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공통베이스증폭기2024.10.071. 공통 베이스 증폭기 1.1. 실험 목적 공통 베이스 증폭기 실험의 목적은 두 가지이다. 첫째, 공통베이스 소신호 증폭회로의 동작을 이해하는 것이다. 둘째, 공통베이스 소신호 증폭기의 부하저항의 변화에 따른 출력전압, 즉 전압이득의 변화를 관찰하는 것이다. 공통베이스 증폭기는 공통 이미터 증폭기에 비해 입력 임피던스가 매우 작다는 특성을 가지고 있다. 따라서 이 특성을 활용하여 작은 임피던스를 갖는 소자 또는 회로와의 임피던스 매칭이 쉽게 이루어질 수 있다. 이러한 특성은 고주파 신호 전송 시스템에서 중요한 역할을 한다. ...2024.10.07
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전자회로 실험 11판 연산증폭기 특성2024.11.141. 연산증폭기의 이상적이지 못한 특성 1.1. 오프셋 전압과 전류 연산 증폭기 내의 차동 증폭단이 제작상의 오차 등으로 완벽한 정합이 이루어지지 못할 경우, 입력 전압 차(vd = v+ - v-)가 0V 임에도 불구하고 출력에 직류 전압 성분 VO가 발생한다. 이것을 출력 오프셋 전압이라고 한다. 출력 오프셋 전압은 식 (14.26)에서와 같이 이득 A로 나누어줌으로써 입력 전압 값으로 환산될 수 있으며 이를 입력 오프셋 전압 Vio라고 부른다. 입력 오프셋 전압은 Vio = VO / Ao|v+=v-이다. 일반적으로 입력 오프...2024.11.14
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능동필터회로222024.11.181. 능동 필터 회로 1.1. 능동 필터 회로의 개요 능동 필터 회로의 개요는 다음과 같다. 능동 필터 회로는 전압이득이나 임피던스 특성을 유지하기 위하여 트랜지스터나 연산증폭기와 같은 능동소자로 구성되는 회로이다. 능동 필터는 수동 필터에 비해 신호가 감쇠되지 않고 높은 이득을 제공할 수 있으며, 높은 입력 임피던스와 낮은 출력 임피던스를 가져 구동원과 부하의 영향을 효과적으로 차단할 수 있다. 또한 능동 필터는 넓은 주파수 범위에서 필터 특성을 조정하기 용이하다는 장점이 있다. 능동 필터는 주파수 특성에 따라 저역통과 필터...2024.11.18
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sms결과보고서 작성하기2024.11.191. MOSFET 소스 팔로어와 MOSFET 다단 증폭기 1.1. 소스 팔로어의 이론 및 특성 소스 팔로어의 이론 및 특성은 다음과 같다. 소스 팔로어는 게이트와 드레인이 서로 연결되어 있는 MOSFET 회로로, 입력 전압이 출력 전압과 거의 동일하게 유지되는 특성을 가진다. 즉, 유효 전압 이득이 1에 가깝다. 소스 팔로어의 이론적인 전압 이득은 1/gm으로 계산된다. 여기서 gm은 트랜지스터의 전압 이득비로, 드레인 전류와 게이트-소스 전압의 비율을 나타낸다. 일반적으로 gm은 작은 값을 가지므로, 소스 팔로어의 전압 이...2024.11.19
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에미터 공통 증폭기 회로 실험2024.10.151. 에미터 공통 증폭기 1.1. 에미터 공통 증폭기의 개요 에미터 공통 증폭기의 개요는 다음과 같다. 에미터 공통 증폭기는 트랜지스터 증폭기 중에서 가장 널리 사용되는 것으로, 높은 입력 임피던스와 낮은 출력 임피던스를 가지며 또한 높은 전압 이득과 전력 이득을 얻을 수 있다. 이는 트랜지스터의 높은 전류이득(β) 특성을 활용하여 달성되는 것이다. 에미터 공통 증폭기는 베이스-에미터 단자 사이에 입력 신호가 인가되고 컬렉터-에미터 단자 사이에 출력 신호가 얻어지는 구조이다. 이 구조에서 입력 신호의 변화는 트랜지스터의 콜렉터...2024.10.15
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mosfet 프로젝트2024.10.021. 서론 1.1. 전자회로 실험 프로젝트 개요 전자회로 실험 프로젝트 개요는 다음과 같다. 이번 프로젝트의 목적은 MOSFET을 활용하여 다단증폭기 회로를 설계하고 분석하는 것이다. 실생활에서 출력이나 통신 장비에는 대부분 앰프가 내장되어 있다. 무선 통신 장비, 스피커 앰프, 센서 등 약해진 입력 신호를 증폭하는 데 앰프가 필수적으로 사용된다. 따라서 이번 프로젝트에서는 MOSFET 다단증폭기를 이용하여 오디오 파워 앰프를 설계하고자 한다. 이를 위해 먼저 MOSFET의 동작 원리와 특성을 이해하고, 다단증폭기 설계 이론...2024.10.02
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Amplifer 회로설계2024.10.071. 두 STAGE AMPLIFIER 설계 1.1. 프로젝트 개요 Two stage AMPLIFIER 프로젝트의 개요는 다음과 같다. 본 프로젝트는 두 개의 증폭 단계로 구성된 증폭기를 설계하는 것이다. 입력 전압은 1mV의 정현파(주파수 1kHz)이며, 전원 공급 전압(Vcc)은 10V이다. 사용되는 MOSFET는 2N7000/FAI(NMOSFET) 모델이다. 설계된 증폭기의 최종 이득은 36이 되도록 한다. 이를 위해 첫 번째 증폭 단계에서 6mV까지 증폭하고, 두 번째 증폭 단계에서 다시 6mV를 증폭하여 총 36mV의 ...2024.10.07
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mosfet digital logic2025.06.111. MOSFET 디지털 논리 게이트 1.1. 실험 목적 MOSFET 디지털 논리 게이트의 실험 목적은 디지털 로직 게이트를 기초로 하여 MOSFET의 동작을 이해하는 것이다. 이를 통해 MOSFET을 이용한 논리회로 설계와 CMOS 회로의 동작 원리를 학습할 수 있다. 특히 MOSFET 로직 게이트의 장점은 높은 입력 임피던스로 인해 전력 소모를 줄일 수 있다는 점이다. 이는 특히 CMOS 게이트에서 두드러지게 나타난다. 반면 BJT 기반의 TTL, ECL 게이트들은 MOSFET 게이트에 비해 스위칭 시간이 더 빠르다는 장점을 ...2025.06.11
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J-fet 증폭기2024.11.111. FET 증폭기 1.1. 결과 1.1.1. 회로실험 결과 회로실험 결과는 다음과 같다. 표24-1에 나타난 바와 같이 입력전압이 97.65 mV일 때 출력전압이 395.14 mV로, 전압이득(Av)은 4.04 [V/V]로 측정되었다. 표24-2를 통해 부하저항 RD가 4.7 kΩ일 때 출력전압이 711.99 mV로, 전압이득(Av)이 7.29 [V/V]임을 확인하였다. 또한 RD가 680 Ω일 때 출력전압은 128.77 mV이고 전압이득(Av)은 1.31 [V/V]로 나타났다. 표24-3에서는 게이트 저항 RG가 1...2024.11.11
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트렌지스터 증폭2024.11.111. 트랜지스터의 특성 1.1. 트랜지스터의 3가지 영역 트랜지스터의 3가지 영역은 차단영역, 활성영역, 포화영역이다. 차단영역에서는 트랜지스터 베이스-이미터 전압(VBE)이 0.6V 이하로 작아 트랜지스터가 차단되어 전류가 흐르지 않는다. 따라서 콜렉터 전압(VCE)이 전원전압(VCC)에 가깝게 유지된다. 활성영역에서는 VBE가 약 0.6V 부근으로 증폭작용이 이루어진다. 이때 VCE는 일정한 범위 내에서 변한다. 포화영역에서는 VBE가 0.6V를 넘어 트랜지스터가 완전히 켜져 VCE가 거의 0V에 가깝게 된다. 이 영역에서 트...2024.11.11
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