"Removal Rate(연마율)"의 검색결과 입니다.

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"Removal Rate(연마율)" 검색결과 1-20 / 31건

기계화학적 연마용 실리카 연마재의 형상과 크기가 산화막 연마율에 미치는 영향 (Effect of Size and Morphology of Silica Abrasives on Oxide Removal Rate for Chemical Mechanical Polishing)

한국공업화학회 이진호, 임형미, 허수현, 정정환, 김대성, 이승호

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.27 | 수정일 2025.05.14

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산화막 CMP에서 패드 두께가 연마율과 연마 불균일도에 미치는 영향 (Effect of Pad Thickness on Removal Rate and Within Wafer Non-Uniformity in Oxide CMP)

한국전기전자재료학회 배재현, 이현섭, 박재홍, Hideaki Nishizawa, Masaharu Kinoshita, 정해도

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.27 | 수정일 2025.05.14

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콜로이달 실리카 입자 형상에 따른 CMP 특성에 관한 연구 (A Study on CMP Characteristics According to Shape of Colloidal Silica Particles)

대한기계학회 김문성, 정해도

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.09 | 수정일 2025.05.08

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선형 롤 CMP에서 플로팅 노즐을 이용한 연마 특성에 관한 연구 (A Study on the Polishing Characteristics Using Floating Nozzle in Linear Roll CMP)

한국정밀공학회 이치호, 정해도

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.23 | 수정일 2025.05.13

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자성체 피복형 연마입자를 이용한 유리의 평면 래핑의 기초 연구 (Fundamental Research on Polishing of Glass Plates by Coated-type Magnetic Abrasives)

한국기계가공학회 문봉호

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.08 | 수정일 2025.07.11

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CMP 공정에서 압력과 정반속도가 사파이어 웨이퍼 재료제거율에 미치는 영향 (The Effect of Pressure and Platen Speed on the Material Removal Rate of Sapphire Wafer in the CMP Pro)

한국트라이볼로지학회 박상현, 안범상, 이종찬

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.19 | 수정일 2025.06.27

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On the Relationship between Material Removal and Interfacial Properties at Particulate Abrasive Machining Process (On the Relationship between Material Removal and Interfacial Properties at Particulate Abrasive Machining Process)

한국트라이볼로지학회 성인하

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.10 | 수정일 2025.03.28

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CMP 공정에서의 웨이퍼 연마 불균일성에 대한 유한요소해석 연구 (Study on Within-Wafer Non-uniformity Using Finite Element Method)

한국트라이볼로지학회 성인하, 양우열

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.15 | 수정일 2025.05.22

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MR Fluid Jet Polishing 시스템을 위한 분사노즐 및 전자석 모듈 개발 (Development of an Injection Nozzle and an Electromagnet Module for a MR Fluid Jet Polishing System)

한국생산제조학회 이정원, 조용규, 하석재, 신봉철, 조명우

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.22 | 수정일 2025.05.26

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사파이어 웨이퍼 DMP에서 마찰력 모니터링을 통한재료 제거 특성에 관한 연구 (A Study of Material Removal Characteristics by Friction Monitoring System of Sapphire Wafer in Single Side DMP)

한국트라이볼로지학회 조원석, 김형재, 이태경, 이성범, 이상직

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.20 | 수정일 2025.05.11

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사파이어 화학기계적 연마에서 결정 방향이 재료제거특성에 미치는 영향 (Effect of Crystal Orientation on Material Removal Characteristics in Sapphire Chemical Mechanical Polishing)

한국트라이볼로지학회 이상진, 이상직, 김형재, 박철진, 손근용

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.10 | 수정일 2025.06.16

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카드뮴 텔룰라이드 CMP공정에서 산화제가 연마에 미치는 영향 (Effect of Oxidizer on the Polishing in Cadmium Telluride CMP)

한국정밀공학회 신병철, 정해도, 이창석

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.23 | 수정일 2025.05.13

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심층 신경망을 이용한 패드 표면 거칠기 기반 CMP 재료 제거율 예측 (Prediction of CMP Material Removal Rate based on Pad Surface Roughness Using Deep Neural Network)

한국정밀공학회 정종민, 정선호, 신영일, 박영욱, 정해도

논문 | 9페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.28 | 수정일 2025.05.15

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The Study on Burr Removal Rate Along the Cutting Radial Distance in U-type Flow Channel (The Study on Burr Removal Rate Along the Cutting Radial Distance in U-type Flow Channel)

한국기계가공학회 손출배, 이정희, 곽재섭

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.08 | 수정일 2025.05.17

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[중앙대 A+, 제조공학실험]연마 폴리싱 레포트

에는 최대한 그 간격을 넓게 하여 가공 시간을 최소화 한다.(3) 연마재Polishing 과정에서의 removal rate(절삭률)은 사용되는 연마재와 깊은 연관이 있다. 다이아몬드 ... POLISHING(연마) 에 대한 조사1. 기계적 가공과 가공 목표기계적 가공은 현미경 검사를 위해 재료학적 시편을 가공하는 데 있어 가장 보편적으로 사용되는 메소드이다. 가공 ... 과정은 100% 재현할 수 있어야 한다.2. 기계적 시편 가공기계적 시편 가공은 기본적으로 재질 절삭으로, 단계적으로 점점 더 작은 연마 입자를 이용하여 요구되는 결과를 얻을 때

리포트 | 12페이지 | 4,900원 | 등록일 2020.03.07 | 수정일 2020.03.09

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반도체 공정 관련 내용 정리 리포트

, past) -> dynamic(저속 회전하며 nozzle 분사 후 wafer 고속 회전, now) + Edge Based Removal(side rinse, thinner(s ... accuracy, physical + chemical reactionSelectivity = 상부막질의 etch rate/ 하부막질의 etch rateEnd Point Detection ... 하여 연마(평탄화)Depth Of Focus – resolution 과 반대, but 가성비 resolution > DOF누르는 힘에 비례 제거량 highCMP Slurry = DIW

리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.03.12

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반도체 CMP공정 교육자료

electivity, removal rate, removal rate ratio, Defect, Particle, Pad lifetime...Over polishingJust ... 을 이용하여 Wafer상에 도포된 산화막이나 금속 박막을 연마하여 평탄화 또는 제거하는 공정Rotary type CMPPlatenCarrierSlurryPolish ... Re-flow (800℃, 30min)Cell EdgeCell CenterAfter CMPCMP 기술의 필요성- 연마 불균일도( WIWNU, WTWNU, LTLNU etc, 1σ

리포트 | 42페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.10.20

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반도체 웨이퍼 기판 및 정밀가공부품에 관련한 가공방법 및 가공을 위한 공구에 관한 전체적인 윤곽을 잡아주도록 작성되었습니다.

하여 연마공정- 웨이퍼의 연마가 진행됨에 따라 Pad 의 기공이 연마 잔유물들에 의해 막히거나 찌그러져서 웨이퍼의 Removal rate 의 감소를 방지하기위해 사용다이아몬드금속본드 ... October .2011정밀산업의 가공방법 및 공구개 요정밀산업의 공구1.연마입자 2.결합재료에 따른 공구분류 3.연마재 종류에 따른 공구분류 4.정밀공구의 형태 5. PCD ... 가공공구 11. 반도체용 실리콘 웨이퍼 정밀가공공구연마입자연마입자의 종류연마용 입자다이아 몬드ＣＢＮ초연마 입자일반연마입자ＧＣＷＡＧＣ(ＳｉＣ)・ＷＡ(Al2Ｏ3)로 세라믹제로 된 연마

리포트 | 41페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.04.10

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TCO

제작 가능[13].(1) PC 기판 :? 장점 : 우수한 광학적, 기계적 특성? 단점 : 내화학성에 취약 (Keton계열),? 문제점 : PR developer, PR remover ... ) 표면이 거칠다.(2) Haze가 높다. (뿌옇다) [ ~4% 가량](3) 공정 중에 Coverage rate가 42.25%를 넘어가면 투과도가 80% 아래로 떨어진다.3.6 ... 2된 박판 강화유리를 절단 또는 연마하는 단계 및 (d) 절단 또는 연마된 강화유리에서 코팅된 세라믹 폴리머를 박리하는 단계를 포함하고 있다.여기서, (a) 단계는, 초음파 세척

리포트 | 41페이지 | 6,000원 | 등록일 2013.07.14

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초정밀다이아몬드터닝(Ultra-precision CNC machine)의 가공기술

. 정밀 가공(precision machining ) :안정되고 달성 가능한 가공 정도의 상한을 추구하는 가공.1. 초정밀 가공기술 정밀가공의 정의제거가공(removal ... machining) : 피가공물로 부터 재료를 제거하여 원하는 형상을 얻는 가공방법. Ex) 다이아몬드 공구를 이용한 초정밀 절삭가공, 연마입자에의한 초정밀 연마가공법 등. 증착가공 ... 하는 방법.3. 초정밀 절삭가공단점 1. 연마입자를 이용한 래핑이나 폴리싱 가공이 형상정도와 표면 정밀도를 동시에 얻기 힘듬. 2. 가공시간이 너무길어 가공비용이 많이듬. 장점 1. 다량

리포트 | 19페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.07.28

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