"Czochralski"의 검색결과 입니다.

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결정 성장 실험 반도체 8대공정 쵸크랄스키 공법 브리즈만 법 led제조공정 crystal growth solar cell 공정

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"Czochralski" 검색결과 1-20 / 153건

Czochralski법에 의한 ZnWO4 단결정 성장 및 특성분석 (Single crystal growth of ZnWO4 by the Czochralski method and characterization)

한국분석과학회 임창성

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.09 | 수정일 2025.05.08

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Effect of asymmetric magnetic fields on the interface shape in Czochralski silicon crystals (Effect of asymmetric magnetic fields on the interface shape in Czochralski silicon crystals)

한국결정성장학회 홍영호, 심광보

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.09 | 수정일 2025.05.08

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Czochralski법으로 성장된 RE : YAG(RE = Nd 3+ , Er 3+ ) 단결정의 결함분석 (Defects analysis of RE : YAG (RE = Nd 3+ , Er 3+ ) single crystal synthesized by Czochralski method)

한국결정성장학회 박청호, 주영준, 김혜영, 심장보, 김철진

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.09 | 수정일 2025.05.08

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Czochralski법으로 Er2o3이 첨가된 Near Stoichiometric 조성 LiNbO3 단결정의 성장 및 특성 변화 (Growth and Variance of Properties Er2O3 Doped Near Stoichiometric LiNbO3 Single Crystals by the Czochralski Method)

한국세라믹학회 이성문, 신동익, 김근영, Masayuki Habu, Takeshi Ito, Masakimi Natori, 윤대호

논문 | 1페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.09 | 수정일 2025.05.08

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수치해석에 의한 CZ 실리콘 성장로의 단열재 설계 (Design of Insulators in a Czochralski Silicon Furnace by Numerical Analysis)

대한금속·재료학회 신종식, 최왕기, 김기영

논문 | 10페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.21 | 수정일 2025.05.13

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Czochralski 법으로 성장된 Yb 3+ doped Y3Al5O12 단결정의 성장 분위기 및 도핑농도에 따른 광학적 특성 (Optical properties of Yb 3+ doped Y3Al5O12 single crystals derived by the Czochralski method according to growth atmosphere and doping concentration)

한국결정성장학회 심장보, 이영진, 강진기, 이영국

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.09 | 수정일 2025.05.08

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쵸크랄스키법에서 온도 프로파일에 대한 충진사이즈의 효과에 대한 이해 (Understanding of the effect of charge size to temperature profile in the Czochralski method)

한국결정성장학회 백성선, 권세진, 김광훈

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.04 | 수정일 2025.07.05

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쵸크랄스키법에 의한 LiLa1-xNdx(MoO4)2 단결정 육성 연구 (LiLa1-xNdx(MoO4)2 Single Crystal Growth by the Czochralski Method)

한국세라믹학회 배인국, 채수천, 장영남, 김상배

논문 | 1페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.09 | 수정일 2025.05.08

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초크랄스키법에서 도가니의 온도구배가 유동장에 미치는 영향에 대한 수치해석 연구 (Numerical Study of Melt Flow Pattern by Thermal Gradient of the Crucible in the Czochralski Process)

대한금속·재료학회 박종인, 한정환

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.17 | 수정일 2025.05.10

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저항가열 초크랄스키법에 의한 야그 단결정 성장의 전산모사 연구 (Numerical Simulation of Yttrium Aluminum Garnet(YAG) Single Crystal Growth by Resistance Heating Czochralski(CZ) Method)

대한금속·재료학회 유명현, 차필령

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.09 | 수정일 2025.05.08

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생산성 증대를 위한 대구경 잉곳 연속 성장 초크랄스키 공정 최적 속도 연구 (A Study of Optimum Growth Rate on Large Scale Ingot CCz (Continuous Czochralski) Growth Process for Increasing a Productivity)

한국화학공학회 이유리, 노지원, 정재학

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.17 | 수정일 2025.05.10

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무결정결함영역을 유지하면서 에너지를 절감하는 초크랄스키 실리콘 단결정 성장로 수냉관 최적 설계 (Optimal Water-cooling Tube Design for both Defect Free Process Operation and Energy Minimization in Czochralski Process)

한국태양광발전학회 채강호, 조나영, 조민제, 정현준, 정재학, 성수환, 육영진

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.09 | 수정일 2025.05.08

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쵸크랄스키법 실리콘 성장로에서 핫존 온도분포 경향에 대한 히터와 석영도가니의상대적 위치의 영향 (Influence of relative distance between heater and quartz crucible on temperature profile of hot-zone in Czochralski silicon crystal growth)

한국결정성장학회 김광훈, 권세진, 김일환, 박준성, 심태헌, 박재근

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.29 | 수정일 2025.07.04

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Pulling rate, rotation speed 및 melt charge level 최적화에 의한 쵸크랄스키 공정 실리콘 단결정의 O2 불순물 최소화 설계 (A Czochralski Process Design for Si-single Crystal O2 Impurity Minimization with Pulling Rate, Rotation Speed and Melt Charge Level Optimization)

한국화학공학회 전혜준, 박주홍, 블라디미르 아르테미예프, 황선희, 송수진, 김나영, 정재학

논문 | 12페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.09 | 수정일 2025.05.08

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Czochralski method

Czochralski methodCzochralski 약력 Cz method 원리 Cz method 공정 응용분야차 례1885년 폴란드 태생 1900년 베를린으로 이주 1907년 ... AEG 근무Czochralski1916년 Cz method 개발 1929년 바르샤바 기술대학 1953년 사망Czochralski성장 공정은 1412℃ 이상 유지. 진공상태 필요

리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.20

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결정성장법(CZOCHRALSKI METHOD)쵸크랄스키 방법

결정성장법 (CZOCHRALSKI법)응고및 결정성장론 1조결정성장방법의 범주결정 성장은 상변화의 세심한 조절을 필요로한다. 따라서 결정성장법에 대한 세가지의 범주를 정의할 수 있 ... (ZONE MELTING) 화염융해, 축받이성장 (FLAME FUSION OR PEDESTAL GROWTH)결정끌어올리기 (CRYSTAL PULLING)CZOCHRALSKI 의 연구 ... 으로 키우기 시작. 실질적으로 III-V족 반도체 생산에 사용Czochralski crystal pulling결정성장 준비과정1.액체 상태물질에 대한 제한 (1)물질의 용융점이 적합

리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.01.20

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초크랄스키(Czochralski)법에 의한 단결정 성장과 그 예

-초크랄스키(Czochralski)법에 의한 단결정 성장-학번 : 0000000성명 : 홍 길 동Ⅰ. INTRODUCE- 단결정 성장법이 가장 많이 쓰이는 응용범위를 말 ... , 단결정 성장의 개념이해를 위해 단결정 성장이 이루어지는 원리에 대해 간단히 살펴본 뒤, 여러 가지 단결정 성장법 중에서 Cz법(Czochralski)에 의한 성장법에 대해 자세히 ... 다루도록 하겠다. 그리고 Cz법(Czochralski)에 의해 성장된 여러 가지 단결정을 비교해서 가장 적합한 방법이 무엇이며, Cz법이 다른 합성법에 비해 어떠한 문제점들을 안

리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2006.11.07

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반도체 8대 공정 제조기술 및 프로세스에 대한 자료

의 8 대 공정 요약도 후 공정 실리콘 잉곳 Wafer 제조 공정 - step 1. 잉곳 제조 쵸크랄스키법 ( Czochralski , CZ method) 산업현장 ingot ... growth Czochralski , CZ method Float-zone , FZ method 1. Wafer 제조 공정 - step 2. 잉곳 절단 연마 ingot growth ... Czochralski , CZ method Float-zone , FZ method wafer slicing polishing 산화공정이란 ? – 산화 방법 SiO2 의 형성

리포트 | 33페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.12.09 | 수정일 2021.12.13

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알루미나 단결정 성장법

되어 결정막이 생성된다. 이 후 원료를 공급함과 동시에 알루미나 봉을 서서히 하강하여 결정을 성장시키는 방법이다.2-2 Czochralski methodCzochralski법 ... 은 Jan Czochralski에 의해 1918년 결정성장법으로 Verneuil법의 핵생성과 결정성장 속도 그리고 직경을 조절하는 원리를 응용하여 금속 도가니에 원료를 용융하여 seed ... 법이다. 이방법을 사용 해서 알루미나 단결정인 사파이어를 제조할수있다.◆Seed결정 이란용액에서 결정을 성장시킬 때 핵이 되는 결정 조각▷ Czochralski 사파이어 성장과정

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.12.28

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하세요.13. 실리콘 카바이드(SiC)와 질화 갈륨(GaN)의 특성 차이를 설명하세요.14. Czochralski 공정과 Float-zone 공정의 차이점은 무엇입니까?15. 반도체

자기소개서 | 280페이지 | 9,900원 | 등록일 2024.06.15

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