"Power MOSFET"의 검색결과 입니다.

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"Power MOSFET" 검색결과 1-20 / 552건

Al₂O₃ 게이트 절연막을 이용한 GaN Power MOSFET의 설계에 관한 연구 (Optimal Design of GaN Power MOSFET Using Al₂O₃Gate Oxide)

한국전기전자재료학회 남태진, 강이구, 정헌석

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.26 | 수정일 2025.07.04

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산업 파워 모듈용 900 V MOSFET 개발 (Development of 900 V Class MOSFET for Industrial Power Modules)

한국전기전자재료학회 정헌석

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.14 | 수정일 2025.06.17

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Gate 전하를 감소시키기 위해 Separate Gate Technique을 이용한 Trench Power MOSFET (Trench Power MOSFET using Separate Gate Technique for Reducing Gate Charge)

한국전기전자학회 조두형, 김광수

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.12 | 수정일 2025.03.28

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DC/DC 강압컨버터용 MOSFET의 TID 및 SEGR 실험 (TID and SEGR Testing on MOSFET of DC/DC Power Buck Converter)

한국항공우주학회 노영환

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.15 | 수정일 2025.06.17

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Hot Carrier Stress로 인한 SOI MOSFET의 전력 성능 저하 (Effect of Hot Carrier Stress on The Power Performance Degradation in SOI MOSFET)

대한전자공학회 이병진, 박성욱, 박종관

논문 | 4페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.21 | 수정일 2025.05.13

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낮은 온저항과 칩 효율화를 위한 Unified Trench Gate Power MOSFET의 설계에 관한 연구 (Design of Unified Trench Gate Power MOSFET for Low on Resistance and Chip Efficiency)

한국전기전자재료학회 강이구

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.12 | 수정일 2025.07.19

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차폐형 게이트 구조를 갖는 전력 MOSFET의 전기적 특성 분석에 관한 연구 (Analysis of Electrical Characteristics of Shield Gate Power MOSFET for Low on Resistance)

한국전기전자재료학회 강이구

논문 | 4페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.13 | 수정일 2025.03.28

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SiC MOSFET를 사용한 3상 인버터용 게이트 드라이버 전원 설계 (Design of Gate Driver Power Supply for 3-Phase Inverter Using SiC MOSFET)

전력전자학회 이상용, 정세교

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.15 | 수정일 2025.06.17

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배전용 반도체 변압기 구현을 위한 SiC MOSFET 기반 전력변환회로 단위모듈 설계에 관한 연구 (Design and Implementation of a Power Conversion Module for Solid State Transformers using SiC MOSFET Devices)

전력전자학회 임정우, 조영훈

논문 | 9페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.07 | 수정일 2025.05.17

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동적 문턱전압 MOSFET를 사용한 새로운 저전압 저전력 셀프 캐스코드 구조의 설계 및 응용 (Design and Application of New Low-voltage Low-power Self-cascode Structures Using Dynamic Threshold MOSFET)

대한전자공학회 한석붕, 고진환, 송한정, 김강철

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.03 | 수정일 2025.05.16

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Power mosfet 조사 레포트(동작원리, 구조 등)

(Power Device)는 전력 장치용 반도체 소자로, 다양한 산업군서 수요가 증 가하고 있다. 또한 전력변환이나 제어용으로 최적화된 전력 전자공학(Power Electronics)의 핵심 소자이며 파워 트랜지스터, 다이오드, 사이리스터(thyristor) 등으로 구분된다.

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.07.09 | 수정일 2016.12.26

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전자공학응용실험 - MOSFET 기본회로 / MOSFET 바이어스회로 예비레포트

1차 예비레포트학번 :이름 :분반 :1. 실험 제목 : 실험 9. MOSFET 기본특성실험 10. MOSFET 바이어스 회로2. 실험 목적 :실험 9 :MOSFET 은 전계효과 ... 다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소오스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. 이 실험에서는 MOSFET의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 ... 영역을 실험을 통하여 확인하고자 한다.실험 10 :MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC바이어스가 인가 되어야 하며, 이때의 DC바이어스를 동작 또는 Q점이

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 16페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.12.20

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Bipolar Junction Transistor 실험

A, class C amplifier를 구현하고 amplifier의 여러 특성을 관찰하고, 다양한 값들을 구해보는 것이다. class A에서는 power gain ... 는 FET라 부른다. FET는 다시 JFET(junction FET)와 MOSFET(metal oxide semiconductor FET)로 분류할 수 있으며, MOSFET는 EMOS ... (enhancement MOSFET)와 DMOS(depletion MOSFET)로 분류된다. BJT는 NPN 형과 PNP 형이 있으며, FET 는 n-channel과 p-c

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.16

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광운대 전자회로2 Project 보고서 (A+학점 자료)

a voltage gain of 4 with a power budget of 2mW while the voltage drop across Rs is equal to 200mV ... % of the allocated power, design the circuit.Assume the following parameters:(a) Since 5% of power is ... .04mS(e) Determine R1+R2 for 5% of the total power to be dissipated here.(f) Determine R1 and R2 to

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 24페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.08.24

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80 V급 저전력 반도체 소자의 관한 연구 (Design of 80 V Grade Low-power Semiconductor Device)

한국전기전자재료학회 심관필, 안병섭, 강예환, 홍영성, 강이구

논문 | 4페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.06 | 수정일 2025.05.17

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[2024/A+]서울시립대_전전설3_실험8_예비

ource에 흐르는 전류 측정실험 1-2실험 1-1에서 구한 값을 위 식에 대입연립방정식을 풀어 , 값 구하기실험 장비컴퓨터Power supply멀티미터MOSFET 회로N ... b전자전기컴퓨터공학 설계 및 실험 Ⅲ[실험8. Basic Mosfet Circuit]예비레포트날짜: 2024.05.10.학번:이름:목차Ⅰ. 서론실험 목적배경 이론Ⅱ. 실험 장비 ... 및 실험 방법실험 순서실험 장비Ⅲ. 예비보고서예비보고서0예비보고서1예비보고서2Ⅳ. 참고문헌서론 (Introduction)실험 목적MOSFET의 동작원리 이해MOSFET 설계 및

리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2025.03.10

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[부산대학교 응용전기전자실험2] mosfet 예비보고서

.81502.*************.23.23001.56005그림 13-2 MOSFET 벅- 쵸퍼의 동작을 관측하는 데 사용된 회로Power supply의 전압조절단자를 서서히 돌려 교류 ... 그림 13-5 MOSFET 벅-쵸퍼의 입?출력에서 전력측정회로다음 값을 설정한다.쵸퍼/인버터제어장치DC SOURCE 1 MIN.DC SOURCE 2 MAX.■ 17. Power s ... .550030010220146714670.8H, 1.5Adc max6001.53006005그림 14-2 MOSFET 부스트-쵸퍼의 동작을 관측하기 위한 회로도■ 9. Power supply에서 전압조절단자를 0

리포트 | 20페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.02.27

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캡스톤 발표 자료

Tunnel-FET Based SRAM Bit Cell Design Student Member :CONTENTS 1. INTRODUCTION 2. MOSFET AND TFET 3 ... as one of the promising candidates for ultralow-power (ULP) applications. We investigate and express ... TFET and MOSFET together.MOSFET DISADVANTAGE MOSFET is worse on / off than TFET at low VDD

리포트 | 17페이지 | 10,000원 | 등록일 2023.06.22

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4. MOSFET 소자 특성 측정 결과보고서

Power Supply를 회로에 연결 전에 ! = 0, " = 5로 조정 후 Output OFF 후에 연결한다.그림 1. MOSFET 소자 측정 회로도 그림 2. 실제 회로 연결 ... 4. 설계실습 내용 및 분석(결과 report 작성 내용)4.1 MOSFET 회로의 제작 및 측정(A) 그림 1의 회로를 제작하여라. 이때, !=1MW으로 설정한다. 또한, DC ... 모습(B) !를 1.0V부터 0.1V씩 높여가며 Power Supply의 "를 인가하는 Port의 전류를 측정한다. 측정한 전류가 130mA이상이 되면 측정을 중지한다. (낮은 전압부터 올리면서 측정한다.)

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2025.07.22

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[2024/A+]서울시립대_전전설3_실험9_예비

의 결과를 토대로 이 되도록 하는 와 를 찾기실험 장비컴퓨터Power supply디지털 멀티미터함수발생기MOSFET 회로N-Channel MOSFET : 2N7000 2개, FU ... 한 장비 목록을 작성하시오.컴퓨터Power supply디지털 멀티미터함수발생기실험에 필요한 소자 목록을 작성하시오.브레드보드N-Channel MOSFET : 2N7000 2개, FU ... 실험 순서실험 장비Ⅲ. 예비보고서예비보고서1예비보고서2예비보고서3Ⅳ. 참고문헌서론 (Introduction)실험 목적MOSFET 트랜지스터를 사용하여 CMOS Inverter 설계

리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2025.03.10

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