"sputtering 실험조건"의 검색결과 입니다.

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스퍼터링 ITO 박막 4-point probe 4 point probe mos capacitor DSSC 보고서 fto ito 투과율 ITO Scribing

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"sputtering 실험조건" 검색결과 1-20 / 171건

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LG 디스플레이 2021 상반기 합격 자소서 (최합)

된 실습은 a-step으로 박막의 두께를 측정했을 때 각기 다른 Cu 박막의 두께를 가져왔습니다. 따라서 저는 각 팀의 DC sputtering의 조건을 분석하였고, 동일 조건에서 DC ... 차원 CMOS기술의 후보기술인 Ge TFT를 위한 저온 결정법으로 MIC 와 SIC를 비교 실험 진행하였습니다. Ni를 sputtering 한 Ge를 wet etching ... 학습했습니다.2. 반도체 공정실습에 참여하여 DC sputtering으로 Cu 증착 및 i-line UV exposure로 회로를 새기는 공정을 진행했습니다. 총 5팀으로 진행

자기소개서 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.10.15 | 수정일 2023.02.05

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하이닉스 양산기술 최종합격 자기소개서

film의 uniformity 문제가 발생했습니다. 그동안 배워온 PVD 이론을 공정조건 tuning 실험에 적용했습니다. 1) 더 높은 고진공 조건 적용 2) substrate ... 을 통한 film quality 향상]미세한 공정조건 변화에 집중하여 새로운 공정방식의 도입으로 문제를 해결하였습니다. 학부생 인턴으로 참여한 Perovskite LED 발광층 실험 ... 에서 회전하는 spin coater 위에 solvent를 drop 하는 film 공정을 수행했습니다. 미세한 공정조건의 변화에도 film quality가 저하되는 문제가 발생

자기소개서 | 4페이지 | 7,000원 | 등록일 2022.05.25 | 수정일 2022.05.31

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[고분자공학실험]박막 태양전지

박막 태양전지1. 실험 목적가. CZTSSe 흡수층 구조를 통해서 박막 태양 전지를 이해하고 특성을 평가한다.나. 실험 1 : S/Se 파우더 비율을 조절하여 흡수층의 band ... 효율이 13% 정도로 CIGS에 비교하면 매우 낮다. CZT는 Cu, Zn, Sn으로 metal sputter(DC)를 이용해 올린다.전면전극(Al)투명전극(TCO)버퍼층(CdS ... 시킨다. 투명전극과 Al전극은 sputter를 이용해 증착시킨다. 그 후 솔라시뮬레이터를 이용해 왼쪽은 후면 전극, 오른쪽은 전면 전극에 접촉시켜 특성을 측정한다.태양전지 셀

리포트 | 7페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.05.21

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SK 하이닉스 최종합격 자소서 2022 상반기 (서합4번,최합)

의 두께를 가져왔습니다. 따라서 저는 각 팀의 DC sputtering의 조건을 분석하였고, 동일 조건에서 DC current를 증가함에 따라 가속전압으로 인해 박막의 두께 ... up sleeve 설계를 고안하였습니다.먼저 차가운 음료의 단열을 위해 가볍고 98%의 단열성을 가진 에어로겔을 선택하였습니다. 구체적인 실험 결과를 도출해 내기 위해 에어로겔 패드 ... 하였습니다. Ni를 sputtering 한 Ge를 wet etching과 thermal annealing을 진행한 후 Raman과 XPS분석을 진행했습니다. 그 결과, SIC와 MIC 방식

자기소개서 | 8페이지 | 5,000원 | 등록일 2022.10.15 | 수정일 2023.02.05

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[반도체실험] MOS capacitors and transistors

전자/광전소자소재실험 MOS capacitors and Transistors [반도체 공정] 1. 반도체 공정에 대하여 간략히 설명하시오. (sputter, ALD ... hematic representation showing the standard sputtering technique 2) ALD(Atomic Layer Deposition)는 원자 ... 가. Source와 p-substrate는 ground 되어 있고 gate와 drain에는 각각 Vg, VD를 걸어준다. Vg>VT 조건 하에서 oxide 아래 channel

리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2025.02.03

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photolithography 및 etching 공정 레포트

의 장비 사용 - 고온공정- 증발일 경우 증착 속도 느림 - 불순물 오염정도 높음Deposited the channel layer3.1 process- 소자를 DC sputter에 넣 ... 어주면 증착시작된다.- 플라즈마가 튀면 셔터를 닫고 Pre-sputtering 진행 (10m)- 10분지나고 셔터열고 5분간 기다린다.- 전원공급 꺼주고 settling value ... Intro반도체공정을 주제로 반도체 제조 공정에 중심적인 내용과 반도체의 역할과 반도체 공정 실험과정에 대해 자세히 조사하여 반도체 공정에 관한 전반적인 내용을 다룬다.1

리포트 | 11페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.10.27 | 수정일 2024.11.08

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22하반가 Canon semiconductor FE

및 CVD, PVD 장비 사용법에 대해 배웠습니다. 박막 증착 기술, 장비의 종류와 원리에 대해 배웠고, 실험과목과 공정실습을 통해 evaporator와 sputter를 이용 ... 했습니다. 사고 예방 및 공정 조건 유지를 위해 일일 점검 관리 및 유지보수, spare parts를 관리했습니다.4.지원동기 (494)OLED의 핵심기술 ? Deposition ... 1.성장과정 (502)# 행동으로 보이는 책임어머니는 말보다 행동으로 보여주셨습니다. 30년 이상 경력의 통신업 베테랑이시지만 팀 교육 준비를 위해 도서관에 가셨고 회사에 일이

자기소개서 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.08.05

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인하대 패터닝 결과보고서

되거나 가속화된 Ar+, Ar*, C2F5 등의 분자가 웨이퍼에 physical sputtering effect를 일으켜 wafer를 etching 한다.#2번 실험을 진행하여 미처 제거 ... 잘 진행될 것(식각 속도가 계속 빨라질 것)같았는데, 이번 실험을 통해 F에 의한 막이 형성됨에 따라 Ar의 sputtering effect를 감소시켜 꽤 많은 농도의 C2F6 ... 실 s8 min90s8 minC2F6/Ar plasma를 발생시켜 해당 조건에서의 식각을 정해진 시간동안 진행한다.Main chamber 내에서의 plasma[1] e- + Ar

리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.09.15

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Photolithography 결과보고서

Photolithography 실험 목적 반도체 8대공정 중에 하나인 Photolithography의 과정을 이해하고, 스핀코터의 조건을 달리하였을 때 유리기판 위에 표시 ... 지 않는 것이 좋다. 4. 노광이 끝난 후 현상액과 증류수를 이용하여 현상을 하고 hard bake를 통해 밀착력을 높여준다. 5. 20mA, 240초로 세팅된 sputter를 이용 ... 가 큰 기판을 잡아주지 못해 1000, 2000, 3000 Rpm 총 세 가지 조건에서 실험을 진행하였다. 이번 실험에서는 사진 2에서 보이는 AZ GAR-601을 PR용액으로 사용

리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.04.05 | 수정일 2024.07.18

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Looking at the synthesised polymer beads by SEM,TEM microscopy

1. 실험제목Looking at the synthesised polymer beads by SEM,TEM microscopy2. 실험목적전자현미경의 종류인 SEM과 TEM을 이용 ... 로는 일반적으로 금, 탄소가 많이 사용되고 있습니다. (참고문헌3)Ion sputter법 : 가장 널리 손쉽게 쓰여지는 방법입니다. 이것은 장치의 구조가 간단하고 조작도 쉽기 때문이며 s ... 하여 시료를 관찰하고 구조와 원리를 이해한다.3. 실험원리?전자현미경 (electron microscope)단위가 작은 자로 거리를 잴수록 정확한 값을 알 수 있듯이 파장이 작

리포트 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.01.18 | 수정일 2023.01.12

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IGZO 산화물 TFT 문제현황 및 개선방안 연구결과 보고서(디스플레이)

를 실험을 통해 확인한다.)- 챔버내부에 두 개의 물질(IZO,IBZO)을 돌려서 서로 위치를 바꿀 수 있는 장비를 장착한다. 이로서 연속적으로 sputtering이 가능하다.2.2 ... 과 소자를 개발한다.1 .4 현실적 제한조건① 실제로 실험해볼 수 없어 문헌적 이론을 통해 결론에 도달하였다.② 설계에 포함된 창의적 사고 또한 실제로 실험해볼 수가 없어서 원 ... )로 나뉘사되며 Active층에 도달할 수 있으므로, Etch Stopper구조를 사용한다.)1.1 유리기판 위에 gate전극을 증착한다.(sputtering)1.2 증착된 gate전극

리포트 | 14페이지 | 5,500원 | 등록일 2020.12.15 | 수정일 2020.12.16

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재료공학실험2(세라믹) 최종보고서

기선택하고, Stage의 높이, 위치, 각도를 조절하여 sampling한 시료를 넣는다.④ XRD 측정 조건을 설정한다. 본 실험에서는 2θ의 범위를 5~90°로 설정하고, 대략 ... , SEM 분석을 통해 소결 조건과 조성에 의한 효과 및 변화에 대한 원인에 대해 이해한다.2. 이론적 배경(1) 첨가제SiO _{2}의 몰 수에 따른 특성 변화① Grain size ... putter를 통해 Au를 sample 표면에 균일하게 코팅하지 않고 Ag paste를 사용하여 불균일하게 코팅되었을 수 있는 가능성과SiO _{2} dopedBaTiO _{3

리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.09.08 | 수정일 2022.09.09

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[재료공학실험]투명전극재료의 합성 및 물성 평가

에는 저항 가열법(thermal evaporation) 과 전자선 가열법(eletron beam evaporation) 그리고 스퍼터링(sputtering) 법의 물리적 증착 ... 투명전극재료의 합성 및 물성 평가1. 실험 목적가. 각종 디스플레이에 투명전극으로 사용되는 ITO (Indium-Tin Oxide) 박막의 제조.나. Plasma 및 ... 전극을 제조하기 위한 성막 방법에 따른 요소 설계 능력 배양.2. 실험 이론 및 원리가. 투명 전극재료투명전극재료는 평판디스플레이, 및 태양전지 등의 소자에서 투명전극으로 사용

리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.02.20 | 수정일 2022.02.22

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집적회로 소자 공정, 반도체 소자 제작 공정 실험 예비보고서

는 박막과 동일한 재료를 증발 또는 스퍼터링을 시켜 deposition하는 기술로서 thermal evaporation, e-beam evaporation, sputtering 등 ... 때문인 것을 알 수 있다.(3) 미리 제작된 실험 동영상을 참고하여 PEDOT:PSS 용액 제조 조건과 Spin coating 조건을 요약한다. Spin coating 조건 ... 를 사용하여 각각 4시간동안 무기 염 이온을 교환함Spin coating 조건기판은 유리로 사용할 것용액은 PH1000 Grade를 0.45μm filtering할 것60s, 3000

리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.09.25

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금오공대 화학적 특성평가 "졸겔" 보고서

Ⅰ. 실험 제목 : 졸겔 반응Ⅱ. 실험 목적TEOS를 이용하여 Sol-Gel 반응 실험을 통해 나노재료 합성을 하고 재료 합성에 관한 조건 및 이론적 해석을 살펴본다. Sol ... 가 가능? 미세하고 균일한 입자로 이루어진 다결정질 세라믹스 합성이 가능? 스퍼터링(sputtering)이나 화학기상증착법(CVD : Chemical vapor deposition ... {38.5mm} TIMES 100%`=`84.4%Ⅵ. 결론 및 고찰이번 실험은 졸겔법을 이용해 나노재료를 합성하고 TEOS 조건에 변화를 주어 변화를 관찰 후 결과에 대해 분석

리포트 | 10페이지 | 4,000원 | 등록일 2023.05.01

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재료공학실험(세라믹) 최종 보고서

(t``/`S) : 핀 간격에 대한 시료의 두께 보정인자※ 본 실험에서 사용한 박막의 두께는 보편적으로 사용되어지는 100nm 정도이나 다른 실험 조건에 따라서 두께는 달라질 수 있 ... } over {W} `=`R _{s} {L} over {W}) 과 같이 변환 할 수 있다. 따라서rho `=`R _{s} `t 로 표현 가능하다.3. 실험장비3.1 스퍼터링-시편: SiO ... Sputtering이 이루어지는 장소-Power: 전원 공급 장치-Substrate: sputtering을 할 시편을 붙여 두는 기판-Target: 시편에 Sputtering

리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.09.08

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[자기소개서] SK 하이닉스 수시채용(2018) 연구개발

이내)[세 가지의 샘플을 동시에 제작하다.]팀에게 필요한 시편과 저의 시편을 최단기로 생산하기 위해 팀 증착장비 2개(sputter, HFCVD)와 쉬고 있는 다른 팀의 증착장비 ... 이 넘어가는 조건들이라 저희 HFCVD 장비 1개로는 박사님 시편을 제작하면 c-BN 박막을 위한 buffer layer 용 다이아몬드 박막은 제작할 수 없는 상황이었습니다. 저는 필요 ... 한 시편들을 단기간 내에 동시에 양산하자는 목표를 세우고, 다른 팀의 HFCVD 장비를 빈 시간에 사용할 수 있는지 동의를 구하여 각각의 공정 조건들을 정리하여 증착 계획을 짜

자기소개서 | 8페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.02.27 | 수정일 2022.03.01

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[화학공학실험] PDLC의 제조 실험 예비보고서(A+실험레포트)

사용한다.- ITO glass : 투명 기판(Glass) 위에 ITO 박막을 sputtering 방법으로 코팅한 전도성 유리로 이번 실험에서는 PDLC의 투명전극으로써 사용한다. ... }, 밝기의 변화가 시작되는 전압)과 구동전압(V _{sat}, 투과도가 90%일 때 걸린 전압)을 측정할 때 사용한다.- 바이알 : 액체 등을 담는 유리용기의 하나로 이번 실험 ... 번 실험에서는 E7액정과 NOA65를 균질 혼합물이 되도록 교반할 때 사용한다.- magnetic stirring bar : 마그네틱 바라고도 불리고 용액을 교반할 때 사용하며 이번

리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.03.18 | 수정일 2021.04.01

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[물리학과][진공 및 박막 실험]진공장비 분해조립 및 Si Wafer cutting

다. 예를 들어 sputtering을 이용할 때는 mTorr의 기압이 필요하나 CVD의 경우에는 그보다 100배 이상의 압력이 사용되고 있다. 반면 각종 표면 분석 장비의 경우는 10 ... 진공장비 분해조립 및 Si Wafer cutting1. 실험목적진공장비 중 로타리 펌프를 분해 및 조립을 해보고 각 부분의 기능 및 명칭을 알아본다.Silicon Wafer를 c ... utting 해본다.2. 실험이론(1) 진공진공이란 원래 라틴어로 ‘vacua’, 즉 기체(물질)가 없는 공간의 상태를 의미하여 이런 이상적인 진공 상태일 때 기압(압력)은 0

리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.09.23

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스퍼터링, RIE 실습 레포트

되면 MFC를 이용하여 실험 조건의 Ar/O _{2}가스 유량으로 조절한다.② 3inch의 구리 타겟을 이용하여 Pre-sputter를 5분간 진행한다.(5) 스퍼터링 증착을 진행 ... 파워로 조절한 뒤 챔버 내부의 불순물, 혹은 타겟 표면의 산화막 등이 기판에 증착되지 않도록 기판을 셔터로 가리고 증착시키는 Pre-sputter를 5분 동안 진행한다. Pre ... -sputter가 끝나면 셔터를 열고 스퍼터링 증착을 진행하는데 이 때 균일한 증착을 위해 로테이션을 돌려준다. 스퍼터링 증착이 종료된 후 전원을 모두 끈 뒤 N2가스를 투입

리포트 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.06.28

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