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숭실대학교 신소재공학실험2 Oxidation 공정 결과보고서2025.01.211. ALD를 통한 TiO2 박막 형성 실험에서는 ALD 공정을 통해 p-type Si 기판과 p++-type Si 기판에 TiO2 박막을 형성하였다. 기판의 도핑 농도에 따라 증착된 박막의 두께가 달랐는데, 도핑이 적은 p-Si 기판에 비해 도핑이 많은 p++-Si 기판에서 상대적으로 박막이 얇게 형성되었다. 이는 도핑이 TiO2의 확산을 방해하거나 충돌을 유발하기 때문인 것으로 분석된다. 2. TiO2 박막 두께 측정 TiO2 박막의 두께는 Ellipsometry와 XRF 장비를 사용하여 측정하였다. 두 장비의 측정 원리가 다르...2025.01.21
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스퍼터링(Sputtering) 이론레포트2025.05.081. 스퍼터링 기법의 장점 스퍼터링 기법은 CVD 기법에 비해 저온 증착이 가능하며, 열에 약한 물질이나 고융점 물질에도 쉽게 박막을 형성할 수 있다. 또한 넓은 면적에서 균일한 두께의 박막 증착이 가능하고, 박막 두께 조절이 쉬우며 성분 조절이 용이하다. 하향 증착과 수평 방향 증착이 가능하고, 진공 증착 기법에 비해 박막의 순도가 높다. 2. 스퍼터링 기법의 단점 스퍼터링 기법의 단점은 증착 속도가 다소 느리고, Ar 이온이 타겟 표면과 화학 반응을 하여 화합물 층을 형성할 수 있어 증착 속도에 영향을 줄 수 있다. 또한 고전압...2025.05.08
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반도체 공정 term project2025.05.101. DC/RF sputtering 스퍼터링은 Chamber내에 공급되는 가스에서 발생되는 전자 사이의 충돌로부터 시작된다. 그 과정을 보면 Vacuum Chamber내에 Ar gas와 같은 불활성기체를 약 2~5mTorr 넣는다. 음극에 전압을 가하면 음극에서부터 방출된 전자들이 Ar기체원자와 충돌하여, Ar을 이온화시킨다. Ar이 들뜬 상태가 되면서 전자를 방출하면, 에너지가 방출되며 이때 글로우방전이 발생하여 이온과 전자가 공존하는 보라색의 플라즈마를 보인다. 플라즈마 내의 이온은 큰 전위차에 의해 음극인 target쪽으로 가...2025.05.10
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금오공대 신소재 박막공학 기말고사 범위 정리2025.01.271. 진공 기초 및 진공 시스템 진공은 기체 분자의 밀도가 대기압보다 낮은 상태를 의미한다. 진공 펌프는 러핑 펌프와 고진공 펌프로 구분되며, 러핑 펌프는 건식 메커니컬 펌프와 송풍기/부스터 펌프로 나뉜다. 고진공 펌프에는 터보분자펌프와 크라이오펌프가 있다. 터보펌프는 기계적 압축 원리로 작동하며, 크라이오펌프는 고진공과 최고진공 범위에서 펌핑 작용을 할 수 있다. 2. 화학 기상 증착법(CVD) 화학 기상 증착법은 가스 혼합물의 화학적 반응을 통해 기판 위에 고체 박막을 증착하는 공정이다. 균질 반응과 비균질 반응으로 구분되며, ...2025.01.27
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[박막공학실험]이온스퍼터링과 탄소코팅2025.05.021. 진공증착법 진공증착법은 진공 중에서 박막을 만들려는 대상 물질을 가열하여 증발시키고, 그 증기를 기판 위에 부착시키는 방법이다. 진공증착은 장치 구성이 간단하고 많은 물질에 쉽게 적용할 수 있으며 물성 연구에 적합하지만, 접착력이 약하고 재현성이 나쁜 단점이 있다. 2. 이온스퍼터링 이온스퍼터링은 고에너지 이온을 음극 물질에 충돌시켜 원자를 떼어내고, 그 원자들이 기판에 증착되어 박막을 형성하는 방법이다. 스퍼터링법은 진공증착과 달리 증착 물질에 직접 운동량을 전달하여 증착이 이루어진다. 3. FE-SEM 전계방사형 전자현미경...2025.05.02
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반도체 취업] 8대공정 간단 정리 및 추가 개념 상세 설명2025.01.181. 반도체 제조 공정 반도체 제조 공정은 크게 웨이퍼 제조, 전공정, 후공정으로 나뉩니다. 웨이퍼 제조 공정에서는 실리콘 웨이퍼를 만들고, 전공정에서는 웨이퍼 위에 회로를 형성하며, 후공정에서는 테스트와 패키징을 진행합니다. 8대 핵심 공정은 산화, 포토, 식각, 박막증착, 금속배선, 전기적 테스트, 패키징 등입니다. 각 공정에서는 다양한 기술이 활용되며, 최근 EUV 리소그래피, ALD 등의 기술이 도입되고 있습니다. 2. 포토리소그래피 공정 포토리소그래피 공정은 반도체 소자의 집적도를 높이는 핵심 공정입니다. 이 공정에서는 마...2025.01.18
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반도체공정개론 (반도체공학 이론 전량 필기본)2025.05.111. 반도체 제조 공정 반도체 제조 공정에 대한 전반적인 내용을 다루고 있습니다. IC 제작 공정, 클린룸 기본, 웨이퍼 처리 공정, 박막 증착, 포토리소그래피, 식각, 이온주입, 열처리 등 반도체 제조에 필요한 다양한 공정 단계를 설명하고 있습니다. 2. 반도체 소자 구조 및 특성 반도체 소자의 구조와 특성에 대해 다루고 있습니다. MOSFET, BJT, DRAM 등 주요 반도체 소자의 구조와 동작 원리, 특성 등을 설명하고 있습니다. 또한 SOI, 스트레인 실리콘 등 최신 반도체 기술도 소개하고 있습니다. 3. 열처리 공정 반도...2025.05.11
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전도성 고분자 필름제조 및 특성분석2025.05.151. 저항과 전기 전도도의 관계 전류 I가 흐르고 있는 단면적 A, 길이 L인 도선에서 전기장은 전위가 낮아지는 방향으로 향하고 있으므로 점 a에서의 전위는 점 b에서의 전위보다 높다. 전류를 양전하의 흐름으로 생각할 경우 양전하는 전윅 krkath하는 방향으로 이동한다. 이 도선에서 전기장이 일정할 경우 두 점 a와 b사이의 전합강하는 V(전압)이다. 전류의 방향으로 생기는 전압강하의 전류에 대한 비를 도선의 저항이라 부른다. V=IR은 보통 Ohm's law라고 한다. 물질이나 용액이 전하를 운반할 수 있는 정도. 비저항의 역수...2025.05.15
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Four point probe법을 이용한 유/무기 전극의 전기전도도 측정 (예비)2025.05.121. 전기 전도도 전기 전도도의 의미, 전기 전도도와 고유 저항의 관계를 이해한다. 고유 저항, 저항, 면저항의 차이를 이해한다. 2. 무기 금속과 유기 금속의 차이 무/유기 금속의 차이와 four-point probe법의 기본 원리를 이해한다. 무기금속의 경우 금속 내부의 자유 전자와 외부에서 입사한 광자가 상호작용하여 광택이 나는 반면, 유기 금속의 경우 가시광선 영역의 빛에 대해 높은 광학적 투과도를 가지므로 투명하게 보인다. 3. PEDOT:PSS PEDOT:PSS는 대표적인 전도성 고분자이며 우수한 내열성을 갖고 높은 전기...2025.05.12
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숭실대학교 신소재공학실험2 Oxidation 공정 예비보고서2025.01.211. 반도체 8대 공정 반도체 제조 공정은 웨이퍼 공정, 산화 공정, 포토 리소그래피, 식각 공정, 박막 증착 공정, 금속 배선 공정, 전기적 특성 테스트, 패키징 등 8단계로 이루어진다. 각 공정에 대해 자세히 설명하고 있다. 2. 산화 공정 산화 공정은 실리콘 웨이퍼 표면에 산화막을 형성하는 공정으로, 습식 산화, 건식 산화, 라디칼 산화 등의 방식이 있다. 각 방식의 특징과 장단점을 설명하고 있다. 3. 포토 리소그래피 포토 리소그래피는 웨이퍼 표면에 감광액을 도포하고 마스크를 통해 회로 패턴을 노광, 현상하여 회로를 형성하는...2025.01.21
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