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IGZO mosfet a-si:h

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"Subthreshold swing" 검색결과 1-20 / 23건

정보소자물리실험 TFT반도체 소자 레포트

소자의 성능의 척도 TFT소자에 특성을 및 성능을 나타내는 요소들은 SS (Subthreshold swing), Mobility, 등이 존재한다. A. Subthreshold ... radio, SS (Subthreshold Swing) 등 트랜지스터의 성능을 나타내는 단위에 대해 조사해보고 직접 계산하여 확인한다. 3. 이론 : 1) TFT ( 박막 ... Swing 우선 Subthreshold Slope 란 개념은 Threshold Voltage보다 작은 전압이 가해짐에도 불구하고 전류가 발생하게 된다는 것이다. (Threshold

리포트 | 10페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.07.04

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MOSFET, MOSCAP 측정 실험 Report

Voltage, Subthreshold swing, Mobility, DIBL 현상을 확인하였다. 또한 Drain에 Voltage를 인가해 Current 변화를 확인하는 ID-VDS c ... 구할 수 있다.Subthreshold region에 흐르는 Diffusion current는 매우 작아 Fig.8과 같이 log scale을 통해 확인하며, 그래프에서 선형 ... 적으로 증가하는 부분의 기울기의 역수를 Subthreshold Swing(SS or S)라고 정의하며 식(1)과 같이 표현할 수 있다. QUOTE ---- (1)이 때, SS는 얼만큼의

리포트 | 14페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.03.28

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강유전체를 이용한 무접합 타원형 Gate-All-Around FET의 문턱 전압 이하 스윙 모델 (Subthreshold Swing Model of Elliptic Junctionless Gate-All-Around FET Using Ferroelectric)

한국전기전자재료학회 정학기

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.13 | 수정일 2025.03.28

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무접합 원통형 및 이중게이트 MOSFET에서 중심전위와 문턱전압이하 스윙 분석 (Analysis of Center Potential and Subthreshold Swing in Junctionless Cylindrical Surrounding Gate and Doube Gate MOSFET)

한국전기전자학회 정학기

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.03 | 수정일 2025.05.16

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대칭형 무접합 이중게이트 MOSFET에서 스케일 길이를 이용한 문턱전압 이하 스윙 모델 (Subthreshold Swing Model Using Scale Length for Symmetric Junctionless Double Gate MOSFET)

한국전기전자재료학회 정학기

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.03 | 수정일 2025.05.16

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Zinc Tin Oxide 투명 박막트랜지스터의 특성에 미치는 활성층 두께의 영향 (Thickness Effects of Active Layers on the Properties of Zinc Tin Oxide Transparent Thin Film Transistors)

한국전기전자재료학회 마대영

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.10 | 수정일 2025.07.19

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가우스 함수의 파라미터에 따른 비대칭형 무접합 이중 게이트 MOSFET의 문턱전압 이하 스윙 분석 (Analysis on Subthreshold Swing of Asymmetric Junctionless Double Gate MOSFET for Parameters for Gaussian Function)

한국전기전자재료학회 정학기

논문 | 9페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.03 | 수정일 2025.05.16

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SK하이닉스, SK하이닉스합격자소서, SK하이닉스최종합격자소서, 대기업직무자소서

해지고 있습니다. 이에 따라, 연구 목표는 subthreshold swing(SS)을 감소시켜 소자의 전력 효율을 개선하는 것이었습니다. 먼저, 관련 논문을 폭넓게 분석하며 이론 ... 과 기술을 실전에 적용한 경험 / 경험의 진실성을 증명할 수 있는 근거가 잘 드러나도록 기술해주세요.) [ALD 반응물 조정으로 Subthreshold Swing 1.8% 감소 ... 하는 방법을 제안하였습니다. Li 이온이 OH기와의 반응성을 높여 Schottky barrier 형성과 subthreshold 영역을 stiff하게 만들어 SS를 줄이는 데 성공

자기소개서 | 3페이지 | 8,000원 | 등록일 2025.01.13 | 수정일 2025.03.05

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Nanosheet Tunneling FETs의 양극성 전류 감소를 위한 이종 게이트 절연막의 적용 (Study on Hetero Gate Dielectrics to Reduce Ambipolar Current in Nanosheet Tunneling FETs)

한국전기전자재료학회 김아영, 방다은, 박효준, 길태현, 연주원, 이문권, 윤의철, 김민우, 전수진, 김문석, 박준영

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.26 | 수정일 2025.07.04

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이중게이트 MOSFET의 스켈링 이론에 대한 문턱전압이하 스윙분석 (Analysis of Subthreshold Swings Based on Scaling Theory for Double Gate MOSFET)

한국정보통신학회 정학기

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.03 | 수정일 2025.05.16

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비대칭 DGMOSFET의 상·하단 게이트전압에 대한 문턱전압이하 스윙 (Subthreshold Swing for Top and Bottom Gate Voltage of Asymmetric Double Gate MOSFET)

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논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.14 | 수정일 2025.07.20

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비대칭 DGMOSFET의 문턱전압이하 스윙에 대한 게이트 산화막 의존성 분석 (Analysis for Gate Oxide Dependent Subthreshold Swing of Asymmetric Double Gate MOSFET)

한국정보통신학회 정학기

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.03 | 수정일 2025.05.16

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비대칭 DGMOSFET의 채널길이와 두께 비에 따른 문턱전압이하 스윙 분석 (Analysis of Subthreshold Swing for Ratio of Channel Length and Thickness of Asymmetric Double Gate MOSFET)

한국정보통신학회 정학기

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.03 | 수정일 2025.05.16

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비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널도핑에 따른 문턱전압이하 스윙 분석 (Analysis of Subthreshold Swing for Channel Doping of Asymmetric Double Gate MOSFET)

한국정보통신학회 정학기

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.03 | 수정일 2025.05.16

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소자 파라미터에 따른 비대칭 DGMOSFET의 문턱전압이하 스윙 분석 (Analysis of Subthreshold Swing Mechanism by Device Parameter of Asymmetric Double Gate MOSFET)

한국정보통신학회 정학기

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.03 | 수정일 2025.05.16

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도핑분포함수에 따른 비대칭 MOSFET의 문턱전압이하 스윙 분석 (Analysis of Subthreshold Swing for Doping Distribution Function of Asymmetric Double Gate MOSFET)

한국정보통신학회 정학기

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.14 | 수정일 2025.07.20

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산화막두께 및 도핑분포에 대한 DGMOSFET의 문턱전압이하 스윙분석 (Analysis of Subthreshold Swing for Oxide Thickness and Doping Distribution in DGMOSFET)

한국정보통신학회 정학기

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.27 | 수정일 2025.05.14

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비대칭 이중게이트 MOSFET에서 상단과 하단 산화막 두께비가 문턱전압이하 스윙에 미치는 영향 (Influence of Ratio of Top and Bottom Oxide Thickness on Subthreshold Swing for Asymmetric Double Gate MOSFET)

한국정보통신학회 정학기

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.03 | 수정일 2025.05.16

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비대칭 DGMOSFET의 도핑분포함수에 따른 전도중심과 문턱전압이하 스윙의 관계 (Relation of Conduction Path and Subthreshold Swing for Doping Profile of Asymmetric Double Gate MOSFET)

한국정보통신학회 정학기

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.03 | 수정일 2025.05.16

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문턱전압이하 영역에서 이중게이트 MOSFET의 스켈링 이론과 단채널효과의 관계 (Relation of Short Channel Effect and Scaling Theory for Double Gate MOSFET)

한국정보통신학회 정학기

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.09 | 수정일 2025.05.08

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