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Film growth (반도체)2025.05.081. Epitaxy Epitaxy는 epi(위에) + taxis(배열)의 합성어로, 결정성 기판 위에 단결정 박막을 성장시키는 기술을 의미한다. 호모에피택시는 동일한 물질로 이루어진 기판과 박막을 사용하며, 헤테로에피택시는 서로 다른 물질로 이루어진 기판과 박막을 사용한다. 에피택시 성장에서는 격자 불일치로 인한 응력 완화와 임계 두께 등의 개념이 중요하다. 2. Molecular Beam Epitaxy (MBE) MBE는 초고진공 환경에서 분자 빔을 이용하여 반도체 박막을 에피택시 성장시키는 기술이다. MBE는 낮은 성장 속도, ...2025.05.08
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Four-point probe법을 이용한 유/무기 전극의 전기전도도 측정 실험 (결과)2025.05.121. Four-point probe 방법을 이용한 전기전도도 측정 Four-point probe 방법을 이용하여 무기 박막(Ag)과 유기 박막(PEDOT:PSS + DMSO 5wt%)의 전기전도도를 측정하였다. 무기 박막의 경우 고유 저항은 2.426*10-8Ω·m, 전기 전도도는 0.412*108S/m로 나타났다. 유기 박막의 경우 스핀 코팅 속도에 따라 두께가 달라지며, 이에 따라 면 저항, 고유 저항, 전기 전도도 값이 변화하였다. DMSO 첨가로 인해 유기 박막의 전기 전도도가 크게 향상되었다. 2. 스핀 코팅을 통한 유기 ...2025.05.12
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숭실대학교 신소재공학실험2 Oxidation 공정 결과보고서2025.01.211. ALD를 통한 TiO2 박막 형성 실험에서는 ALD 공정을 통해 p-type Si 기판과 p++-type Si 기판에 TiO2 박막을 형성하였다. 기판의 도핑 농도에 따라 증착된 박막의 두께가 달랐는데, 도핑이 적은 p-Si 기판에 비해 도핑이 많은 p++-Si 기판에서 상대적으로 박막이 얇게 형성되었다. 이는 도핑이 TiO2의 확산을 방해하거나 충돌을 유발하기 때문인 것으로 분석된다. 2. TiO2 박막 두께 측정 TiO2 박막의 두께는 Ellipsometry와 XRF 장비를 사용하여 측정하였다. 두 장비의 측정 원리가 다르...2025.01.21
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ALD 공정 기술 및 응용2025.11.161. ALD (Atomic Layer Deposition) 공정 개요 ALD는 다양한 기재 위에 금속 전구체와 반응 가스를 교차적으로 주입하여 자가 제한 표면 반응(Self-limiting surface reaction)에 의해 박막을 층별로 성장시키는 진공기상증착 방법입니다. 복잡한 3차원 구조 기재 위에서도 매우 균일한 두께의 박막을 얻을 수 있으며, 기체상 반응이 없고 순차적 단계로 진행됩니다. 장점으로는 입자와 핀홀이 없고 정밀한 두께 제어, 저온 공정, 우수한 박막 품질을 제공합니다. 2. ALD의 장단점 및 특성 ALD의...2025.11.16
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자기조립형 분자박막(Self-Assembled Monolayer, SAM)을 이용한 소수성 표면 제조2025.05.141. 자기조립형 분자박막(Self-Assembled Monolayer, SAM) 자기조립형 분자박막(SAM)은 반응기에 따라 phosphonic acid, n-alkanoic acid, organosilane과 같이 다양한 종류가 있는데 organosilane은 그 종류에 따라 다양한 특성을 지닌 표면을 균일하게 만들 수 있는 표면처리 물질로 널리 이용되고 있다. Organosilane은 기판 표면 hydroxyl기와 화학 반응하여 SAM을 형성한다. SAM 말단기의 화학조성에 따라 표면 dipole moment의 차이가 생기고 이...2025.05.14
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반도체공정개론 (반도체공학 이론 전량 필기본)2025.05.111. 반도체 제조 공정 반도체 제조 공정에 대한 전반적인 내용을 다루고 있습니다. IC 제작 공정, 클린룸 기본, 웨이퍼 처리 공정, 박막 증착, 포토리소그래피, 식각, 이온주입, 열처리 등 반도체 제조에 필요한 다양한 공정 단계를 설명하고 있습니다. 2. 반도체 소자 구조 및 특성 반도체 소자의 구조와 특성에 대해 다루고 있습니다. MOSFET, BJT, DRAM 등 주요 반도체 소자의 구조와 동작 원리, 특성 등을 설명하고 있습니다. 또한 SOI, 스트레인 실리콘 등 최신 반도체 기술도 소개하고 있습니다. 3. 열처리 공정 반도...2025.05.11
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박막 트랜지스터(TFT) 나노반도체 실험2025.11.151. 박막 트랜지스터(TFT)의 원리 박막 트랜지스터는 디스플레이 픽셀의 밝기를 조절하는 스위치 역할을 하는 반도체 소자입니다. Gate 전압을 이용하여 Source와 Drain 간의 전류량을 조절합니다. Gate 전압이 변하면 전류가 흐르거나 차단되며, 전압의 크기에 따라 전류량이 변합니다. 이 과정을 통해 픽셀의 밝기를 제어합니다. 실험에서는 IGZO를 Channel 층으로 사용하는 Oxide TFT를 제작하며, IGZO는 Si보다 20~50배 빠른 전자이동도를 가집니다. 2. Oxide TFT의 구조 및 작동 원리 실험에서 제...2025.11.15
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전자기파의 특성 및 투과·전파 특성 실험2025.11.161. 전자기파의 물질 투과 특성 전자기파는 물질에 따라 투과 특성이 다르게 나타난다. 스마트폰의 전자기파는 종이나 옷을 투과하지만 알루미늄 호일은 투과하지 못한다. 이는 전자기파의 파장이 빛의 파장보다 길어서 회절이 잘 일어나고 투과성이 높아지기 때문이다. 금속 물질은 전자기파를 반사시키고 차단하는 특성을 가지고 있으며, 이러한 특성은 전자기파 차단 및 도파로 용도로 활용된다. 2. 거리에 따른 전자기파 신호 강도 변화 블루투스 통신(2.4 GHz)에서 두 스마트폰 사이의 거리가 증가함에 따라 신호 강도는 감소한다. 휴대폰 케이스 ...2025.11.16
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TiO2 박막 제조 및 광촉매 특성 실험2025.11.141. Doctor blading법을 이용한 TiO2 박막 제조 FTO 기판을 scotch tape로 고정한 후 Ti paste를 도포하고 슬라이드 글라스로 균일하게 펼치는 박막 제조 방법입니다. 형성된 박막의 두께는 scotch tape와 FTO 기판의 높이 차에 의해 결정되며, 열처리 과정을 거쳐 TiO2 박막이 됩니다. 박막 품질에 영향을 미치는 주요 변수는 paste의 점성도와 blade와 기판 간의 간격입니다. 2. Spin coating법을 이용한 TiO2 박막 형성 FTO 기판을 spin coater 위에 고정하고 TiO...2025.11.14
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TiO2 박막 제조 및 광촉매 반응 실험2025.11.141. 광촉매 (Photocatalyst) 광촉매는 광역 반도체로 충분한 에너지의 빛을 받으면 전자-정공쌍이 형성되어 산화-환원 반응을 일으킨다. 전도띠의 전자는 표면 물질을 환원시키고 hydroxyl radical은 산화시킨다. 광촉매의 반응성은 표면적, 결정구조, 자외선 강도, 전자-정공 분리 효율 등에 영향을 받으며, 두께가 일정한 박막의 경우 반응성은 자외선 강도에 비례한다. 광촉매 물질은 재결합 시간이 길고 표면 전자 이동 속도가 빠를수록 우수하다. 2. 이산화티타늄 (TiO2) TiO2는 밴드갭 약 3.2eV 이상의 자외선...2025.11.14
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