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경희대 전기전자회로 보고서 HW22025.05.051. DC 전압, 저항 회로 시뮬레이션 문제[1]에서는 DC 전압과 저항으로 구성된 간단한 회로를 시뮬레이션하고 전압, 전류, 소비전력을 계산하는 방법을 학습했습니다. Pspice를 처음 사용해보면서 회로 구성 및 기본적인 사용법을 익혔고, 복잡한 회로 해석에도 유용하게 사용될 수 있다는 것을 알게 되었습니다. 2. DC Sweep 분석 문제[2]에서는 전원 전압을 변수로 설정하여 DC Sweep 분석을 수행했습니다. 이를 통해 전압, 전류, 소비전력이 전원 전압 변화에 따라 어떻게 변화하는지 확인할 수 있었습니다. 또한 Point...2025.05.05
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예제를 통한 저항 직병렬회로 소비전력과 공급전력의 증명 및 KCL2025.01.151. 직렬회로 직렬회로에서 각 저항의 전류는 같고 각 저항의 걸리는 전압의 합은 전압원과 같다. 따라서 공급전력 Ps = VI = (IR0)I = R0I^2 = (R1 + R2 + ... + Rn)I^2이며, 소비전력 Pc1 = R1I^2, Pc2 = R2I^2, ..., Pcn = RnI^2이다. 2. 병렬회로 병렬회로에서 각 소자의 흐르는 전류는 다르고 전압은 같은 단자전압이다. 따라서 합성 병렬 저항은 R0 = (R1*R2)/(R1+R2)이며, 공급전력 Ps = (1/R1 + 1/R2 + ... + 1/Rn)V^2이고, 소비전...2025.01.15
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전자회로설계 및 실습5_BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch)회로_결과보고서2025.01.221. BJT와 MOSFET을 이용한 스위치 회로 설계 및 구현 이 보고서에서는 BJT와 MOSFET을 사용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL 스위치 회로를 설계하고 구현하였습니다. 회로를 구현하고 LED 구동 및 측정을 통해 전압, 전류, 소비전력 등을 분석하였습니다. BJT 회로에서는 약 15%의 오차가 발생했지만, MOSFET 회로에서는 오차가 더 작은 측정값을 얻을 수 있었습니다. 전반적으로 실습이 잘 진행되었다고 볼 수 있습니다. 1. BJT와 MOSFET을 이용한 스위치 회로 설계 및 구현 BJT(Bipol...2025.01.22
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전자회로설계실습 5번 결과보고서2025.01.201. BJT와 MOSFET을 사용한 구동회로 이번 실험에서는 BJT와 MOSFET을 이용하여 TTL 레벨이 전압(5V)으로 동작하는 RTL switch회로를 설계, 구현하여 relay, 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정, 평가하였습니다. 부하가 emitter에 연결된 LED구동회로, 부하가 BJTd 인버터에 연결된 LED구동회로, MOSFET를 이용한 LED구동회로 등 3가지 회로를 구현하고 각 회로의 동작을 분석하였습니다. 회로 구현 과정에서 발생한 오차와 그 원인을 분석하였으며, MOSFET의 동작 원리와 RG의 역할 등을...2025.01.20
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가정용 가전제품의 소비전력 비교2025.05.121. W급 에어프라이어 제품 비교 국내 제품인 리빙웰의 에어프라이어 AF506과 해외 제품인 필립스의 Premium 에어프라이어 XXL HD9630/95를 비교하였다. 두 제품 모두 200℃의 높은 온도를 유지하기 위해 소비전력이 1,000W 이상이지만, 필립스 제품이 2,200W로 리빙웰 제품의 1,500W보다 700W 더 높아 조리 속도가 더 빠르다. 필립스 제품은 자동 전원 차단, 온도 조절, 식기세척 기능 등이 있으며 에어 스톰 기술로 더 바삭한 조리가 가능하다. 2. kW급 에어컨 제품 비교 국내 제품인 LG전자의 휘센 F...2025.05.12
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BJT와 MOSFET을 사용한 LED 구동 스위치 회로 설계2025.11.121. BJT 스위치 회로 설계 2N3904 BJT를 사용하여 TTL 레벨(5V)의 구동신호로 LED를 제어하는 회로를 설계한다. BJT가 포화영역에서 동작하도록 VCE(sat)=0.2V, VBE(sat)=0.85V, βforced=10으로 설정하여 20mA의 LED 구동전류를 확보한다. 부하가 emitter에 연결된 경우와 inverter 출력에 연결된 경우 두 가지 구성을 비교 분석하며, 각 경우의 저항값 계산 및 소비전력을 측정한다. 2. MOSFET 스위치 회로 설계 2N7000 MOSFET을 사용하여 입력저항 100kΩ에서 ...2025.11.12
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MOSFET 특성 실험 및 분석2025.11.161. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 게이트 전압에 따라 채널이 형성되어 전류가 흐르는 반도체 소자입니다. NMOS와 PMOS는 반대의 극성을 가지며, 각각 Turn-OFF, Triode Region, Saturation Region의 세 가지 동작 영역을 가집니다. 포화 영역에서는 핀치-오프 현상이 발생하고 채널의 유효 길이가 감소합니다. 채널 길이 변조 계수 λ를 고려하면 포화 영역에서도 드레인 전류가 계속 증가하며, 이는 출력 저항 r0로 모델링됩니다. 2. 문턱 전압 및 소자 특성 2N7000 NMOS의 문턱 전압은 2...2025.11.16