"전자회로실험I"의 검색결과 입니다.

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"전자회로실험I" 검색결과 1-20 / 5,598건

충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 결과보고서 실험 1. 다이오드 응용회로

[실험 1. 다이오드 응용회로 (결과 보고서)]{실험 1} 다이오드 특성(1) 다이오드(1N4001)와 와 같이 결선하고 주파수 발생기는 10V, 60Hz 입력 신호를 사용 ... 4739A의 경우 1W,V _{z} =9.1V,I _{z} =28mA,r _{z} =5 OMEGA 의 값을 갖는다.(5) LED에 대해 위 실험 (1)-(3) 단계를 반복하시오 ... 하시오.V _{0} `=`-11V ⑩ PSpice 시뮬레이션과 측정 결과를 비교하시오.{실험 3} 통제된 DC 전력 공급기(1) 예비 보고서에서 설계한 제너 분류 조절기 회로

리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.24

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충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 예비보고서 실험 1. 다이오드 응용회로

[실험 1. 다이오드 응용회로]1. 실험 목적? 순방향과 역방향 바이어스 전압이 접합 다이오드 전류에 미치는 효과 측정? 접합 다이오드의 전압-전류 특성을 측정하고 도시? 반파 ... , 3』 : 다이오드 1N4001 (또는 1N5625), 1N4739A, LED, 저항, 오실로스코프4. 예비실험『실험 1』(1) PSpice의 다이오드 회로를 와 같이 설정 ... /전파 정류 회로의 입, 출력 파형 이해? 브리지 정류기와 배전압 정류회로의 구성 이해? 캐패시터와 다이오드를 이용한 필터회로 이해? 직류 재생회로와 배전압 정류회로의 구성에 대해

리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.24

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충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 결과보고서 실험 9. MOSFET I-V 특성

[실험 9. MOSFET I-V 특성 (결과보고서)]1. 실험결과[실험 1 : 오실로스코프를 이용한 I-V 특성 측정]V _{GS} =2.6VR _{on} = TRIANGLE V ... )} / TRIANGLE I _{DS(S)} = {1} over {6.667 TIMES 10 ^{-3}} =1502. 비고 및 고찰이번 실험은 MOSFET I-V 특성을 알아보는 실험이었습니다.N ... 은 그 이후에 기울기가 낮아져서 상승하는 부분입니다. 핀치오프 전류는I _{D(T-S)} =140mA가 실험결과 얻게 되었습니다.오실로스코프로 출력된 그래프 상에서 "ON"저항

리포트 | 1페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.24

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충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 결과보고서 실험 8, 10. MOSFET

[실험 8. MOSFET 기본 특성 Ⅱ & 실험 10. MOSFET 공통 소오스 증폭기 : 수동(저항) 부하(결과보고서)]1. 실험 결과[8장. MOSFET 기본 특성 Ⅱ]1 ... ) N-채널 MOSFET2) P-채널 MOSFET[실험 10. MOSFET 공통 소오스 증폭기 : 수동(저항) 부하]-대신호 증폭-["DC coupling"로 선택한 입-출력 plot ... 번 실험 시간에는 8장, 10장 MOSFET에 대한 실험을 하였습니다.8장 실험에서는 문턱전압, 이동도, “on" 저항 Ron에 대해 알아보는 실험이었습니다.Ron 저항이란

리포트 | 2페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.24

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전자회로실험 예비보고서2 전류 전압 변환회로 V-I Conversion Circuits

전자회로실험 예비보고서2 전류 전압 변환회로 V-I Conversion Circuits1. 실험 목적-전압-전류 변환기, 전류-전압 변환기, 전류 증폭기에 알아본다.2. 실험 ... 로 바꾸어준다.-내부 임피던스가 고임피던스라는 장점 때문에 전자 전압계로 만들 수 있으며 전압이 측정되는 동안 회로는 안정하다.-이상적으로 출력전류는I_out = V_{i n ... 하는 회로가 안정하므로 입력 임피던스Z_{i n} = 0을 가진다. 또한 무한 출력 임피던스Z_out = inf를 가지므로 출력 전류는 입력전류에 직접 비례한다.3. 실험 방법실험 1

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.04.04

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전자 계측 기기와 회로 이론 2(예비) - 실험물리학I A+ 레포트

전자 계측 기기와 회로 이론 2 (예비레포트) 과목명 : 실험물리학 I 과목코드-분반 : 담당교수 : 교수님 담당조교 : 조교님 학과 : 학번 / 이름 : 목차 실험 목적 실험 ... 이론 기초 회로 이론 테브난 정리(Thevenin’s Theorem) 휘트스톤 브리지(Wheatstone bridge) 최대 전력 전달 실험 재료 및 장비 함수발생기 ... (Thevenin’s Theorem) 휘트스톤 브리지(Wheatstone Bridge)와 최대 전력 전달 참고 문헌 실험 목적 전자 계측 기기 및 기초 장비들에 대한 원리를 이해하고 사용법

리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2025.07.16

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전자회로실험 결과보고서2 전류 전압 변환회로 V-I Conversion Circuits

전자회로실험 결과보고서2 전류 전압 변환회로 V-I Conversion Circuits1. 실험 결과 및 이론값실험 1) 전압-전류 변환기? 위와 같이 회로를 연결한다.? 입력 ... ]11446688V _{I`n} [V``]I _{out} [mA]1.00061.00693.99994.04106.00006.06908.00508.1060실험 2) 전류-전압 변환기? 위와 같이 ... 회로를 연결한다.? 입력 전류가0.1mA가 되도록 가변저항을 조 정한다.? 출력 전압을 읽어 표에 기록하고 입력 전류를 변화시키며 과정을 반복한다.I _{I`n} [mA]V

리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.04.04

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전자 계측 기기와 회로 이론 2(결과) - 실험물리학I A+ 레포트

전자 계측 기기와 회로 이론 2 (결과레포트) 과목명 : 실험물리학 I 과목코드-분반 : 담당교수 : 교수님 담당조교 : 조교님 학과 : 학번 / 이름 : 목차 실험 결과 실험 ... 학교 실험물리학 매뉴얼, Exp#04. 전자 계측 기기와 기초 회로 이론 2 J. David Irwin, R. Mark Nelms, Engineering Circuit ... 전력 전달 참고 문헌 실험 결과 (1) 실험 1 - 테브난 정리(Thevenin’s Theorem) 테브난 저항과 테브난 전압 측정 저항으로 회로를 구성할 때 1k 두 개

리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2025.07.16

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전기전자기초실험I - 9장 인덕턴스 용량과 RL 회로의 시정수

실험 9 : 인덕턴스 용량과 RL 회로의 시정수1. 목적도선을 감아서 만드는 인덕터(Inductor)는 직류회로에서 단락회로가 되지만, 대단히 높은 주파수 값에서는 개방회로가 되 ... 다.외부에 직류 전압이 공급된다면 인덕터는 단락 회로가 되고, 최종 전류는 외부 전압을 저항으로 나눈 값 V/R의 전류가 흐르게 된다. 따라서 커패시터와 마찬가지로 흐르게 되는 전류는i ... (t)`= {V} over {R} +(I _{0} - {V} over {R} )e ^{-t/ tau }가 된다.3. 시뮬레이션 결과그림 9-4 RL 시정수 측정 회로표 9-2 시

리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.04.07

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전자 계측 기기와 회로 이론 1(예비) - 실험물리학I A+ 레포트

1. 실험 목적 (1)전자 계측 기기 및 기초 장비들에 대한 원리를 이해하고 사용법을 숙지할 수 있 다. (2)NI ELVIS를 이용하여 회로에 대한 기초적인 실험을 함 ... 으로써, NI ELVIS의 사용법을 숙지하고 회로 이론에 대한 기본적인 개념을 이해할 수 있다. 2. 실험 이론 (1) 전자 계측 기기 및 기본 장비 ①오실로스코프 ... (Oscilloscope) i.오실로스코프 디지털 멀티미터가 현재 전압을 평균적으로 나타내는 것이라면 오실로스코프는 전압을 측정하는 시점 전후까지 파악할 수 있다. 오실로스코프는 측정 전압을 디지털

리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2025.07.16

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충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 결과보고서 실험 7. MOSFET 기본 특성 1

[실험 7. MOSFET 기본 특성 I (결과보고서)]1. 실험결과1) 외부 캐패시터의 캐패시턴스- 100pF 캐패시터의 출력 파형을 기록한다.[출력이 10%-90%로 증가 ... =CPAR을 의미한다.? 그 차이 CWITH-CWITHOUT=Cgs,MOSFET로부터 총 게이트 커패시턴스를 계산한다.2. 비고 및 고찰이번 실험에서는 외부 캐패시터의 캐패시턴스와 역전압 ... 이 인가된 PN 다이오드의 캐패시턴스, MOSFET 게이트 캐패시턴스에 대해 알아보는 실험을 하였습니다.첫 번째 실험은 외부 캐패시터의 캐패시턴스를 알아보는 실험이었습니다. 간단

리포트 | 2페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.24

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충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 예비보고서 실험 8. MOSFET 기본 특성 2

다.? 실험으로 얻은 데이터와 추출된 변수들을 통해 기대할 수 있는 이론값들을 서로 비교하게 된다.2. 실험 순서1) 와 같은 회로를 구성한다. 이때 DVM(Digital ... 이 MOSFET의 문턱전압 VTH이 된다.? 실험결과와 그 데이터의 분석 방법을 개략적으로 보이면 과 같다.3) PMOSFET? P-채널 MOSFET에 대해 와 같이 회로를 구성 ... [실험 8. MOSFET 기본 특성 Ⅱ (예비보고서)]문턱전압, 이동도, "on"저항 Ron1. 실험 목적본 실험의 목적은 MOSFET의 소오스-드레인 채널의 저항적 특성을 측정

리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.24

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충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 결과보고서 실험 12. MOSFET 차동증폭기

[실험 12. MOSFET 차동증폭기(결과보고서)]1. 실험결과1) CD4007UB pin 배열 확인2) 문턱 전압과 k 값의 측정#1012345678R _{D} (V)0 ... .0221.22.223.334.355.376.47.418.26V _{DS} (V)0.011.211.792.052.222.392.512.642.75I _{D} (mA)000.0370 ... .141.762.032.22.372.512.662.77I _{D} (mA)000.0470.1280.2210.2890.3170.4700.562#3012345678R _{D} (V)0

리포트 | 2페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.24

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충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 예비보고서 실험 12. MOSFET 차동증폭기

}를 전류계로 측정하려면V _{DD}와R _{D} 사이에 전류게를 연결해서 전류를 측정할 수 있다.) 예비실험에서 구한 표현을 사용하여 문턱전압과 k 값을 구한다.(2) 동일한 회로 ... _{D3},I _{D4}를 측정(계산)한다.(4) 실제 측정으로부터 얻은V _{T}, k으로부터I _{D3},I _{D4}를 계산하여 예비실험에서 얻은 표현인I _{D3},I ... [실험 12. MOSFET 차동증폭기(예비보고서)]1. 실험 목적- 차동증폭기의 차동모드(differential mode)와 공통모드(common mode) 특성에 대한 이해

리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.24

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충북대학교 3학년 전자회로실험I Ragulator 설계 프로젝트 보고서

diode에 흐르는 전류는?=> 직렬저항 R : 2.2kΩ, 부하저항 RL : 15kΩ2. 설계 사진입력 파형출력 파형3. 비고 및 고찰3학년 전자회로실험의 첫 설계 프로젝트인 ... 하여 회로를 설계하였습니다. 양의 반쪽 사인파를 만들었으므로 이제 일정한 출력을 만들기 위해 저항과 캐패시터를 사용하였습니다. 캐패시터는 전에 실험에 쓰였던 100μF을 사용 ... ) Full wave rectifier 회로를 이용하여 10V의 정현파를 양(positive)의 반쪽(half)의 sine 파를 만들어보라. 이 때 full wave rectifier

리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.15

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충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 예비보고서 실험 2.3 BJT DC 특성

[실험 2. BJT DC 특성 (예비 보고서)]1. 실험 목적BJT(Bipolar Junction Transistor)의 DC 특성인beta _{F} -I _{C},I _{C} ... beta _{F}의 콜렉터 전류에 대한 변화, 즉,beta _{F} -I _{C} 특성을 측정한다.2) BJT의log(I _{c} ) vsV _{BE} 특성에서 포화전류 IS ... 를 구한다.3) BJT의I _{C} -V _{CE} 특성을 측정하고 Early 전압 VAF를 구한다.4) BJT의 콜렉터 및 에미터를 바꾼 상태에서log(I _{c} ) vsV _{BE

리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.24

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충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 예비보고서 실험 7. MOSFET 기본 특성 1

먼저 전원을 'OFF' 시킨 후 보드에 연결한다. 또한 회로를 변경하기 위해서는 전원을 먼저 'OFF' 시킨 후 회로를 변경한다.2. 실험 방법1) 와 같이 회로를 구성 ... [실험 7. MOSFET 기본 특성Ⅰ(예비보고서)]1. 실험 목적역전압이 인가된 PN 접합과 MOSFET의 게이트 캐패시턴스를 측정하는 것을 목표로 한다. 이들 캐패시턴스의 용량 ... 은 매우 작아 (대략 pF 크기) 실험자는 breadboard와 스코프 프로브의 기생 캐패시턴스 효과를 경험하게 된다. 본 실험을 마치면 다음을 이해하게 된다.? 역전압이 인가

리포트 | 2페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.24

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충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 결과보고서 실험 6. 차동 BJT 증폭기 특성

알아보는 실험을 하였습니다. 차동 증폭기란 2개의 입력 단자에 가해진 신호를 증폭하는 증폭기입니다.첫 번째 회로는 차동 신호는 증폭하고 공통 신호는 억제하는 회로입니다. 오프셋 ... [실험 6. 차동 BJT 증폭기 특성 (결과보고서)]1. 실험 결과1) 오프셋 전압Voffset(mV)3.6V2) 차동 모드 소신호 이득Vin(Vpp)Vout(Vpp)Adm(V ... /V)0.091.4816.4443) 공통 모드 소신호 이득Vin(Vpp)Vout(Vpp)Acm(V/V)20.440.222. 비고 및 고찰이번 실험은 차동 BJT 증폭기 특성에 대해

리포트 | 1페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.24

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충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 예비보고서 실험 6. 차동 BJT 증폭기 특성

. 실험 절차1) 오프셋 전압 (offset voltage)(a) CA3046 BJT들을 회로와 같이 결선한다. RB는 가변 저항을 사용하여 트랜지스터 Q4의 전류가 1mA가 되게 ... [실험 6. 차동 BJT 증폭기 특성 (예비보고서)]1. 실험 목적차동 BJT 공통 증폭기의 차동 소신호 이득, 입력 저항 및 출력 저항 및 CMRR을 실험한다.2. 이론 ... 회로를 가지고 공급? Q1/Q2 특성이 같은 경우 Q3의 전류는 Q1/Q2에 균등하게 배분? 차동 증폭 이득 :A _{dm} =- {1} over {2} g _{m} R _{L

리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.24

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충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 결과보고서실험 11. MOSFET CS, CG, CD 증폭기

하였습니다.3. 비고 및 고찰이번 실험은 MOSFET CS, CG, CD Amplifer에 대해 알아보는 실험이었습니다.첫 번째 회로는 CS Amplifer에 대한 회로이 ... . 따라서 CD Amplifer 회로는 출력전압을 입력전압에 비해 DC 기준값만 이동(level shift)한 파형을 얻을 수 있도록 해줍니다. 실험 결과 값도 출력전압이 입력전압 ... [실험 11. MOSFET CS, CG, CD 증폭기 (결과보고서)]1. 실험결과1) CS AmplifierR _{D} =1.5k OMEGA R _{D} =5k OMEGA2

리포트 | 2페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.24

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