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"전자공학응용실험" 검색결과 141-160 / 3,700건

  • 전자응용실험 11장 결과 [PISCES 사용법]
    전자응용실험1실험11. PISCES 사용법[결과보고서]과목명전자응용실험1담당 교수학과전자공학부조이름제출일2019-04-29실험 11PISCES 사용법5. 실험 방법 및 결과기초 ... 을 이용하여 그려라.비고 및 고찰이번실험은 PISCES 입력 파일에 소자 구조, 도핑 농도, 전압 등의 정보를 주고, 전위, 전자 및 정공의 농도분포를 구하고 주어진 바이어스에 대한 ... 번째와 세 번째 실험에서는 얼리전압이 0.7V일 때 전자의 농도와 전자의 전류분포의 값을 얻을 수 있었는데 두 그래프 모두다 y축으로 갈수록 전자의 농도값과 전자의 전류분포값
    리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15
  • 전자응용실험 8장 예비 [MOSFET Subthreshold 특성 측정]
    전자응용실험1실험?. MOSFET Subthreshold 특성 측정[예비보고서]과목명전자응용실험1담당 교수학과전자공학부조조원제출일2019-04-08실험 8MOSFET ... Subthreshold 특성 측정1. 실험 목적MOSFET의 subthreshold slope을 측정한다.2. 기초 이론선형 및 포화 영역은 MOSFET 채널이 strong inversion ... 에서의 전자는 수평 전계에 의한 drift에 의해 움직여 다음과 같은 식을 만족한다.I_D = 1 over 2 KP W_eff over L_eff (V_GS - V_TH )^2(8
    리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15
  • 전자응용실험 12장 결과 [다이오드 특성 시뮬레이션]
    전자응용실험1실험12. 다이오드 특성 시뮬레이션[결과보고서]과목명전자응용실험1담당 교수학과전자공학부조이름제출일2019-05-13실험 12다이오드 특성 시뮬레이션1) 그림 12.4 ... 와 같은 구조와 아래의 도핑 농도를 가지는 p+ n 접합 다이오드의 mesh를 구성한다.2) 다이오드 도핑, 전자 농도 분포 및 전자 전류 분포(1) VA=0 ~ 1.0V ... 으로 정공 및 전자 농도 분포를 그려라.? y=200.1um에서 정공의 농도를 구하고 물리전자에서 배운 다이오드 이론치와 비교하라.? y=250um 에서 350um까지 정공의 농도
    리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15
  • 전자응용실험 14장 예비 [MOSFET 특성 시뮬레이션]
    전자응용실험1실험14. MOSFET 특성 시뮬레이션[예비보고서]과목명전자응용실험1담당 교수학과전자공학부조이름제출일2019-05-20실험 14MOSFET 특성 시뮬레이션1. 실험 ... Transistor의 줄임말로 전계효과에 의해 전자가 이동하는 특성을 가지고 있다는 뜻이다. P형 물질로 도핑된 실리콘에 n+를 부분적으로 도핑한다. 그리고 그 사이에 산화막과 메탈이나 SiO2 ... 와 같은 물질을 올린다. 그 그리고나서 n+에 각각 +와 ? 전압을 가하고 SiO2에 일정 이상 전압을 가하게 되면 전계효과가 나타나며 전자가 이동할 수 있게 전계가 형성된다. 이것
    리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15
  • 전자응용실험 4장 결과 [BJT 전류이득 및 포화 전류 측정]
    전자응용실험1실험?. BJT 전류이득 및 포화 전류 측정[결과보고서]과목명전자응용실험1담당 교수학과전자공학부조조원제출일2019-03-186. 실험 결과(1) Gummel plot ... 118 TIMES 10 ^{-9}}=141 TIMES 10 ^{6}비고 및 고찰이번 실험은 콜렉터 및 베이스 전류 vs 베이스-에미터 전압 그래프(Gummel plot)를 이용 ... 하여 순방향 Gummel 변수들(BF, IS, NF, ISE, NE, IKF)의 값을 구하는 실험이였다. 이 그래프는 바이폴라 트랜지스터가 순방향 활성 영역에서 동작할 때 콜렉터 및
    리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15
  • 전자응용실험 9장 결과 [MOSFET 기판 전류 측정]
    전자응용실험1실험?. MOSFET 기판 전류 측정[결과보고서]과목명전자응용실험1담당 교수학과전자공학부조조원제출일2019-04-15실험 9MOSFET 기판 전류 측정5. 실험 방법 ... over {V_ds - V_dsat }를 측정한다.6. 실험 결과(1) Ib - Vgs 특성 곡선을 그려라.[ 그래프를 유도하기 위해 적절히 VARB의 STEP을 3으로 하 ... 였다 ][ 지그재그의 모양이지만 ?부호인 것을 제외하면 책의 게이트 전압과 기판전류의 그래프와 비슷하다 ]비고 및 고찰이번 실험은 드레인 전압과 게이트 전압에 따라 기판전류가 어떻게
    리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15
  • 전자응용실험 10장 결과 [OP-AMP를 이용한 인버터 입출력특성 측정]
    전자응용실험1실험?. OP-AMP를 이용한 인버터 입출력특성 측정[결과보고서]과목명전자응용실험1담당 교수학과전자공학부조조원제출일2019-04-15실험 10OP-AMP를 이용 ... 한 인버터 입출력특성 측정5. 실험 방법(1) 그림 10.3처럼 OP-AMP가 바이어스되게 소자분석기를 구성하고, 각 단자들은 다음 조건들을 만족하도록 한다. OP-AMP의 (-) 입력 ... 을 반복한다.그림 10.3 실험 구성도6. 실험 결과(1) Vin - Vout 특성곡선을 그려라.(2) VOL, VIL, VOH, VOL, VOS를 구하여라.VOL = ( -13
    리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15
  • 전자응용실험 10장 예비 [OP-AMP를 이용한 인버터 입출력특성 측정]
    전자응용실험1실험?. OP-AMP를 이용한 인버터 입출력특성 측정[예비보고서]과목명전자응용실험1담당 교수학과전자공학부조조원제출일2019-04-08실험 10OP-AMP를 이용 ... 한 인버터 입출력특성 측정1. 실험 목적OP-AMP의 특징을 이해하고, 이를 이용한 인버터 입출력 특성을 측정한다.2. 기초 이론1) OP AMPOP-AMP(operational
    리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15
  • 전자응용실험 3장 결과 [BJT 출력 특성 측정]
    전자응용실험1실험?. BJT 출력 특성 측정[결과보고서]과목명전자응용실험1담당 교수학과전자공학부조조원제출일2019-03-186. 실험 결과(1) 공통 에미터 특성 곡선 IC vs ... -0.297} =63.50{I _{C}} over {기울기} =VAF=22.29V비고 및 고찰이번 실험은 공통 에미터 특성 (I _{c} `vsV _{CE}) 그래프를 이용 ... 하여 기울기와I _{C}를 측정하여 얼리전압(VAF)를 구하는 실험이였다. 이 Early 현상은 Gummel-Poon 모델에서 normalized 베이스 전하q_b로서 표시된다. 또한 이
    리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15
  • 전자응용실험 13장 결과 [BJT 특성 시뮬레이션]
    전자응용실험1실험13. BJT 특성 시뮬레이션[결과보고서]과목명전자응용실험1담당 교수학과전자공학부조이름제출일2019-05-20실험 13BJT 특성 시뮬레이션5. 실험 방법 및 ... . 따라서 접합은 도핑, 전계, 전자 혹은 정공의 농도의 변화가 심하기 때문에 정확한 시뮬레이션을 위해 mesh를 많이 배치할 필요가 있다. 그러나 mesh가 많아지면 시뮬레이션 시간 ... = {I _{C} 차} over {전압차}= -1.9426E-15V _{A} (얼리전압)= {I _{C}} over {Slope}= 3.875비고 및 고찰이번실험은 PISCES 입력
    리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15
  • 전자응용실험 13장 예비 [BJT 특성 시뮬레이션]
    전자응용실험1실험13. BJT 특성 시뮬레이션[예비보고서]과목명전자응용실험1담당 교수학과전자공학부조이름제출일2019-05-13실험 13BJT 특성 시뮬레이션1. 실험 목적1 ... 스, 베이스-콜렉터 접합은 역방향 바이어스하는 active 영역에서 동작시키면 정공 및 전자 분포를 가진다. 에미터-베이스 접합은 순방향 바이어스이기 때문에 에미터의 정공은 베이스 ... 로, 베이스의 전자는 에미터로 넘어가며, 베이스-콜렉터 접합은 역방향 바이어스이기 때문에 정공 및 전자의 이동이 없다. 따라서 에미터에서 베이스로 넘어온 정공(점선)은 기울기를 가지
    리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15
  • 전자응용실험 12장 예비 [다이오드 특성 시뮬레이션]
    전자응용실험1실험12. 다이오드 특성 시뮬레이션[예비보고서]과목명전자응용실험1담당 교수학과전자공학부조이름제출일2019-04-15실험12다이오드 특성 시뮬레이션1. 실험 목적1 ... 에 바이어스를 인가한 모습을 나타낸다.그림 12.1 p+ n 접합 다이오드이 다이오드에 순방향 바이어스를 인가한 경우x=-x _{p} ,`x _{n} `지점에서의 전자 및 정공 ... .2)여기서N _{A} ,`N _{D}는 각각 p+, n-type의 도핑 농도이며,V _{T} =kT/q이다.순방향 바이어스시의 전자 및 정공의 농도는 다음과 같다.DELTA n
    리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15
  • 판매자 표지 자료 표지
    학과소개-반도체공학
    연습, 전자공학실험, 나노실험, 파동 및 광학실험, 캡스톤디자인, 물성실험, 나노물리학, 응용물리, 생체분석광학 등4) 개설 대학가천대, 고려대, 경북대, 경상국립대, 극동대 ... , 나노반도체공학과 수소 및 신재생에너지학과, 시스템반도체공학과, 융합전공학부 물리학?나도반도체물리학, 응용물리전공, 전기·전자통신·컴퓨터공학부(전기 및 반도체공학전공 및 지능형 반도체 ... 반도체공학과1) 학과 개요우리가 평소 흔히 볼 수 있는 컴퓨터, 자동차, 스마트폰, 각종 생활 전자제품이 작동할 수 있는 이유는 바로 반도체가 있기 때문이다. 국가 핵심 산업인
    리포트 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.07.01
  • 전자응용실험 14장 결과 [MOSFET 특성 시뮬레이션]
    전자응용실험1실험14. MOSFET 특성 시뮬레이션[결과보고서]과목명전자응용실험1담당 교수학과전자공학부조이름제출일2019-06-03실험 14MOSFET 특성 시뮬레이션5. 실험 ... / 약 3.39E-04>>lambda = 5.99E-02비고 및 고찰이번실험은 PISCES 입력 파일에 소자 구조, 도핑 농도, 전압 등의 정보를 주고 MOSFET의 특성 ... 을 알아보는 실험이었다. 실험 1번에서는 기판, 소스, 드레인의 표면 농도접합 깊이, 게이트 전극 길이, 두께를 입력하고 MOSFET의 도핑 농도를 시각적으로 볼 수 있는 실험
    리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15
  • 전자응용실험 9장 예비 [MOSFET 기판 전류 측정]
    전자응용실험1실험?. MOSFET 기판 전류 측정[예비보고서]과목명전자응용실험1담당 교수학과전자공학부조조원제출일2019-04-08실험 9MOSFET 기판 전류 측정1. 실험 목적 ... 가 증가한다. 특히 드레인 근처의 핀치오프 영역에서의 전계가 많이 증가한다. 이렇게 증가된 전계에 의해서 핀치오프 영역을 지나가는 전자는 에너지를 얻게 되는데 이 전자를 hot ... carrier라고 부른다(보통 > 1.5eV). 고 에너지를 가진 이 hot carrier 전자는 impact ionization을 일으켜서 전자-정공 쌍을 많이 발생시키기 때문
    리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15
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    [부산대학교 응전실1(응용전기전자실험1)]DC power supply 제작 예비보고서
    /201- 부산대학교 전기공학과. (2023). 응용전기전자실험1- 버자드 라자비 저/김철우, 김남수, 김종선, 박상규 역 외 3명. (2015). 라자비의마이크로 전자회로(2판). 한티미디어 ... 응용전기전자실험 예비보고서5주차 예비보고서수강과목 : 응용전기전자실험1담당조교 :학 과 :학 번 :이 름 :제출일자 :* 브릿지 정류 회로의 예시1) 1N4148의 Vf ... .html-“ LM7805(7805) 5V 레귤레이터의 동작”물리적인 전자공학. 2017년 4월 2일. https://m.blog.naver.com/specialist0
    리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.10.01 | 수정일 2024.03.22
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    [부산대학교 응전실1(응용전기전자실험1)]삼상 교류회로의 임피던스 및 전력 측정 결과보고서
    공.(2017년). Alexander의 회로이론(6판). McGraw-Hill KOREA- 부산대학교 전기공학과. (2023). 응용전기전자실험1 ... 응용전기전자실험 결과보고서8주차 결과보고서수강과목 : 응용전기전자실험1담당조교 :학 과 :학 번 :이 름 :제출일자 : 1. 실험 목적- 평형 Y 부하에서의 선간전압과 상간전압 ... 의 관계를 실험을 통해서 이해한다.- 평형 ㅿ 부하에서의 선전류와 상전류의 관계를 실험을 통해서 이해한다.- 3상 부하의 전력을 전력계로 측정하는 방법을 습득한다.2. 실험 도구
    리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.10.01 | 수정일 2024.03.22
  • MOSFET 응용회로 및 주파수 특성 예비보고서
    전자회로응용 및 물성실험예비보고서전기공학과 2017732038실험 회차: 5실험 명: MOSFET 응용회로 및주파수 특성실험 5 MOSFET 응용회로 및 주파수 특성I. 개요 ... Field Effect Transistor(FET)의 일종인 MOSFET의 응용 회로들을 구성해보고, 증폭기에서 주파수 특성에 대해 공부한다.2. 관련이론1) MOSFET 스위칭 회로 ... 에 p-채널이 있어, gate-source에 전압이 인가되지 않았을 때 소스의 전자가 중간의 p-채널에 막혀서 drain에 도달할 수가 없다. 하지만 +전압을 인가하면 gate
    리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.09.25
  • 집적회로 소자 공정 미세 분석법 결과보고서
    전자회로응용 및 물성실험결과보고서전기공학과 2017732038실험 회차: 10실험 명: 집적회로 소자 공정 미세 분석법실험 10 집적회로 소자 공정 미세 분석법I. 개요집적회로 ... 에 대한 원리에 대한 이해 및 이를 이용한 데이터 시트의 분석에 그 목적을 두고 있다. 본 실험을 통해 결정(crystalline) 측정을 통해 구성 물질을 파악하는데 그 목적이 있 ... /나노 스케일의 분석에 대한 이해 및 응용을 가능하게 하고자 한다.2. 결과보고서1) XRD의 분석 원리 기술을 정리하여라.X-Ray는 의 파장을 가지는데 매우 짧아 빛과 비슷한 성질
    리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.09.25
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    [부산대학교 응전실1(응용전기전자실험1)]단상 교류회로의 임피던스 및 전력측정 예비보고서
    응용전기전자실험 예비보고서7주차 예비보고서수강과목 : 응용전기전자실험1담당조교 :학 과 :학 번 :이 름 :제출일자 : 1. 순시 전력, 유효 전력, 무효 전력, 피상 전력 ... . (2023). 응용전기전자실험1- “교류전력, 피상전력(Pa)과 역률(cosΘ)”. 아낌없이 주는 나무. 2021년 12월 23일. https://ok1659.tistory.com ... 을 파악 하는 방식입니다.- 3전류계법 : 3전류계법은 1개의 저항과 3개의 전류계를 이용하여 역률과 소비전력을 파악 하는 방식입니다.*참고 자료 및 문헌- 부산대학교 전기공학
    리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.10.01 | 수정일 2024.03.22
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2025년 07월 15일 화요일
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