.01.29
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전자회로(개정4판) - 생능출판, 김동식 지음 / 9장 연습문제 풀이2025.01.021. 증폭기의 주파수 응답 입력 회로, 출력 회로, 바이패스 회로의 임계주파수를 계산하고, 고주파 입력 회로와 고주파 출력 회로의 임계주파수를 구하였습니다. 또한 대역폭, 이득 대역폭 곱 등을 계산하였습니다. 2. 밀러 정리 밀러 정리를 적용하여 고주파 등가회로를 구현하고, 입력 커패시턴스를 계산하였습니다. 3. 전압이득과 전력이득 전압이득과 전력이득의 차이를 설명하고, 데시벨로 표현하는 방법을 제시하였습니다. 1. 증폭기의 주파수 응답 증폭기의 주파수 응답은 증폭기가 입력 신호의 주파수에 따라 어떻게 증폭하는지를 나타내는 중요한 ...2025.01.02
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A+맞은_전기전자기초실험2_일반실험8_결과보고서_BJT전압-전류특성,(degenerated)common emitter2025.05.101. BJT 전류-전압 특성 실험을 통해 BJT의 전류-전압 특성을 분석하였다. 이론적 계산과 모의실험 결과를 실험 결과와 비교하여 BJT의 동작 특성을 확인하였다. 베이스 전류가 증가함에 따라 콜렉터 전류가 선형적으로 증가하는 것을 확인하였고, 이론적 계산 값과 실험 결과가 유사함을 확인하였다. 2. Common Emitter 증폭회로 Common Emitter 증폭회로의 동작을 이론적으로 계산하고 모의실험을 통해 검증하였다. 베이스 저항 값에 따라 최대 전압 이득을 얻을 수 있는 콜렉터 저항 값을 찾았으며, 실험 결과와 비교하여...2025.05.10
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콜렉터 공통 증폭기 및 다단 증폭기 특성2025.01.141. 콜렉터 공통 증폭기 콜렉터 공통 증폭기(common-collector amplifier)는 입력 신호가 베이스에 가해지고 출력 신호는 이미터에서 얻어집니다. 이 증폭기는 전압 이득이 거의 1에 가깝지만 전류 및 전력 이득은 1보다 큰 값을 가집니다. 또한 높은 입력 임피던스와 낮은 출력 임피던스를 특징으로 합니다. 이번 실험에서는 오실로스코프를 통해 전압만을 측정했으므로 전압 이득을 구할 수 있었습니다. 2. 다단 증폭기 다단 증폭기(Cascaded Amplifier)는 여러 개의 증폭기 단을 직렬로 연결하여 높은 전압 이득,...2025.01.14
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전자회로실험_A+레포트_BJT Common Emitter, Common Collector2025.01.131. NPN, PNP형 BJT 공통 이미터 증폭기 NPN, PNP형 BJT를 사용한 공통 이미터 증폭기의 회로 구성과 동작을 확인하였다. NPN형 BJT 공통 이미터 증폭기에서 동작점 전류는 IBQ 0.05 μA, ICQ 18.60 mA이고, VBEQ 1.960 V, VCEQ 12.98 V로 측정되었다. 전압이득 α는 0.99로 1에 가까운 값이 나왔다. 공통 이미터 증폭기는 부하저항이 높기 때문에 전류 증폭보다는 전압 증폭으로 사용한다. 2. NPN, PNP형 BJT 공통 컬렉터 증폭기 NPN, PNP형 BJT를 사용한 공통 컬렉...2025.01.13
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 7 이미터 팔로워)2025.01.291. 이미터 팔로워 회로 이미터 팔로워 회로는 베이스에 입력된 신호가 이미터로 전달되며, 출력 신호는 입력 신호와 같은 위상을 가지지만 전압 이득이 거의 1인 특징을 갖는 회로입니다. 이 회로는 주로 전류 이득을 높이기 위해 사용되며, 출력 임피던스를 낮추고 입력 임피던스를 높이는 데 유리합니다. 2. 전압 이득 이미터 팔로워 회로의 전압 이득은 1에 매우 가깝습니다. 이는 출력 전압이 입력 전압을 거의 그대로 따라간다는 뜻이며, 위상 반전이 발생하지 않습니다. 3. 입력 임피던스 입력 임피던스는 매우 크습니다. 입력 임피던스는 베...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 12 소오스 팔로워)2025.01.291. 소오스 팔로워 회로 소오스 팔로워 회로는 전압 버퍼로도 불리며, 입력 신호를 증폭하지 않고 동일한 위상의 신호를 출력하지만, 출력 저항을 낮추고 전류를 증폭하는 역할을 한다. 이 회로의 주요 특성은 입력과 출력의 관계, 전압 이득, 출력 저항 감소, 전류 이득 등이다. 2. 소오스 팔로워 회로의 실험 결과 실험을 통해 R_S 값이 MOSFET의 동작 점과 회로의 전류 흐름에 중요한 역할을 한다는 점을 확인할 수 있었다. 또한 입력 전압 변화에 따른 출력 전압 변화를 측정하여 소오스 팔로워의 전압 이득이 거의 1에 가까운 것을 ...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 11 공통 소오스 증폭기)2025.01.291. 공통 소오스 증폭기 회로 공통 소오스 증폭기 회로에서 입력(v_t)은 게이트-소오스 전압(V_GS)이고, 출력(v_o)은 드레인-소오스 전압(V_DS)이다. 게이트-소오스 사이의 소신호 입력 전압에 비례하는 전류가 드레인에 흐르고, 이 전류가 출력 쪽의 저항 R_D에 의해 전압으로 변환되면서 전압을 증폭시킨다. 바이어스 회로를 포함한 공통 소오스 증폭기 회로에서 R_1, R_2, R_S는 게이트에 적절한 바이어스 전압을 제공해 MOSFET이 활성 영역(포화 영역)에서 동작하도록 한다. 2. 공통 소오스 증폭기의 입력-출력 특성...2025.01.29
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기초전자실험 - 23장 달링턴 및 캐스코드 증폭기 회로2025.04.301. 달링턴 회로 달링턴 회로는 두 개의 BJT 트랜지스터를 하나의 IC 패키지 내에 제공한다. 달링턴 회로의 베타 실효값(beta_D)은 각 트랜지스터 베타 값의 곱과 같다. 달링턴 이미터 폴로어는 일반 이미터 폴로어에 비해 높은 입력 임피던스를 가지고 있다. 달링턴 이미터 폴로어의 입력 임피던스는 R_B * (beta_D * R_E)로 주어진다. 달링턴 이미터 폴로어의 출력 임피던스는 r_e이며, 전압 이득은 (R_E) / (R_E + r_e)와 같다. 2. 캐스코드 회로 캐스코드 회로는 Q_1을 이용한 공통 이미터 증폭기가 Q...2025.04.30
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