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전자회로실험 A+ 5주차 결과보고서(Bipolar Junction Transistor Characterization)2025.05.101. Bipolar Junction Transistor (BJT) BJT는 1948년 윌리엄 쇼클리에 의해 발명되었으며, 최초로 대량 생산된 트랜지스터입니다. BJT의 물리적 특성을 이해하는 것은 그 동작과 응용을 이해하는 데 핵심적입니다. 이 실험에서는 BJT의 4가지 동작 영역을 탐구하고 DC 전류 이득, Early 전압과 같은 특성값을 결정합니다. 실험에 사용된 트랜지스터는 NPN 소자인 2N3904입니다. 2. BJT 동작 영역 분석 실험에서는 VB와 VC를 변화시키면서 IC, β 등을 측정하여 BJT의 동작 영역을 확인했습...2025.05.10
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교류및전자회로실험 실험10-1_트랜지스터 증폭회로1 결과보고서2025.01.201. 트랜지스터 증폭회로 실험을 통해 트랜지스터에 의한 소신호 증폭회로의 기본이 되는 common emitter 증폭회로를 만들어보고 그 동작을 확인함으로써 트랜지스터 증폭회로의 이해를 높였다. 이를 통해 바이어스의 개념과 적절한 바이어스에 의한 동작점의 설정, 교류등가회로, 입출력 임피던스가 갖는 의미를 이해할 수 있었다. 2. 동작점 분석 실험 결과를 통해 트랜지스터의 컬렉터, 에미터, 베이스 단자의 전위를 측정하고 이로부터 동작점을 결정할 수 있었다. 예상값과 실제 측정값 간의 오차가 크지 않아 동작점 설정이 잘 이루어졌음을 ...2025.01.20
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전자공학실험 5장 BJT 바이어스 회로 A+ 결과보고서2025.01.151. BJT 바이어스 회로 BJT를 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 BJT를 이용한 증폭기의 DC동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해 알아보고, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. 실험 절차 및 결과 실험회로 1에서 VBB 값이 1.5V, RBB 저항값이 4kΩ, RC는 vo의 DC 값이 6V가 되도록 하는 저항값으로 둔다. 컬렉터 전압이 ...2025.01.15
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A+ 전자회로설계실습_Oscillator 설계2025.01.211. OP-Amp를 이용한 Oscillator 설계 이 실습에서는 OP-Amp를 이용한 Oscillator(신호발생기)를 설계하고 측정하여 positive feedback의 개념을 파악하고, 피드백 회로의 parameter 변화에 따른 신호 파형을 학습합니다. 주어진 조건에서 T1=T2=0.5ms가 되도록 Oscillator 회로를 설계하고, PSPICE 시뮬레이션을 통해 출력 전압(vo), 반전 입력 전압(v-), 비반전 입력 전압(v+)의 파형을 확인합니다. 또한 T1, T2, 문턱 전압 VTH, VTL의 값을 측정합니다. 설계...2025.01.21
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핵심이 보이는 전자회로실험 BJT의 바이어스 회로2025.05.161. NPN형 BJT의 전압분배 바이어스 회로 NPN형 BJT의 전압분배 바이어스 회로를 시뮬레이션하고 측정하여 동작점 전류와 전압을 분석하였습니다. 컬렉터 저항 R_C 값이 증가함에 따라 동작점이 0에 가까워지는 것을 확인하였습니다. 2. PNP형 BJT의 전압분배 바이어스 회로 PNP형 BJT의 전압분배 바이어스 회로를 시뮬레이션하고 측정하여 동작점 전류와 전압을 분석하였습니다. 컬렉터 저항 R_C 값이 증가함에 따라 동작점이 0에 가까워지는 것을 확인하였습니다. 3. NPN형 BJT의 자기 바이어스 회로 NPN형 BJT의 자기...2025.05.16
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Non-Linear OP Amp (파형발생기)-결과보고서2025.05.071. OP Amp의 비선형 동작 특성 OP Amp의 비선형 동작 특성을 이용하는 적분기, 파형 발생기 등의 동작 특성을 이해하고 OP Amp를 이용하여 구형파 및 삼각파를 만들어 보는 실험을 수행했습니다. 실험 결과 시뮬레이션과 실험 결과가 유사하였으나 가변저항의 정확한 조절이 어려워 일부 오차가 발생했습니다. 저항과 커패시터 값을 변화시켜 주파수와 출력 크기를 조절하는 실험을 진행하였고, 대체로 시뮬레이션 결과와 유사한 결과를 얻을 수 있었습니다. 2. 구형파 및 삼각파 발생기 회로 OP Amp를 이용하여 구형파 및 삼각파를 발생...2025.05.07
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BJT 바이어스 회로의 동작점 분석 및 특성 비교2025.11.161. BJT 동작 영역 바이폴라 접합 트랜지스터는 차단, 활성, 포화의 3가지 영역으로 동작한다. 차단영역은 Emitter와 Base 사이에 역방향 전압을 공급하여 전류 흐름이 없는 상태이고, 활성영역은 Base-Emitter 간 순방향, Base-Collector 간 역방향 전압으로 선형 증폭이 가능하며, 포화영역은 모두 순방향 바이어스되어 스위치 완전 ON 상태가 된다. 증폭기로 사용되려면 활성영역의 중간에서 동작하도록 바이어스를 설정해야 한다. 2. 고정 바이어스 회로 가장 기초적인 바이어스 방법으로 베이스 전류는 회로의 전압...2025.11.16
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전압 체배회로 동작 원리 및 특성 분석2025.11.141. 전파 전압 체배회로 전파 전압 체배회로는 입력 정현파의 피크전압 Vp에 대해 Vin<0일 때 D1이 OFF, D2가 ON되어 C2에 Vp만큼 충전되고, Vin>0일 때 D2가 OFF, D1이 ON되어 C1에 Vp만큼 충전된다. 결과적으로 VA = VC1 + VC2 = 2Vp의 DC 전압을 출력한다. R1은 과전류로부터 정류기를 보호하며, C3와 RB는 리플을 감소시킨다. 2. 반파 전압 체배회로 반파 전압 체배회로는 입력 정현파의 피크전압 Vp에 대해 Vin<0일 때 D1이 OFF 상태를 유지하고, Vin>0일 때 D1이 ON...2025.11.14
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MOSFET 기본 특성 및 MOSFET 바이어스 회로 실험 결과 보고서2025.01.291. MOSFET 기본 특성 실험 9에서 NMOS의 문턱 전압이 양수이고 PMOS의 문턱 전압이 음수인 이유를 설명하였습니다. NMOS는 소스와 드레인을 n-type을 사용하고 전류를 흐르게 하는 carrier가 전자이므로 채널에 전류가 흐르려면 문턱 전압이 양수여야 합니다. PMOS에서는 소스와 드레인을 p-type을 사용하고 전류를 흐르게 하는 carrier가 hole이므로 채널에 전류가 흐르려면 NMOS의 역전압이 걸려야 하므로 PMOS의 문턱 전압은 음수여야 합니다. 따라서 NMOS를 낮은 전압 쪽에, PMOS를 높은 전압 ...2025.01.29
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 10_Oscillator 설계2025.01.111. Oscillator 설계 이 보고서는 전자회로 설계 실습의 일환으로 Oscillator 회로를 설계하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 OrCAD PSPICE를 사용한 Oscillator 회로 설계, Feedback factor (β)와 Feedback 저항 (R)의 영향 분석 등이 포함되어 있습니다. 설계한 Oscillator 회로의 동작 원리와 파형 분석 결과가 자세히 설명되어 있습니다. 1. Oscillator 설계 Oscillator 설계는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 부분입니다. 정확한 주파수와 ...2025.01.11
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