"컨덕턴스"의 검색결과 입니다.

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전자공학실험 11장 증폭기 behzad razavi 공통소오스증폭기 Θ와의 관계 다단증폭기 전자회로

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"컨덕턴스" 검색결과 1-20 / 665건

Hopfield 신경회로망에서 뉴론의 입력단 컨덕턴스 (Input conductance of neuron for Hopfield Neural Networks)

한국전기전자학회 강민재

논문 | 10페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.09 | 수정일 2025.05.08

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컨덕턴스의 개념을 사용한 공압관 시스템의 유량 예측 (Flow Rate Prediction of Pneumatic Pipe System Using Concept of Conductance)

대한기계학회 김진현, Ruoyu Deng, 김희동

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.21 | 수정일 2025.03.28

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전압 차동 트랜스컨덕턴스 증폭기를 사용한 새로운 플로팅 인덕터 (A New Floating Inductor Using A Voltage Differencing Transconductance Amplifier)

대한전기학회 방준호, 이종열

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.16 | 수정일 2025.06.17

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반도체공정 고진공시스템 진공특성에 대한 배기도관 컨덕턴스 영향 전산모사 (Simulation of Conductance Effects on Vacuum Characteristics of High Vacuum System for Semiconductor Processing)

한국전기전자재료학회 김형택, 서만재

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.07 | 수정일 2025.05.17

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전류영점 영역에서 파퍼식 SF6 가스차단기의 아크 컨덕턴스에 관한 연구 (A Study on Arc Conductance of Puffer Type SF6 GCB at Current Zero Period)

대한전기학회 정진교, 송기동, 이우영, 김규탁

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.03 | 수정일 2025.06.06

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입력 전압 크기와 무관한 일정 트랜스컨덕턴스 구현을 위한 폴디드 캐스코드 연산 증폭기 설계 (Folded Cascode OP Amp Design for Constant Transconductance Independent of Input Voltage Magnitude)

한국정보기술학회 유영관, 손상희

논문 | 9페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.18 | 수정일 2025.07.21

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2단계 자동 트랜스컨덕턴스 조절 기능을 가진 저전력, 광대역 전압제어 발진기의 설계 (A Low Power, Wide Tuning Range VCO with Two-Step Negative-Gm Calibration Loop)

대한전자공학회 김상우, 박준성, 부영건, 허정, 이강윤

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.10 | 수정일 2025.06.16

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납축전지 건전상태 진단을 위한 기준 임피던스/컨덕턴스 설정에 관한 연구 (A Study on the Establishment of Impedance/Conductance Guide Line for Diagnosis of Lead-Acid Battery's State of Health(SOH))

대한전기학회 김종민, 방선배, 송길목

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.10 | 수정일 2025.07.11

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하이브리드 파이 모델의 직류정의식 : 상호컨덕턴스 gm

한 기호가 익숙치 않지만, 각 단에 흐르는 전류가 어떤 형태인지는 명료해 진다. 위 그림의 트랜지스터로부터 지금부터 구하려고 하는 것은 gm[ 상호 컨덕턴스( mutual c ... onductance ) 또는 트랜스 컨덕턴스( transconductance ]를 직류적으로 정의된 식이다.베이스-에미터간의 전압은 아래와 같이 쓸 수 있다.베이스-에미터간의 전압이 정해 ... 와 같이 된다.여기서 우리는 소신호에 해당하는 것만을 취하면 되기 때문에 직류는 생각하지 말고, 교류만 뽑아서 사고해 주면 된다.처음 gm[ 상호 컨덕턴스( mutual c

리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.08.02 | 수정일 2016.08.08

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인덕턴스와 컨덕턴스

일이 만드는 자속의 방향이 역방향이 되는 접속L=L1+L2-2M[H]컨덕턴스 [ conductance ]전기회로에서 회로 저항의 역수(逆數).어드미턴스 Y=G － j B 의 실수부 ... G를 말한다. 여기서 B 는 서셉턴스, j는 허수단위이다. 단위는 모(mho). 회로가 순저항(純抵抗)으로 되는 경우, 즉 저항이 R Ω의 값을 표시하는 직류회로일 때의 컨덕턴스 ... 는 1/R Ω가 된다.저항과는 반대되는 개념인 회로소자의 컨덕턴스(conductance, G)를 정의해 두는 것이 편리할 때가 가끔 있다.컨덕턴스의 단위는 지멘(siemen, S

리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2001.12.07

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통신이론(임피던스, 인덕턴스, 리액턴스, 컨덕턴스, 캐패시턴스) 개념과 특징

{임피던스{임피던스란?임피던스 역시 매우 기초적이고 간단한 개념임에도 불구하고 의외로 헷갈려하는 사람들이 많다. 임피던스의 원래 정의는 다음과 같다.{임피던스 : 특정 구조/회로 위치에서의 전압과 전류의 비Impedance라는 단어를 사전에서 찾아보면 '방해, 저지' ..

리포트 | 18페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.11.14

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20. 공통 소스 트랜지스터 증폭기

컨덕턴스 을 계산한다.전압 이득의 이론값을 계산한다.20ms동안 시간 영역 해석을 수행한다.RMS(V(OUT))//RMS(V(SIGNAL))의 비를 구한다.RMS(V(SIGNAL ... , 출력 임피던스 세 가지 중 트랜스 컨덕턴스 값에 영향을 받는 것은 무엇인가?이 모의실험의 첫 번째 회로에서 저항 RD를 4kΩ로 바꾸고 20ms동안 시간영역 해석을 수행

리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.12.14

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소신호 MOSFET 증폭기

에서 소신호 컨덕턴스와 드레인 전류와의 관계를 확인한다.?MOSFET과 저항으로 구성된 차동 증폭기의 소신호 공통 모드 및 차동 모드의 이득을 계산한다.?높은 이득을 가진 연산 증폭기 ... > V_GS - V_TR 이다.위와 같은 조건에서 드레인 전류 방정식 및 트랜스 컨덕턴스는 아래와 같이 계산할 수 있다.I _{D} = {1} over {2} k _{n} {W

리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.02.10

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(A+) 전자회로실험 FET바이어스 회로 및 FET 증폭기 예비레포트 / 결과보고서

}} ) ^{2}의 관계가 성립된다. FET의 3정수인 증폭정수 μ, 드레인저항r _{d} , 상호컨덕턴스g _{m}은 다음과 같이 정의 된다.LEFT . mu = {DELTA v ... )는 출력특성곡선({i}_{D}-{v}_{DS})에서 기울기 값의 역수를 취하여 구할 수 있고gm(상호컨덕턴스)은 전달특성곡선({i}_{D}-{v}_{GS})에서 기울기 값

리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.01.10

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[A+보고서] Floyd 회로이론실험 결과레포트_ 9. 병렬회로

적 배경-병렬회로: 전류가 흐르는 통로가 둘 이상인 회로로, 전압원은 각 회로소자에 동일하게 인가된다. -컨덕턴스: 저항의 역수로, 전압원의 크기가 그대로인데 회로의 총 전류가 증가 ... 하면 합성 저항의 값은 옴의 법칙에 따라 감소하고, 병렬회로의 총 컨덕턴스는 개별적인 컨덕턴스의 합이다. -키르히호프의 전류법칙(KCL): 임의의 회로 접합점으로 들어가는 전류

리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.08.17

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2024 대구교통공사 전자직 면접대비자료(최종합격)

(128) 전달 컨덕턴스(gm): 게이트 전압의 변화에 대한 드레인 전류에서의 변화(129) 밀러효과? = 밀러의 정리: 증폭회로에서 입력측과 출력측 사이에 존재하는 캐패시턴스

자기소개서 | 1페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.10.07

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선로정수의 종류 5가지를 서술하고 설명하시오.

적 특성을 구체적으로 설명하기 위해선 다섯 가지 선로정수를 상세히 살펴볼 필요가 있습니다. 이는 저항, 인덕턴스, 정전용량, 컨덕턴스, 그리고 누설 인덕턴스로 구성되며, 각 항목 ... .4) 컨덕턴스절연체를 통해 흐를 수 있는 누설 전류의 정도를 나타내는 지표입니다. 절연체의 품질이 좋지 않거나 주변 환경이 극도로 습한 경우 컨덕턴스 값이 커져 전력 손실이 발생 ... 하고, 안전 문제로 이어질 수 있습니다. 따라서 컨덕턴스 관리는 송전선로의 절연 성능 및 지속 가능한 운용에 영향을 주는 중요한 요소로 간주됩니다.5) 누설 인덕턴스송전선로가 인접

리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2025.03.22

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실험보고서7(병렬회로)

과 전압원에 의해서만 결정된다.많은 가지들이 병렬회로에 연결되면 합성저항값은 작아진다. 이것은 늘어나는 가지를 각각 컨덕턴스의 항으로 생각해보면 쉽게 이해할 수 있다. 컨덕턴스는 저항 ... 의 역수이다. 병렬가지가 늘어나면서 전류가 흐르도록 새로운 통로가 생기며 컨덕턴스가 증가하게 된다. 그러므로 회로에 흐르는 총 전류가 더 많아진다. 전압원의 크기가 그대로인데 회로 ... 의 총 전류가 증가하면 합성저항값은 옴의 법칙에 따라서 반드시 감소하게 된다. 병렬회로의 총 컨덕턴스는 개별적인 컨덕턴스의 합이다. 이 결과를 다음과 같이 쓸 수 있다.컨덕턴스

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.10.10

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기초전기 공학실험 밀만의 정리-예비 & 결과 레포트

에서 연결된 여러 개의 저항기와 등등한 단일저항기의 저항.등가회로 : 어떤 조건하에서 근사적으로 그와 같은 특성을 가지는 것으로 생각되는 전기회로.컨덕턴스 : 컨덕턴스 또는 전도도(傳導度 ... 로 연결된 능동회로는 단일 등가저항 R _{e}와 V _{e}로 변환시킬 수 있다는 것이 밀만의 정리이다. 그리고 여기서 컨덕턴스 G```=` {1} over {R}로 표현

리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.12.11 | 수정일 2021.12.16

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전자공학실험 11장 공통 소오스 증폭기 A+ 예비보고서

과 같이 근사화할 수 있다. 즉 선형적이라고 볼 수 있고, 이때의 기울기는 MOSFET의 트랜스컨덕턴스(g _{m})에 해당된다.V _{GS} =V _{GS} +v _{gs} (11 ... _{gs}} = sqrt {2 mu _{n} C _{ox} LEFT ( {W} over {L} RIGHT ) I _{D}} (11.13)즉V _{OV}가 일정할 때, 트랜스컨덕턴스는 W ... /L과V _{OV}의 제곱근에 비례한다.MOSFET 전류식으로부터 트랜스컨덕턴스는 식 (11.14)의 형태로도 표현할 수 있다.g _{m} = mu _{n} C _{ox} LEFT

리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.04.09 | 수정일 2024.11.15

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