총 27개
-
J-fet 증폭기2024.11.111. FET 증폭기 1.1. 결과 1.1.1. 회로실험 결과 회로실험 결과는 다음과 같다. 표24-1에 나타난 바와 같이 입력전압이 97.65 mV일 때 출력전압이 395.14 mV로, 전압이득(Av)은 4.04 [V/V]로 측정되었다. 표24-2를 통해 부하저항 RD가 4.7 kΩ일 때 출력전압이 711.99 mV로, 전압이득(Av)이 7.29 [V/V]임을 확인하였다. 또한 RD가 680 Ω일 때 출력전압은 128.77 mV이고 전압이득(Av)은 1.31 [V/V]로 나타났다. 표24-3에서는 게이트 저항 RG가 1...2024.11.11
-
트렌지스터 증폭2024.11.111. 트랜지스터의 특성 1.1. 트랜지스터의 3가지 영역 트랜지스터의 3가지 영역은 차단영역, 활성영역, 포화영역이다. 차단영역에서는 트랜지스터 베이스-이미터 전압(VBE)이 0.6V 이하로 작아 트랜지스터가 차단되어 전류가 흐르지 않는다. 따라서 콜렉터 전압(VCE)이 전원전압(VCC)에 가깝게 유지된다. 활성영역에서는 VBE가 약 0.6V 부근으로 증폭작용이 이루어진다. 이때 VCE는 일정한 범위 내에서 변한다. 포화영역에서는 VBE가 0.6V를 넘어 트랜지스터가 완전히 켜져 VCE가 거의 0V에 가깝게 된다. 이 영역에서 트...2024.11.11
-
핵심이보이는 전자회로 실험 op amp2024.11.111. 연산 증폭기와 포토레지스터 1.1. 연산 증폭기의 구조와 원리 연산 증폭기(Operational amplifier)는 DC전류와 연결된 높은 이득(gain)을 갖는 input과 output 전압을 갖춘 증폭기이다. 오늘날에 가장 많이 쓰이는 전자기기 중에 하나인 연산 증폭기는 아날로그 컴퓨터에서 처음 이용되었고 많은 선형, 비선형 및 주파수 종속 회로에서 수학적 연산을 수행한다. 연산 증폭기의 구조는 2개의 입력 단자, 1개의 출력 단자, 2개의 전원 공급 단자로 구성된다. 비반전 입력 단자는 +, 반전 입력 단자는 -로...2024.11.11
-
연산증폭기2024.09.031. 연산증폭기 기본 특성 1.1. 연산증폭기의 전압이득 연산증폭기의 전압이득은 연산증폭기의 가장 중요한 성능지표 중 하나이다. 연산증폭기의 전압이득은 입력전압에 대한 출력전압의 비율로 정의되며, 이상적인 연산증폭기의 경우 무한대의 전압이득을 가진다. 실제 연산증폭기의 경우 전압이득이 무한대가 아니라 유한한 값을 가지며, 이는 연산증폭기의 설계 및 제작 과정에서 발생하는 오차와 비선형성으로 인해 나타나는 현상이다. 일반적으로 연산증폭기의 전압이득은 200V/V 정도의 값을 가지며, 최소 50V/V 이상의 전압이득을 가져야 한다....2024.09.03
-
common emitter amplifier 주파수 특성 레포트써줘2025.05.021. 서론 공통 이미터(common-emitter, CE) 트랜지스터 증폭기 회로는 널리 이용되며, 일반적으로 10에서 수백에 이르는 큰 전압 이득을 얻을 수 있고, 적절한 입력과 출력 임피던스를 제공한다. 이 실험에서는 공통 이미터 증폭기의 교류와 직류 전압을 측정하고, 부하 동작과 무부하 동작 조건에서 전압 이득(Av), 입력 임피던스(Zi), 출력 임피던스(Zo)의 측정값을 구할 것이다. 이를 통해 공통 이미터 증폭기의 특성을 이해할 수 있다. [] 2. 실험 목적 공통 이미터 증폭기의 교류와 직류 전압 특성 분석 공통 이...2025.05.02
-
mosfet digital logic2025.06.111. MOSFET 디지털 논리 게이트 1.1. 실험 목적 MOSFET 디지털 논리 게이트의 실험 목적은 디지털 로직 게이트를 기초로 하여 MOSFET의 동작을 이해하는 것이다. 이를 통해 MOSFET을 이용한 논리회로 설계와 CMOS 회로의 동작 원리를 학습할 수 있다. 특히 MOSFET 로직 게이트의 장점은 높은 입력 임피던스로 인해 전력 소모를 줄일 수 있다는 점이다. 이는 특히 CMOS 게이트에서 두드러지게 나타난다. 반면 BJT 기반의 TTL, ECL 게이트들은 MOSFET 게이트에 비해 스위칭 시간이 더 빠르다는 장점을 ...2025.06.11
-
bjt 증폭기 설계2025.05.311. 서론 1.1. 설계 주제 BJT(Bipolar Junction Transistor)를 이용하여 Multi-Stage Amplifier를 설계할 수 있다. 이를 위해 Differential Amplifier, CE Amplifier, Frequency Response, Lag Circuit 등의 설계 이론을 바탕으로 전체 설계 과정과 각 단의 설계 과정을 거쳐 최종 회로를 구현한다. 그리고 Differential Amplifier, VDB Amplifier, Emitter Follower, Lag Circuit 등에 대한 고찰...2025.05.31
3 / 3
