"트랜지스터"의 검색결과 입니다.

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"트랜지스터" 검색결과 141-160 / 10,977건

쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 구조를 적용한 실리콘 나노점 부유 게이트 비휘발성 메모리 특성 (Characteristics of Si Floating Gate Nonvolatile Memory Based on Schottky Barrier Tunneling Transistor)

한국진공학회 손대호, 김은겸, 김정호, 이경수, 임태경, 안승만, 원성환, 석중현, 홍완식, 김태엽, 장문규, 박경완

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.06

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대기압 플라즈마를 이용한 산화물 박막 트랜지스터 표면처리에 관한 연구 (The Study of Improvement in the Characteristics of Oxide Thin Film Transistor by using Atmospheric Pressure Plasma)

한국표면공학회 김가영, 김경남, 염근영

논문 | 4페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.05 | 수정일 2025.06.09

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System-On-Panel 적용을 위한 저온 폴리 실리콘 박막 트랜지스터 레벨쉬프터 설계 (Design of LTPS TFT Level Shifter for System-On-Panel Application)

대한전자공학회 이준창, 정주영

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.14 | 수정일 2025.07.20

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게이트 하부 식각 구조 및 HfO2 절연층이 도입된 AlGaN/GaN 기반 전계 효과 트랜지스터 (AlGaN/GaN Field Effect Transistor with Gate Recess Structure and HfO 2 Gate Oxide)

한국화학공학회 장수환, 김유경, 손주연, 이승섭, 전주호, 김만경

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.11 | 수정일 2025.07.19

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용매증발기반 자기조립을 이용한 단일벽 탄소나노튜브 정렬 및 트랜지스터 응용 (Evaporative Self-Assembly of Single-Walled Carbon Nanotubes for Field Effect Transistor)

한국재료학회 강석희, 정도영, 황청석, 홍석원, 엄성운

논문 | 9페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.10 | 수정일 2025.05.18

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밴더블 a-Si:H 박막트랜지스터의 전기적 특성에 미치는 채널 길이의 영향 (Effect of Channel Length on Electrical Characteristics of a Bendable a-Si:H TFTs)

한국전기전자학회 오현곤, 조경아, 김상식

논문 | 3페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.08 | 수정일 2025.05.17

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비정질 하프늄인듐징크옥사이드 산화물 반도체의 공정 파워에 따른 트랜지스터의 전기적 특성 연구 (Study on the Electrical Properties of Amorphous HfInZnO TFTs Depending on Sputtering Power)

한국전기전자재료학회 유동윤, 이상렬, 정유진, 김도형, 주병권

논문 | 4페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.07 | 수정일 2025.05.17

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고이동도 산화물 반도체 박막 트랜지스터 구현을 위한 구동전류 향상 (A Review : Improvement of Operation Current for Realization of High Mobility Oxide Semiconductor Thin-film Transistors)

한국전기전자재료학회 장경수, 이윤정, 이준신, Jayapal Raja, 김태용, 강승민, 이소진, Nguyen Thi Cam Phu, Than Thuy Trinh

논문 | 9페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.07 | 수정일 2025.05.17

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나노와이어 junctionless 트랜지스터의 문턱전압 및 평탄전압 모델링과 소자설계 가이드라인 (Threshold and Flat Band Voltage Modeling and Device design Guideline in Nanowire Junctionless Transistors)

대한전자공학회 김진영, 유종근, 박종태

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.03 | 수정일 2025.05.16

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공통 이미터 트랜지스터 증폭기 결과보고서

를 이용해서 교류전압이득  를 구해보고 입력, 출력의 전압을 직접 측정해  의 값을 구해보는 실험이다. 즉, 공통 이미터 트랜지스터 증폭기의 전압이득이 어느 정도의 크기

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.05.25 | 수정일 2025.03.07

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기초실험및설계 - 트랜지스터 결과보고서

트랜지스터1. 실험 목적트랜지스터는 과거의 진공관 역할을 하는 매우 중요한 소자이다. 본 실험에서는 트랜지스터의 종류 및 사용법에 대해 알아보고 이를 이용한 응용 회로 실험 ... ), LED, 저항(종류별로 다수)2. 실험 내용주어진 PNP 트랜지스터를 이용해 스위칭 회로를 구성해보고 트랜지스터의 스위칭 기능과 문턱 전압에 대해서 LED를 통해서 알아 본다 ... . 또한 트랜지스터를 이용한 전류 증폭 회로를 구성하여 오실로스코프로 증폭이 되었는지 확인하여 본다.가. 적용 이론-트랜지스터 스위칭 기능이 회로는 작은 베이스 전류로 큰 콜렉터

리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.02.24

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[ 기초전자공학 ][ 한국공학대 ] 트랜지스터 실습2

과목:기초전자공학주제: 트랜지스터 실습2(14주차 결과 레포트)담당교수님 :제출자 성명: 박xx학과: 전자공학과학번 : 2020144011실험일자 :22.12.08목차1. 정전 ... 류원 실습1-1. 컽오프 영역 실험1-2. 활성영역 및 정전류원 실험1-3. 포화영역 실험2. 트랜지스터의 증폭 및 스위치 작용 실습2-1. 트랜지스터의 증폭 작용 실습2-2 ... . 트랜지스터의 스위칭 작용 실습실험 절차[1] 정전류원 실습1. 컽오프 영역 실험① 브레드보드에 회로를 구성하고 VR의 손잡이를 중간 위치에 놓으라.② 두 개의 직류전원공급기로 베이스

리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.02.16

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5장 컬렉터 특성 및 트랜지스터 스위치 실험

컬렉터 특성 및 트랜지스터 스위치 실험1. 실험 개요트랜지스터에서 Ib를 매개변수로 하여 IC 및 VCE와의 상관관계를 실험적으로 특정하여 컬렉터 특성곡선군을 결정 ... 하고, 트랜지스터의 스위칭 작용에 대하여 이해한다.2. 실험원리1) 컬렉터 특성곡선컬렉터 특성곡선은 아래 회로에서 베이스전류 IB를 매개변수로 하여 컬렉터전류 IC와 컬렉터-에미터 양단전압 ... VCE와의 상관관계를 정량적으로 나타낸 것으로 트랜지스터의 동작영역을 구분하는데 이용된다.IC와 VCE의 관계를 그래프로 나타낸면 다음과 같은 그래프가 얻어진다.각 구간에서 특징

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.12.19

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전기전자공학실험-쌍극성 접합 트랜지스터 특성

기초전자 공학 실험 7주차 과제기초전자 공학 실험7주차 기초전자 공학 실험 예비 리포트제목쌍극성 접합 트랜지스터 특성목적1. DMM을 사용하여 트랜지스터 형태(npn, pnp ... ), 단자, 재료를 결정한다.2. 커브 트레이서를 사용하여 트랜지스터의 컬렉터 특성곡선을 그린다.3. 트랜지스터alpha 와beta 값을 결정한다.실험 소요 장비계측기DMM, 커브 ... 트레이서(가능하면)부품저항 ? 1KΩ,330KΩ, 5KΩ 전위체계, 1MΩ 전위체계트랜지스터2N3904(또는 등가)단자표가 없는 트랜지스터전원직류전원1. 이론개요?쌍극성 트랜지스터

리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.02.14

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[부산대 이학전자실험] 3. 트랜지스터 특성 실험

트랜지스터학과:학번:이름:실험날짜:제출날짜:1. 실험 목적트랜지스터의 기본적인 동작원리와 3가지 동작모드, 그리고 트랜지스터의 증폭 특성에 대하여 이해한다.2. 실험 원리 ... - 트랜지스터그림 1 트랜지스터트랜지스터는 [그림 1]과 같이 n형, p형, n형 반도체를 서로 접합 시켜 만든 npn 트랜지스터와 p형, n형, p형 반도체를 서로 접합 시켜 만든 ... pnp 트랜지스터의 2가지 종류가 있다. 트랜지스터는 [그림 6]에서 보는 바와 같이 3단자 소자(device)이다. 베이스(base), 컬렉터(collector), 이미터

리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.01.05

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PDMS 기능성 박막을 이용한 적은 게이트 누설 전류 특성을 가지는 유기트랜지스터의 제작 (Fabrication of Organic Field-Effect Transistors with Low Gate Leakage Current by a Functional Polydimethylsiloxane Layer)

한국진공학회 김성진

논문 | 4페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.03 | 수정일 2025.03.06

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게이트 절연막의 표면처리에 의한 비정질 인듐갈륨징크옥사이드 박막트랜지스터의 계면 상태 조절 (Interface State Control of Amorphous InGaZnO Thin Film Transistor by Surface Treatment of Gate Insulator)

한국전기전자재료학회 김보슬, 이상렬, 김도형

논문 | 4페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.13 | 수정일 2025.06.17

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알루미늄 옥사이드 절연층의 증착율이 유기박막 트랜지스터의 특성에 미치는 영향 (Effects of Various Deposition Rates of Al2O3 Gate Insulator on the Properties of Organic Thin Film Transistor)

한국전기전자재료학회 최경민, 형건우, 김영관, 조의식, 권상직

논문 | 4페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.13 | 수정일 2025.06.17

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박막 트랜지스터용 MgZnSnO 채널층의 미세구조와 전기적 특성에 미치는 어닐링 온도의 영향 (Influence of Annealing Temperature on the Microstructural and Electrical Characteristics of MgZnSnO Channel Layers for Thin Film Transistors)

대한금속·재료학회 김호범, 이호성

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.11 | 수정일 2025.07.19

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부분분리 매립 채널 어레이 트랜지스터의 총 이온화 선량영향에 따른 특성 해석 시뮬레이션 (Simulation of Characteristics Analysis by Total Ionizing Dose Effects in Partial Isolation Buried Channel Array Transistor)

한국전기전자학회 박제원, 이명진

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.09 | 수정일 2025.07.11

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