불리는 추가적인 layer가 있는데 이 BOX는 FinFET의 누설전류를 줄여준다.5. 참고문헌(1) 이종호/3차원 반도체 소자인 벌크핀펫의 발전(2) Chi-Wen Liu ... FinFET소개일반적으로 트랜지스터의 크기를 줄일수록 성능이 증가하지만 기존의 트랜지스터인 MOSFET은 크기가 작아짐에 따라 gate length가 너무 작아져 발생하는 문제 ... , 크기의 한계, 단채널 효과 등의 이유로 현대에는 트랜지스터의 크기를 줄이는 것에는 한계에 다다르고 있다. 그에 따라 차세대 트랜지스터의 필요성이 대두되었고 FinFET이 그 해결
연구, 22nm 노드에서 6T SRAM용 준평면 벌크 CMOS 기술의 성능 및 수율 이점 연구, 향상된 SRAM 확장성을 위한 준평면 벌크 CMOS 기술. 솔리드 스테이트 전자 ... 장치 연구 등을 하고 싶습니다.저는 또한 OOO 교수님의 OOOOO OOOOO 연구실에서 멀티게이트 벌크 MOSFET의 설계 최적화 연구, 다중 게이트 벌크 MOSFET의 라인 ... 에서 LER 유도 무작위 변이-n형 Ge Junctionless FinFETs에 대한 금속-간층-반도체 소스/드레인 구조의 면역 효과 연구, DRAM Cell에 Metal
와 연신율에 따라 기계적 물성을 예측하는 실험을 진행하며 미세구조로부터 벌크의 성질을 예측하는 재료분석능력을 함양했고 XRD 장비를 활용한 미지 시편의 결정구조와 오염물질 분석 능력 ... 입니다. 이후보다 심화된 전공지식을 바탕으로 컴퓨터 시뮬레이션을 활용해 Si-FinFET, GAAFET 및 다양한 미래 소자의 제조에서 발생할 수 있는 문제 분석과 소자 구조 최적
시킨다. 또한 매우 얕은 소스와 드레인의 접합 깊이로 기생 저항을 감소시키는 것이 도전 과제이다.이러한 평면형 벌크 MOSFET의 스케일링 도전 과제로, SOI MOSFET과 FinFET 등 ... 되므로 높은 채널 도핑과 도펀트 변화에 따른 문제점은 해결할 수 있지만 새로운 도전 과제가 생겨날 것이다. 하지만 평면형 벌크 MOSFET과 마찬가지로 초박형 body를 추가 ... 하여 기생 저항을 낮추는 것이 매우 어려울 것이다.스케일링에 따른 평면 벌크 MOSFET과 첨단 MOSFET에서 공통적으로 나타날 것으로 예상되는 문제점은 게이트 길이의 비율에 따라 가장