초고온HT‑RNVM 특허용 통합 백서1. 서론본 백서는 250–350°C 초고온 환경에서 동작 가능한 HT‑RNVM 기술을 위해 신규 trap‑engineered 재료 ... 은 초고온 산화 스트레스에서도 trap escape가 급격히 증가하지 않는다.6. HT‑RNVM 셀 구조 (1T1C / 1T3C)1T1C 구조는 기본 HT‑RNVM 셀이며, 트랩 ... ·MRAM은 150°C 이상에서 retention이 급격히 악화되며, 지배적인 열 활성화 누설(TAT, PF conduction) 때문에 초고온 환경에서는 장기 데이터 유지를 보장할 수
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