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반도체 산업/공정의 이해2025.04.281. 반도체 산업 메모리 반도체 산업의 경우 성장가능성이 크고, 국내에서는 주요 대기업이 사업을 영위하기에 회계적인 리스크가 적어서, 재고자산에서 회계적인 이슈가 발생할 가능성이 매우 낮음. 그러나 고객사의 재고와 공급사의 재고에 따라 협상력이 결정될 수 있기 때문에 재고자산의 추이(변동)를 살펴보는 것이 중요하며, 이를 통해 가격 움직임을 파악할 수 있다. 반도체 제조의 특징은 제품을 만드는데 소요시간이 길고, 반도체 생산 설비에 원재료가 한번 투입되기 시작하면 계속해서 반도체 설비 안에서 여러 공정이 연속적으로 진행되며 한번에 ...2025.04.28
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반도체 8대 공정(전공정, 후공정)의 이해2025.01.021. 반도체 제조 공정 반도체 제조 과정은 약 700~800개의 단위 공정을 거치며, 주요 공정으로 노광, 증착, 식각, 세정, 공정제어, 패키징 등 8대 공정이 있다. 노광 공정에서는 감광제를 이용해 회로를 그리고, 증착 공정에서는 박막을 쌓아 올리며, 식각 공정에서는 불필요한 부분을 제거한다. 세정 공정은 오염물을 제거하고, 공정제어는 공정 변수를 조절하여 원하는 상태를 유지한다. 마지막으로 패키징 공정에서는 반도체 칩을 보호하고 전기적 특성을 검사한다. 2. 반도체 장비 및 소재 반도체 제조에는 다양한 장비와 소재가 사용된다....2025.01.02
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반도체공정개론 (반도체공학 이론 전량 필기본)2025.05.111. 반도체 제조 공정 반도체 제조 공정에 대한 전반적인 내용을 다루고 있습니다. IC 제작 공정, 클린룸 기본, 웨이퍼 처리 공정, 박막 증착, 포토리소그래피, 식각, 이온주입, 열처리 등 반도체 제조에 필요한 다양한 공정 단계를 설명하고 있습니다. 2. 반도체 소자 구조 및 특성 반도체 소자의 구조와 특성에 대해 다루고 있습니다. MOSFET, BJT, DRAM 등 주요 반도체 소자의 구조와 동작 원리, 특성 등을 설명하고 있습니다. 또한 SOI, 스트레인 실리콘 등 최신 반도체 기술도 소개하고 있습니다. 3. 열처리 공정 반도...2025.05.11
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반도체 8대 공정 정리2025.01.161. 웨이퍼 제조 반도체 웨이퍼 제조 공정은 다결정 실리콘을 석영 도가니에 채워 넣는 폴리실리콘 스태킹 공정부터 시작하여, 잉곳 성장, 와이어 쏘잉, 에지 그라인딩, 래핑, 식각, 폴리싱 등 총 15개의 세부 공정으로 이루어져 있다. 이 과정을 통해 실리콘 웨이퍼를 제조하고 청정도와 평탄도를 확보한다. 2. 산화 공정 산화 공정은 실리콘 웨이퍼 표면에 산화막을 형성하는 공정으로, 열산화 방식과 화학적 증착 방식이 있다. 열산화 공정은 웨이퍼 클리닝, 열산화, 두께 검사 등의 단계로 진행된다. 산화막은 소자 간 절연, 게이트 절연막,...2025.01.16
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반도체 공정 term project2025.05.101. DC/RF sputtering 스퍼터링은 Chamber내에 공급되는 가스에서 발생되는 전자 사이의 충돌로부터 시작된다. 그 과정을 보면 Vacuum Chamber내에 Ar gas와 같은 불활성기체를 약 2~5mTorr 넣는다. 음극에 전압을 가하면 음극에서부터 방출된 전자들이 Ar기체원자와 충돌하여, Ar을 이온화시킨다. Ar이 들뜬 상태가 되면서 전자를 방출하면, 에너지가 방출되며 이때 글로우방전이 발생하여 이온과 전자가 공존하는 보라색의 플라즈마를 보인다. 플라즈마 내의 이온은 큰 전위차에 의해 음극인 target쪽으로 가...2025.05.10
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반도체 취업] 8대공정 간단 정리 및 추가 개념 상세 설명2025.01.181. 반도체 제조 공정 반도체 제조 공정은 크게 웨이퍼 제조, 전공정, 후공정으로 나뉩니다. 웨이퍼 제조 공정에서는 실리콘 웨이퍼를 만들고, 전공정에서는 웨이퍼 위에 회로를 형성하며, 후공정에서는 테스트와 패키징을 진행합니다. 8대 핵심 공정은 산화, 포토, 식각, 박막증착, 금속배선, 전기적 테스트, 패키징 등입니다. 각 공정에서는 다양한 기술이 활용되며, 최근 EUV 리소그래피, ALD 등의 기술이 도입되고 있습니다. 2. 포토리소그래피 공정 포토리소그래피 공정은 반도체 소자의 집적도를 높이는 핵심 공정입니다. 이 공정에서는 마...2025.01.18
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금오공대 신소재 반도체공정 시험 정리2025.01.271. 반도체 재료 Ge / Si Ge은 최초로 반도체에 사용한 물질로 Si보다 캐리어의 mobility가 높아 성질이 우수하지만, 성능이 금방 저하된다. Ge의 산화는 Si보다 빨라 산화로 인해 물질과 성질의 변형으로 오랜 사용이 불가능하므로 외부 요인에 의한 영향이 큰 Ge보다 Si을 사용하기 시작한 것이다. Si은 Ge보다 안정성이 좋아 표면에서 산소와 결합하여 SiO2층을 형성하여 성능이 꾸준히 유지 된다는 점과 흔하다는 장점이 있다. 또한, 전하 운반자 제어가 쉬워 도핑하기가 쉬우며 산소와 질소에 안정적이므로 기판 물질로 잘...2025.01.27
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반도체공정 과제2025.05.101. Comparison of conventional MOSFET and Fin FET MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)은 4개의 단자(source, drain, gate, 기판의 접지)로 구성되어 있으며 금속-산화물-반도체 구조로 이루어져 있습니다. 평면(2D) 구조를 가지고 있습니다. FinFET(Fin Field Effect Transistor)은 트랜지스터 모양이 물고기 지느러미를 닮아 붙여진 이름입니다. MOSFET의 집적도를 높이기 위해 채널 길이를 줄...2025.05.10
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반도체 제조 공정 웨이퍼 크기와 수율2025.01.131. 웨이퍼 크기 증가의 장점 웨이퍼 크기를 키우면 한 장의 웨이퍼에서 더 많은 칩을 생산할 수 있어 장비 당 생산성이 증가하고 공정 비용과 시간을 줄일 수 있다. 또한 웨이퍼 모서리 부분의 칩 비율이 증가하여 생산성이 향상되며, 장비에 노출되는 정도가 같은 칩이 많아져 유사한 성능의 칩이 많이 생산된다. 2. 웨이퍼 크기 증가의 어려움 웨이퍼 크기를 12인치에서 18인치로 늘리는 것은 기술적 문제와 진영 간 갈등으로 인해 아직 진행되지 못하고 있다. 18인치 웨이퍼를 위한 새로운 장비 개발과 기존 라인 교체, 웨이퍼 열적 안정성 ...2025.01.13
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[반도체공정]Immersion Lithography 포토리소그래피공정 개념, 원리, 효과 정리2025.05.021. Immersion Lithography Immersion Lithography는 반도체 미세회로 공정에서 45 나노미터 이하의 회로 공정에 사용되는 기술입니다. 이 기술은 렌즈와 웨이퍼 표면 사이의 공간을 굴절률이 큰 액체(물)로 대체하여 Photolithography의 분해능을 개선시킵니다. 분해능은 Lithography의 성능을 결정하는 중요한 요소이며, 분해능이 작을수록 더 미세한 회로 패턴을 구현할 수 있습니다. Immersion Lithography를 통해 분해능과 초점심도가 향상되며, 렌즈의 열 문제도 어느 정도 해...2025.05.02
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