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박막 트랜지스터(TFT) 나노반도체 실험2025.11.151. 박막 트랜지스터(TFT)의 원리 박막 트랜지스터는 디스플레이 픽셀의 밝기를 조절하는 스위치 역할을 하는 반도체 소자입니다. Gate 전압을 이용하여 Source와 Drain 간의 전류량을 조절합니다. Gate 전압이 변하면 전류가 흐르거나 차단되며, 전압의 크기에 따라 전류량이 변합니다. 이 과정을 통해 픽셀의 밝기를 제어합니다. 실험에서는 IGZO를 Channel 층으로 사용하는 Oxide TFT를 제작하며, IGZO는 Si보다 20~50배 빠른 전자이동도를 가집니다. 2. Oxide TFT의 구조 및 작동 원리 실험에서 제...2025.11.15
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2023-1 정보소자물리실험 레포트2025.05.111. 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT) 박막 트랜지스터는 박막 증착에 의해 만들어진 전계 효과 트랜지스터(FET)입니다. 박막 트랜지스터는 OLED나 LCD와 같은 디스플레이의 제작에 사용되고, 한 픽셀의 액정 배열 상태를 조절해 픽셀의 색을 결정하는 역할을 합니다. 박막 트랜지스터는 게이트, 소스, 드레인으로 구성되며, 게이트 전압에 의해 통제되는 전류 흐름을 이용하여 작동합니다. 2. IGZO IGZO는 Indium, Gallium, Zinc, Oxide의 준말입니다. 규소반도체 기반의 박막 트랜지...2025.05.11
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나노반도체 IGZO TFT 제작 공정 실험2025.11.151. Gate via Patterning IGZO TFT 제작의 첫 번째 단계로, 게이트 전극으로 사용할 Si를 측정에서 접촉할 수 있도록 만드는 공정입니다. 웨이퍼 세척 후 포토리소그래피를 통해 원하는 패턴을 형성합니다. 기판의 유기물과 불순물을 제거하고, 산소플라즈마로 표면 반응성을 향상시킨 후, 포지티브 포토레지스트를 코팅하고 마스크를 이용한 노광 공정을 거칩니다. 2. Wafer Cleaning 반도체 기판 표면의 유기물, 불순물, 금속이온 등을 제거하는 전처리 공정입니다. 아세톤과 이소프로필알코올을 이용한 초음파 세척으로 ...2025.11.15
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AMOLED 소자 및 공정 실험 보고서2025.05.121. AMOLED 소자 제작 실험 목표는 spin coater를 이용한 고분자 기반 OLED 제작 및 특성 평가입니다. 실험 장비로는 Thermal evaporation, Spin coater, CS-2000(측정장비)가 사용되었습니다. 실험 과정에서는 ITO 전극 패터닝, 기판 세척, UVO 처리, PEDOT:PSS, PFO, LiF, Al 증착 등의 단계를 거쳤습니다. 실험 결과 분석을 통해 PFO 발광층의 두께 및 구조에 따른 휘도 특성 차이, UVO 처리에 따른 표면 에너지 변화와 균일성 향상 등을 확인할 수 있었습니다. 2...2025.05.12
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숭실대학교 신소재공학실험2 Oxidation 공정 예비보고서2025.01.211. 반도체 8대 공정 반도체 제조 공정은 웨이퍼 공정, 산화 공정, 포토 리소그래피, 식각 공정, 박막 증착 공정, 금속 배선 공정, 전기적 특성 테스트, 패키징 등 8단계로 이루어진다. 각 공정에 대해 자세히 설명하고 있다. 2. 산화 공정 산화 공정은 실리콘 웨이퍼 표면에 산화막을 형성하는 공정으로, 습식 산화, 건식 산화, 라디칼 산화 등의 방식이 있다. 각 방식의 특징과 장단점을 설명하고 있다. 3. 포토 리소그래피 포토 리소그래피는 웨이퍼 표면에 감광액을 도포하고 마스크를 통해 회로 패턴을 노광, 현상하여 회로를 형성하는...2025.01.21
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반도체공정개론 (반도체공학 이론 전량 필기본)2025.05.111. 반도체 제조 공정 반도체 제조 공정에 대한 전반적인 내용을 다루고 있습니다. IC 제작 공정, 클린룸 기본, 웨이퍼 처리 공정, 박막 증착, 포토리소그래피, 식각, 이온주입, 열처리 등 반도체 제조에 필요한 다양한 공정 단계를 설명하고 있습니다. 2. 반도체 소자 구조 및 특성 반도체 소자의 구조와 특성에 대해 다루고 있습니다. MOSFET, BJT, DRAM 등 주요 반도체 소자의 구조와 동작 원리, 특성 등을 설명하고 있습니다. 또한 SOI, 스트레인 실리콘 등 최신 반도체 기술도 소개하고 있습니다. 3. 열처리 공정 반도...2025.05.11
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Four point probe법을 이용한 유/무기 전극의 전기전도도 측정 (예비)2025.05.121. 전기 전도도 전기 전도도의 의미, 전기 전도도와 고유 저항의 관계를 이해한다. 고유 저항, 저항, 면저항의 차이를 이해한다. 2. 무기 금속과 유기 금속의 차이 무/유기 금속의 차이와 four-point probe법의 기본 원리를 이해한다. 무기금속의 경우 금속 내부의 자유 전자와 외부에서 입사한 광자가 상호작용하여 광택이 나는 반면, 유기 금속의 경우 가시광선 영역의 빛에 대해 높은 광학적 투과도를 가지므로 투명하게 보인다. 3. PEDOT:PSS PEDOT:PSS는 대표적인 전도성 고분자이며 우수한 내열성을 갖고 높은 전기...2025.05.12
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TiO2 박막 제조 및 광촉매 반응 실험2025.11.141. 광촉매 (Photocatalyst) 광촉매는 광역 반도체로 충분한 에너지의 빛을 받으면 전자-정공쌍이 형성되어 산화-환원 반응을 일으킨다. 전도띠의 전자는 표면 물질을 환원시키고 hydroxyl radical은 산화시킨다. 광촉매의 반응성은 표면적, 결정구조, 자외선 강도, 전자-정공 분리 효율 등에 영향을 받으며, 두께가 일정한 박막의 경우 반응성은 자외선 강도에 비례한다. 광촉매 물질은 재결합 시간이 길고 표면 전자 이동 속도가 빠를수록 우수하다. 2. 이산화티타늄 (TiO2) TiO2는 밴드갭 약 3.2eV 이상의 자외선...2025.11.14
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전도성 유리 제조: 스핀코팅과 스프레이코팅2025.11.171. 전도성 유리(Conductive Glass) 전도성 유리는 투명성을 유지하면서 전기 전도성을 가지는 특수 유리로, 다양한 전자 장치와 디스플레이 응용에 사용됩니다. 일반적으로 산화인듐주석(ITO) 등의 투명 전도성 산화물을 유리 기판에 코팅하여 제조되며, 터치스크린, 태양전지, LED 등의 핵심 소재로 활용됩니다. 2. 스핀코팅(Spin Coating) 스핀코팅은 기판을 고속으로 회전시키면서 용액을 떨어뜨려 균일한 박막을 형성하는 코팅 기법입니다. 회전 속도, 용액의 점도, 회전 시간 등을 조절하여 원하는 두께의 박막을 정밀하...2025.11.17
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[A+] 단국대 고분자공학실험및설계2 <박막 및 용액의 형광 측정 (Photoluminescence)> 레포트2025.01.221. 반데르발스 힘 반데르발스 힘은 분자 내 전자밀도의 순간적인 변화에 의해 생성되는 분자 간 약한 상호작용으로, 대부분의 화합물에서 나타난다. 상호작용의 크기는 분자의 표면력에 의해 결정되며, 표면력이 클수록 분자 간 인력이 커진다. 분자 간 거리가 짧을수록 반데르발스 힘의 크기가 증가한다. 2. 형광과 인광 형광은 들뜬 상태의 전자가 빠르게 바닥 상태로 돌아오면서 방출되는 빛이며, 내부 양자효율이 25%로 낮다. 인광은 triplet exciton을 활용하여 100%의 내부 발광 효율을 만드는 원리이다. 3. 광발광 (Photo...2025.01.22
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