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Semiconductor Device and Design -52025.05.101. Characteristic of transistor 트랜지스터의 특성에 대해 설명합니다. 입력 특성은 출력 전압을 일정하게 유지하면서 입력 전압 변화에 따른 입력 전류의 변화를 나타냅니다. 출력 특성은 일정한 입력 전류에서 출력 전압에 따른 출력 전류의 변화를 나타냅니다. 전류 전달 특성은 출력 전압을 일정하게 유지하면서 입력 전류 변화에 따른 출력 전류의 변화를 나타냅니다. 2. Manufacture of diodes in semiconductor integrated circuits 반도체 집적 회로에서 다이오드 제조 공정에...2025.05.10
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소신호 전압 증폭 회로 실험 결과보고서2025.01.041. 소신호 공통이미터 증폭기 이 실험의 목적은 소신호 공통이미터 증폭기의 특성과 동작을 살펴보고, 이득에 영향을 주는 요인을 알아보는 것입니다. 또한 입력 및 출력 신호 간의 위상차가 180°임을 확인하는 것입니다. 실험 결과, 이론값과 실험값 사이에 약간의 차이가 있었지만, 대체로 유사한 결과를 얻을 수 있었습니다. 실험 과정에서 트랜지스터의 방향, 커패시터 연결 방식 등 유의해야 할 점들을 확인할 수 있었습니다. 또한 오실로스코프로는 전류 측정이 어려워 멀티미터로 측정했지만, 예상치 못한 결과가 나와 원인을 분석해볼 필요가 있...2025.01.04
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울산대학교 전기전자실험 6. 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)특성2025.01.121. BJT 단자 검사 BJT의 단자를 구별하기 위해 다이오드의 저항과 임계전압을 이용한 검사를 수행했다. 양(+)단자와 음(-)단자를 연결하여 측정한 결과, 낮은 전압값을 가지는 단자가 컬렉터(C), 높은 전압값을 표시하는 단자가 이미터(E)임을 확인했다. 2. BJT 공통 Emitter(CE) 특성 공통 Emitter 회로에서 베이스 전류를 증가시키면 컬렉터 전류가 증가하는 것을 관찰했다. 이를 통해 베이스 전류를 통해 이미터에 흐르는 전류를 제어할 수 있음을 확인했다. 3. β 변화에 따른 BJT 특성 베이스 전류를 일정하게 ...2025.01.12
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BJT의 고정 바이어스 및 전압 분배기 바이어스 회로2025.01.121. BJT 바이어스 회로 이번 실험에서는 BJT의 고정 바이어스 회로와 전압 분배기 바이어스 회로를 구성하여 각 소자에 걸리는 전압을 측정하고 전류의 관계를 확인하였다. 고정 바이어스 회로에서는 트랜지스터를 바꾸어가며 측정했을 때 V_C와 I_C에 큰 차이가 발생했지만, 전압 분배기 바이어스 회로에서는 대부분의 값이 일정하게 유지되었다. 이를 통해 전압 분배기 바이어스 회로가 고정 바이어스 회로에 비해 더 안정적인 회로라는 것을 알 수 있었다. 2. 트랜지스터 특성 측정 실험에서는 트랜지스터의 β 값을 측정하고 이론값과 비교하였다...2025.01.12
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실험 9. CE 회로의 특성 실험2025.05.111. CE 회로의 특성 실험을 통해 CE 회로의 IB와 Ic 사이의 관계를 이해하고, 측정된 데이터를 이용해 β(dc)를 계산할 수 있었다. 또한 BJT의 특성 곡선을 구하고 β(dc)와 α(dc)의 관계식을 이해하고 유도할 수 있었다. 2. 공통 이미터 회로 공통 이미터 회로에서는 트랜지스터의 이미터 단자가 입력과 출력에서 공통 단자로 사용된다. 이 회로 구조에서 베이스가 입력 단자 역할을 하고 컬렉터가 출력 단자 역할을 수행한다. 직류 베이스 바이어스 전압은 트랜지스터의 베이스를 통해 흐르는 베이스 전류 IB를 결정하고, IB는...2025.05.11
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공통 이미터 증폭기의 주파수 응답 실험2025.11.171. 저주파 응답 특성 저주파 영역에서 증폭기의 응답은 DC 차단을 위한 AC 결합 커패시터와 바이패스 커패시터에 의해 결정된다. 입력 결합 커패시터, 출력 결합 커패시터, 이미터 바이패스 커패시터 각각이 하위 차단 주파수를 발생시키며, 이 중 가장 큰 값이 회로의 차단 주파수가 된다. 실험에서 측정된 저역 차단 주파수는 456.61 Hz로 계산값 470.455 Hz와 유사한 결과를 보였다. 2. 고주파 응답 특성 고주파 영역에서 증폭기의 이득은 트랜지스터의 기생 커패시턴스에 의해 영향을 받는다. 입력 접속부에서는 베이스-이미터 단...2025.11.17
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쌍극접합트랜지스터(BJT)의 특성 및 제어 방법2025.11.181. 역포화전류(Reverse Saturation Current) 제어 역포화전류 I0는 pn 접합 주변에서의 전자-정공 생성(EHP)에 의해 결정되며, 매우 작은 값을 가진다. I0를 증가시키기 위해서는 밴드갭보다 큰 에너지의 빛을 주입하거나 소수캐리어를 주입시킬 수 있다. 이는 바이어스와 무관하게 EHP 발생률이 증가하면 I0가 증가한다는 원리에 기반한다. 2. 컬렉터 전류(IC) 제어 메커니즘 P-n-p 트랜지스터에서 VEB를 순방향, VCB를 역방향으로 인가하면 에미터에서 베이스로, 베이스에서 컬렉터로 정공이 주입되어 전류가...2025.11.18
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BJT 이미터 및 컬렉터 귀환 바이어스 실험2025.11.181. 이미터 바이어스 회로 이미터 바이어스 회로는 고정 바이어스 회로에 이미터 쪽에 저항을 추가한 구조로, 베이스 입장에서 negative feedback을 발생시켜 동작점을 안정화시킨다. 베타 값 증가로 인한 컬렉터 전류 증가 시 이미터 전압이 상승하여 베이스 전류를 감소시키고, 이를 통해 컬렉터 전류 변화를 억제한다. 회로방정식 분석 결과 RE >> RB/β 조건에서 IC가 베타 값에 거의 영향을 받지 않으며, 이는 동작점 안정성을 크게 향상시킨다. 2. 컬렉터 귀환 바이어스 회로 컬렉터 귀환 회로는 베이스 저항이 VCC에 직접...2025.11.18