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"열플라즈마 공정" 검색결과 1-20 / 1,412건

  • 유도 열플라즈마 공정을 이용한 고순도 카본분말 합성 (Synthesis of high purity carbon powders using inductively thermal plasma)
    한국결정성장학회 김경인, 한규성, 황광택, 김진호
    논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.26 | 수정일 2025.05.14
  • 질소 플라즈마 공정을 이용한 염화이불화메탄(CHClF2) 열분해 (Chlorodifluoromethane (CHClF2) Thermal Decomposition by DC Nitrogen Plasma)
    한국공업화학회 고은하, 유현석, 정용안, 박동화, 김동욱, 최진섭
    논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.26 | 수정일 2025.05.14
  • 루테늄(Ru) 타겟소재 제조를 위한 방전 플라즈마 소결 공정 열해석 시뮬레이션 (Thermal Characteristic Simulation of Spark Plasma Sintering (SPS) Process for Fabrication of Ruthenium Target Materia)
    대한금속·재료학회 남효은, 박현국, 장준호, 조규종, 오익현
    논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.17 | 수정일 2025.03.28
  • 고주파 열플라즈마 토치를 이용한 Ni 금속 입자의 나노화 공정에 대한 전산해석 연구 (Numerical Analysis on RF (Radio-frequency) Thermal Plasma Synthesis of Nano-sized Ni Metal)
    한국전기전자재료학회 남준석, 홍봉근, 서준호
    논문 | 9페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.26 | 수정일 2025.05.14
  • PFCs 처리를위한 열플라즈마 공정 (Thermal Plasma Process for Decomposing PFCs)
    한국열환경공학회 박동화, 손홍선
    논문 | 10페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.06.07 | 수정일 2017.02.02
  • Scrubber 기본 개념
    Scrubber Bay duct 열배기 PFC 배기 Blower 2 차 옥상 Scrubber (HOUSE SCR`) 대기 배출 Main Tool Scrubber 개념 반도체 공정 중 발생 ... tank 반도체 , LCD, LED, OLED 대부분의 공정에 적용Scrubber 종류 - Plasma Wet Scrubber B/W 에 비해 낮은 설치비 (LNG UT line 없 ... 불가능 PM 시간이 김 (Heating 및 Cooling Time 필요 ) 장*단점 고온의 Heater 를 이용하여 공정 gas 의 온도를 상승시켜 , 대상 물질을 열분해
    ppt테마 | 22페이지 | 10,000원 | 등록일 2025.06.11
  • 판매자 표지 자료 표지
    전자공학과 세특 (노광장비 EUV관련 공학 탐구 보고서) 24년 공과대학 수시 합격생의 생기부 자료
    . Discharge Produced Plasma 방식(Sn,Xe을 그대로 사용하는데 레이저를 써서 얘네한테 에너지를 주는 게 아니고 직접 전기장을 걸어줘서 플라즈마로 만드는 방법이다)�禮� ��두 ... 탐구 동기 및 요약: 반도체 8대 공정에 대해 탐구 후 구체적 공정과정에 대해 알고 싶어 회로를 그리는 작업인 포토공정에 대해 조사하게 됨. 포토공정을 친구들이 알기 쉽게 연필심 ... 에 비유하여 연필심이 가늘어야 그림의 미세하게 그릴 수 있다고 설명함. 포토공정에서 쓰이는 노광장비에 대해 조사하였고, DUV와 EUV기술의 차이점인 파장의 크기를 제시하고 EUV
    리포트 | 2페이지 | 4,000원 | 등록일 2024.08.25
  • 판매자 표지 자료 표지
    서울시립대학교 일반대학원 물리학과 연구계획서
    , 오토인코더를 사용한 자기 키랄 상태 간 보간 및 외삽 연구 등을 하고 싶습니다.저는 또한 반도체 플라즈마 공정용 Pulse generator 및 전자식 Impedance ... 연구, 네마틱 액정의 열적 트래핑을 이용한 평면 솔리톤 생성 및 응용 연구, 플라즈마 -초음파 자극에 의한 화장품의 피부 침투 증진 연구, 타원편광법에 의한 SnS의 방위각 의존 ... 연구계획서저는 서울시립대학교 대학원 물리학과에 진학한 다음에 유도결합형 플라즈마 이온원의 이온빔 방출 구조 안정화 연구, 베테 격자의 폭발적 여과 연구, 제논 플라즈마 집속 이온
    자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2024.05.11
  • 반도체 전공정 면접 대비 자료
    , Zro2 사용(열 안정성 우수). 최근 DDR5에 이용 FINFET -정의, multifinfet -단점: 복잡한 공정, fin 옆면과 윗면의 Vt가 달라 전류 특성 영향 가능 ... 함), 감소-> glow discharge 유지 x-> plasma 유지 x -damage 개선: 플라즈마 균일도 개선, blocking layer 삽입, PID 진단기술 발전 ... hower head를 3zone에서 4zone으로 분배하거나 ESC 온도(plasma damage로 열 발생해 He로 냉각함) chip 별 제어. 혹은 설비의 process
    자기소개서 | 16페이지 | 3,500원 | 등록일 2024.10.01 | 수정일 2024.10.15
  • 판매자 표지 자료 표지
    바이오 소재 (Surface Modification를 이용한 기능성 개질)
    절약, 무공해 건식 공정으로 각광 받고 있는 첨단가공기술 분야이다. 특히 상압(760torr) 플라즈마를 이용한 고분자 가공법은 물을 사용하지 않는 건식 공정이다. 따라서 환경 ... 향상 및 불순물 제거 등의 효과를 얻을 수 있다. 또한 연속적인 표면처리 공정이 가능하다는 특징을 갖고 있어 생산성 및 경제성 향상에 큰 도움이 된다.5. Plasma ... 시키기 위한 플라스마 전처리는 의료 기술 분야에서 널리 사용되어 왔으며 이에 대한 장점은 건식, 물리적 플라스마 처리를 통한 간단한 공정과 PES(플라스마 방출 분광법, plasma
    리포트 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2022.11.04
  • 판매자 표지 자료 표지
    반도체 공정_캡스톤 디자인 1차 개인보고서
    Layer Deposition, PEALD) 공정 개발요 약 문I. 제목차세대 배선 재료로서 고품질 루세늄 박막에 대한 플라즈마 강화 원자층 증착(Plasma-Enhanced ... 2022학년도 1학기 재료공학캡스톤디자인(1) 1차 개인보고서차세대 배선 재료로서 고품질 루세늄 박막에 대한 플라즈마 강화 원자층 증착(Plasma-Enhanced Atomic ... Atomic Layer Deposition, PEALD) 공정 개발II. 과제 요약10 nm 급 이하의 반도체 소자의 배선 재료로 고려되고 있는 고품질 Ru 박막에 대한 플라즈마 강화
    리포트 | 6페이지 | 10,000원 | 등록일 2022.11.13 | 수정일 2023.01.08
  • 판매자 표지 자료 표지
    플라즈마와 건강, 그리고 생활문화 중간대체과제 리포트
    하고 미세한 코팅막을 형성할 수 있는 장점을 갖는다. 이러한 이트륨옥사이드는 플라즈마 에처와 화학증착장비의 내부 코딩 등 반도체 공정 장비에 적용되며, 분말 상태의 이트륨옥사이드를 겉 ... 했다. 이 기술은 산화막 품질을 올리는 기술로, 이것은 반도체 장비와 부품의 국산화에 이바지했다. 기존의 플라즈마 열처리 장비는 고온으로 생성할 시 좁은 회로 안에서 균일한 두께의 산화 ... 었다. 이 회사는 그러한 단점은 보완하고 장점만을 모은 하이브리드형 모듈 제조 기술을 개발했다. 플라즈마가 아닌 열처리 방식을 이용하여 이온에 의한 신뢰도 저하나 산화막 손상
    리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.11.25
  • 판매자 표지 자료 표지
    23하반기 삼성전자 공정기술 직무/임원/PT 면접 예상질문 + 실제 면접 (최종합격) 56p 분량
    은10torr과 고온에서 진행되는 LPCVD가 있다.2) 에너지 : 열로 반응을 유도하면 thermal CVD(열에너지만 사용하는 LPCVD, APCVD를 일컫음), 플라즈마 ... 삼성전자 공정기술 면접 ‘예상질문&실제 면접 질문’(PT 면접 준비 포함)목차1. 직무/기업 Issue2. 공정기술 Eng. 역할3. 공정기술 직무4. 직무면접 예상질문5. 임원 ... 2025년 2나노 공정(SF2) 양산 -> 모바일 중심(AP 등), 8인치 GaN 파운드리 서비스 시작 -> 데이터센터/Automotive 고객 확보2026년 HPC(고성능컴퓨팅
    자기소개서 | 21페이지 | 7,000원 | 등록일 2024.06.09
  • 반도체 박막 증착 공정의 분류 보고서 (3P)
    ) PECVD(plasma enhanced cvd) 4) HDPCVD(high density plasma cvd)으로 분류된다. 먼저 APCVD 공정은 열에너지를 활용하는 가장 기본적인 ... 의 단점을 개선한 열에너지를 활용한 증착 공정으로 대기압보다 낮은 저압에서 공정을 진행해 불순물 노출로 인한 박막 품질 문제를 개선할 수 있으며 평균자유행로가 증가해 향상된 step c ... overage와 생산성, 원료가스 소모량 감축 등의 장점이 있으나 chamber의 저진공 상태를 위한 설비비용, 공정비용, 저압을 극복하기 위한 높은 열에너지, 비교적 느린 증착
    리포트 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.03.14
  • 판매자 표지 자료 표지
    금오공대 신소재 반도체공정 시험 정리
    가 빠르지만, 공정 온도가 높으며 장비가 복잡하다. 하지만 플라즈마를 이용한 PECVD는 반응성이 크고 저온 공정이 가능하다.박막 성장 인자박막 성장에 영향을 미치는 요인은 크게 온도 ... 채워진 가전자대가 밴드갭 만큼 떨어져 있는 구조이다. 밴드갭이 부도체에 비해 작은 값을 갖기 때문에 열이나 광자와 같은 외부 에너지 입사 시 가전자대에서 전도대로 전자가 점프 ... 로 이동되며 일정 비율로 구성된 전구체들을 가열시켜 화학 반응을 일으켜 증착, 성장시킨다.반도체 8대 공정웨이퍼 제조 ? 산화 공정 ? 포토 공정 ? 식각 공정 ? 이온 주입&박막
    리포트 | 8페이지 | 4,000원 | 등록일 2024.11.08
  • 판매자 표지 자료 표지
    포항공과대학교(포스텍) POSTECH 일반대학원 신소재공학과 연구계획서
    기로서 얽힌 CNT 어셈블리 연구, 이기종 통합의 구리 본딩 기술 연구 등을 하고 싶습니다.저는 또한 단일벽에서 나노다이아몬드의 놀라운 합성 스파크 플라즈마 소결 공정에 의한 탄소나노 ... 적 질소 도핑 ALD-IGZO TFT 연구, 전기화학적 순환 없이 LiCoO2 및 Li2MnO3에서 격자 변형 유도 산소 방출의 직접 조사 연구, 압축 좌굴 공정으로 제조된 3차원 ... 실리콘 전자 시스템 연구 등을 하고 싶습니다.저는 또한 페로브스카이트 광전지에서 85°C에서 벌크 및 계면 트랩의 열 열화 연구, 블록 공중합체 템플릿을 사용하여 형성된 잘 정돈
    자기소개서 | 2페이지 | 3,800원 | 등록일 2023.07.13
  • 판매자 표지 자료 표지
    플라즈마 기초
    . 실제 반도체 공정에서 자주 사용되는 축전결합 플라즈마(CCP, Capacitively Coupled Plasma) 형태 중의 하나인 Reactive Ion Etching(RIE ... 자연계 제4의 물질 상태, Plasma플라즈마는 고온 상태에서 이온화 된 입자 상태로, 전자와 양이온, 즉 전기를 띈 하전 입자들로 구성돼 있으며 전기적으로는 중성인 하전 기체 ... 보다 훨씬 커야 한다.Plasma Parameters플라즈마를 기술하고 설명하는 데 많은 개념들이 사용되지만 그 중에서 가장 기본적이면서 중요한 것은 플라즈마 밀도와 플라즈마
    리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.07.15 | 수정일 2023.07.02
  • 판매자 표지 자료 표지
    [신소재공학실험]박막 실험
    플라즈마거운 종들의 온도가 거의 같아진다.저온 플라즈마저압 방전에서는 전자와 무거운 입자 사이에 열역학적인 평형이 국부적으로도 이루어지지 않는다. 이러한 플라즈마를 non-LET플라즈마 ... 한 촉매금속 파티클들을 형성시킨다.Fig.4 열화학 기상증착법 공정도CVD합성법에서 탄소나노튜브는 이 미세 한 촉매금속 파티클 위에서 합성되기 때문에 이 미세한 촉매금속 파티클을 형성 ... 성장법 중의 한가지로 유기금속의 열분해반응을 이용해 반도체 기판상에 금속화합물을 퇴적, 부탁 시키는 화합물반도체의 기상성장법이다.Fig.5 MOCVD의 공정도3) s
    리포트 | 9페이지 | 3,600원 | 등록일 2022.08.28
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2025년 09월 15일 월요일
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