"NSCR(N-type Silicon Controlled Rectifier)"의 검색결과 입니다.

기간
- 전체
- 3개월
- 6개월
- 1년
- 2년
- 3년
- 5년
직접입력

적용
연관순
- 연관순
- 최신순
영역
- 전체
- 제목
- 본문
- 태그
페이지 수
- 전체페이지
- 1 페이지 ~ 5 페이지
- 6 페이지 ~ 10 페이지
- 직접입력 페이지 ~ 페이지 적용
확장자
- 전체
- 한글
- PDF
- MS워드
- MS엑셀
- MS파워포인트
- 압축파일
- 기타
할인자료 보기

연관검색어

scr 반도체 이해 flash memory xrd 레치업 Thyristor 위상제어 전자공학개론 반도체소자 MOSFET 오디오

판매자 표지는 다운로드시 포함되지 않습니다.

"NSCR(N-type Silicon Controlled Rectifier)" 검색결과 121-140 / 160건

[공학] 센서

Controlled Rectifier (실리콘 정류기)일반적으로 SCR이라는 약자로 불리어지는 실리콘 정류기는 게이트 단자에 가해지는 신호 전압에 따라 부하 입?출력의 스위칭 다이오드가 개폐 ... .10] LASCR의 구조① n-p-n-p 구조로 빛에 의하여 개방되어 두 단자 사이를 도통할 수 있으므로, 전류의 on-off 제어에 쓰인다.② 게이트가 개방된 상태에서 빛을 조사 ... 하면 np접합의 포토 다이오드로 작용하고 게이트 전류가 공급되므로 A-K 사이를 도통한다.③ 감도는 G-K 사이에 삽입되는 저항으로 결정된다.*SCR : Silicon

리포트 | 39페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.05.19

다운로드 장바구니
AMOLED Backplane 기술

Controllability -Narrow Energy Window -Small Grain Size -Line Type Defecta-Sil-Sia-Sia-Sip-Sia-Sia-SiGeneral ... -Si TFTLTPS TFT vs. a-Si TFT : StructureSmall Cgs/Cgd and Rs/Rd Ion Doping N-Channel P-Channel ... TFTLarge Cgs/Cgd and Rs/Rd n+ a-Si: Depo. N-Channel TFT Onlya-Si TFT (Bottom Gate)GlassDrainSourceGateGate

리포트 | 32페이지 | 3,500원 | 등록일 2006.12.08

다운로드 장바구니
신재생에너지의 전망 및 종류 특징

지만,전자(-)는 N형 반도체쪽으로, 정공(+)는 P형 반도체쪽으로 모이게 되어 전위가 발생하게 되며이 때문에 앞면과 됫면에 붙여 만든 전극에 전구나 모터와 같은 부하를 연결하게 되 ... 한 P형 실리콘반도체를기본으로 하여 그 표면에 인(phosphorous)을확산시켜 N형 실리콘 반도체층을 형성함으로서만들어짐. 이 PN접합에 의해 전계(電界)가 발생함이 태양전지 ... 에 빛이 입사되면 반도체내의 전자(-)와 정공(+)이 여기되어 반도체 내부를 자유로이 이동하는 상태가 됨자유로이 이동하다가 PN접합에 의해 생긴전계에 들어오게 되면 전자(-)는 N

리포트 | 22페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.10.03

다운로드 장바구니
Photoconductive device(광전도 소자)

as shown in Figure 1. Silicon photodiodes are examples of this type detector.Photoconductive device ... valuesPhotoconductive device의 쓰임Analog Applications • Camera Exposure Control • Auto Slide Focus - dual cell ... Scales - dual cell • Automatic Gain Control - modulated light source • Automated Rear View MirrorDigital

리포트 | 18페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.01.16

다운로드 장바구니
[자동차공학]포토센서,리드센서 (휠 센서 속도 감지 센서)

에 내장되어 스피드 미터 케이블에 의해 마그네트가 회전하게 된다. 마그네트의 회전에 의해 N극과 S극이 교대로 변화함에 따라 리이드 스위치가 ON-OFF되어 발생한 교류 전압을 정류기 ... 한다...PAGE:5..PAGE:6..PAGE:7활용1. 항공기(ABS)Anti-Skid Brake System1) Wheel Speed Sensor2) Control Box3 ... ) Control Valve2. 자동차(ABS)Anti-Lock Brake System1) ECU(전자제어 모듈)2) Wheel Speed Sensor3) Actuator(유압조정장치)4

리포트 | 11페이지 | 2,500원 | 등록일 2006.04.03 | 수정일 2015.04.25

다운로드 장바구니
[전자회로] 다이오드

의 제어에 사용되는 전력반도체 소자(1) 실리콘 제어정류기(silicon controlled rectifier:SCR)라고도 한다.양극(anode)·음극(cathode)·게이트(gate ... 도 포함된다.(1) 쇼트키 다이오드 (Schottky barrier diode)- N형태 반도체에 직접 Schottky 게이트 전극을 붙여 금속과 반도체의 접촉면에서역방향 전압을 저지 ... 다.Schottky Barrier DiodeP-N Junction Diode장 점? TRR이 거의 없으므로 고주파용으로사용하기 좋음? 낮은 순방향전압 강하(VF)로? 전력 손실 작음

리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.05.06

다운로드 장바구니
박막의 표면처리 및 식각 실험 예비보고사

로 뿌려 침투시킨다. N-type 도핑으로 전기 소자의 특성을 만들어 준다.④화학기상증착(CVD)다시 산화과정 및 Photo, Etch 공정을 거쳐 Field Oxide(FOX ... ./실험내용/가장 널리 사용되는 실리콘 산화막 (silicon oxide; SiO2) 박막을 적절한 식각가스를 선택하여 반응성 이온식각장치(reactive ion etcher; RIE ... : direct chicking, PTFE-실리콘 wafer 비등방 식각용Dry Etchingplasma 상태에서 중성 radical들 표면 화학적 반응을 일으킨다습식 식각은 등방성 식각이고

리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.06.04

다운로드 장바구니
Diffusion

, boundary conditions must existMathematical modelTwo type of boundary conditions The constant-source ... electrically active impurity-concentration limits in siliconJunction formation and characterizationWith ... 3. DIFFUSIONContentsDiffusion Process Mathematical model Two-step diffusion Diffusion coefficient

리포트 | 36페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.01.18

다운로드 장바구니
자동차의 전기전자 기초 구조 및 정비

사이리스터(SCR)Silicon Controlled RectifierPNPN의 4층 구조로 된 제어 정류기로서케이트에 전압을 가하였다가 가해준 전압을 없애도에노드에서 케소드로 계속 전류 ... kg.m2/S2 1N.m 중력 : 1kg중 = 9.8N =9.8J1영마력 = 1HP = 550 lb-ft/s = 746 W = 557cal . 1kw = 1.34HP1불마력 = 1 ... :-3 반도체 종류순물질 반도체N형 반도체불순물 반도체P형 반도체1) 순물질 반도체 : 다른 원자가 거의 섞이지 않은 것으로 순도가 99.99%가까우며 순물질 반도체는 외부

리포트 | 24페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.12.05

다운로드 장바구니
[물리학] 다이오드의 특성과 응용

고 정류기( rectifier )는 이 다이오드를 이용해 만들어진다.정류기는 교류 파형을 평균값이 0이 아닌 파형으로 바꾸어주는 역할을 하는 회로로 간단히 말하면 교류 전류를 직류 ... 다.다이오드의 용도는 전원장치에서 교류전류를 직류전류로 바꾸는 정류기로서의 용도, 라디오의 고주파에서 신호를 꺼내는 검파용, 전류의 ON/OFF를 제어하는 스위칭 용도 등, 매우 광 ... 전압) : n형에(+), p형에(-)전압을 가할 때를 말한다② 반대 극성이라 서로 당겨 전자와 정공이 화살표 방향으로 이동한다(공핍층 증가)③ 전류는 거의 흐르지 않

리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.04.05

다운로드 장바구니
[기계실험]전기실험 - PWM 방식의 모터 Driver 제작

불순물을 실리콘에 첨가하여 여러 층의 반도체로 이루어져 있다. 이와 같은 불순물에 의해서 전류가 실리콘 내부를 이동하는 방법을 변화시키게 된다. n-형 반도체에서는 전하의 운반자 ... 가 주로 자유전자가 되며, p-형 반도체에서는 양공(즉 3개의 외각전자를 가지는 붕소원자가 4개의 외각전자를 가지는 실리콘을 대체하면 빈공간, 즉 양공이 공유전자 에너지 띠에 생기 ... 트랜지스터(FET)가 있다. BJT는 2개의 p-n 접합으로 이루어져 있는데 전자와 양공이 전도과정에 관여한다는 점에서 쌍극성이며 입력전류에 따라서 출력전압이 쉽게 변화된다. 이러

리포트 | 28페이지 | 2,500원 | 등록일 2007.04.12

다운로드 장바구니
[반도체]반도체웨이퍼 제조공정 및 단결정성장

는 INGOT의 TYPE 즉 N-TYPE, P-TYPE을 결정지으며, 원료는 P-TYPE에는 BORON(붕소), N-TYPE에는 PHOSPHORUS(인), ANTIMONY등이 사용 ... 실리콘으로 제작하며 이것을 TFT-LCD라 부른다.2) 결정성장 Mechanisms: 결정생성은 핵생성과 결정성장의 두 가지 과정을 통해 이루어진다.① 결정핵 생성 ... , Bridgman_Stockbarfer법, Hydrothremal법, Nongra-vitizing법 등 여러 가지가 있다.3. 실리콘 단결정(single crystal): 1950대

리포트 | 29페이지 | 3,000원 | 등록일 2006.03.04

다운로드 장바구니
[공학]PLL (Phase Locked Loop)

(Loop Filter), VCO(Voltage Controlled Oscillator) 세 부분으로 나누어진다. N-Divider가 들어가 있지만 이것은 회로의 필요에 따라 ... , 현재 MOSFET의 게이트는 금속대신에 폴리 실리콘으로 제작 )관 련 이 론◆ 증가형 n채널 MOSFETP Type (Body)N TypeN ... TypeSourceGateDrainWLBoardLWSourceGateDrainP Type (Body)N TypeN TypeSourceGateDrainBoard채 널 영 역DSGBID관 련 이 론◆ MOSFET 채널

리포트 | 28페이지 | 3,500원 | 등록일 2007.05.23

다운로드 장바구니
반도체 왕기초

원소를 넣어 hole에 의해 전류가 흐르는 반도체- n-type 반도체 : 진성 반도체에 Ⅴ족 원소를 넣어 잉여전자에 의해 전류가 흐르는 반도체2. 반도체 발전 과정① 진공관- 전기 ... (Intrn-sic)반도체: 순순한 실리콘의 경유와 같이 최외각전자가 서로 공유결합을 하고 있어 전자가 움직일수 없기 때문에 외부에서 전압을 걸어도 전류는 흐르지 않는 것? 불순물 ... 반도체: 부도체나 다름없는 진성반도체에 특정 불순물을 집어넣으면 전류가 흐른다.이렇게 불순물로 전기전도도를 조절할 수 있는 있는 반도체- p-type 반도체 : 진성 반도체에 Ⅲ족

리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.02.13

다운로드 장바구니
반도체 웨이퍼의 성장법과 시장조사 및 전망

으로 상온에서 냉각시켜준다.ambient controlCZ법으로 실리콘단결정을 성장시키기 위해서는 주위의 환경의 조절도 필요한데 기압이나 가스분위기를 조절함으로써 n-type과 p ... 의 용기에 넣어 가열하여 용해할 목적일 때는 융해로라 한다. 목적하는 가열온도에 따라 노체(爐體)를 만드는 내열재료의 종류나 가열 방법이 다르다.Crystal-pulling ... mechanism다결정 실리콘을 적층 한다 이때 crucible size, 다 결정양을 결정하고 조절해준다. 그다음 CZ의 기압을 대기압 상태에서 준 진공 상태로 만들어 주고 열을 가하

리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.06.07

다운로드 장바구니
반도체공정 (Deposition & Evaluation)

epitaxy,Molecular beam epitaxy장점Clean processEasy to control compo-sitionEasy mechanismGood adhesionSafe ... -assisted???Vertical-flow Isothermal???Table 2.2 Types of CVD reactors and principal c ... requires vacuumsystemHigh-temperatureoxides (both dopedand undoped), siliconnitride, polysilicon, W

리포트 | 39페이지 | 4,500원 | 등록일 2007.01.27

다운로드 장바구니
[전력전자 정리] 전력전자 정리

(thyrister) =SCR(Silicon Controlled Rectifier)-. 실리콘 제어정류기△ PNPN의 4층구조△ 3개의 전극 : 애노드(Anode), 캐소드 ... 형 접합면 가까운 곳에만 한정됨.(전압을 가하지 않았을 때)가. 전압을 n형에 (+),p형에 (-)를 가할 경우o전자, 정공의 이동이 일어나지 않으므로 전류의 흐름이 거의 없 ... 고, 다이오드는 큰 저항을 나타냄.o역 방향 전압 또는 역 전압이라함.(역방향 전압을 가했을 때)가. 전압을 n형에 (-), p형에 (+)를 가할 경우o전자, 정공의 이동이 쉬워지

리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.05.08

다운로드 장바구니
졸겔법

: precursor의 종류에 따라 1) silica·sol-gel processing 2) metal alkoxide processing 3) Pechini-type ... °C - solution pH : 2 – (5 ~ 6)- R ratio : (mole of water) / (mole of silicon alkoxide) : ex) at 70°C ... contents owing to the dilution effect. - the solvent type : the longer and larger the solvent

리포트 | 29페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.06.27

다운로드 장바구니
실험11. 선형 레귤레이터 회로(예비)

전원장치2) DVM(Digital Volt Meter)3) OP-Amp : μA7414) 저항 : 1㏀, 10㏀(2개), 10Ω, 330Ω5) TR 2N3904(2개)6) 제너 ... 다이오드 1N4735A(6V이하)3. 실험관련 이론1) 레귤레이터조정기 또는 조절장치라고도 한다. 외부공급전압이 실제 회로에서 사용하려는 전압보다 클 때에 Regulator를 이용 ... 에서는 Series Regulator와 Shunt Regulator에 대해서 실험한다.Linear Regulator의 원리 - 입력전압이 들어올 때 입력전압 또는 부하의 변동과 관계없이 부하

리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.08.07

다운로드 장바구니
[공학기술]박막

속도와 높은 균일성의 특징이 있으며, 폴리 실리콘에 사용LPCVDLPCVD 구조PECVD 시스템의 특징 Plasma-enhanced CVD 플라즈마 원리를 이용하여 화학 기상 ... InjectorTiCl4P.-ArNH3APCVDLPCVD, MOCVDBatch type200mm300mmStand Alone ProcessIntegrated ProcessBatch ... Thin FilmHan Yong-SooContent1. 화학 기상 증착 (CVD) ① LPCVD ② APCVD ③ PECVD ④ MOVD 2. 물리 기상 증착 (PVD

리포트 | 38페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.05.23

다운로드 장바구니

이전10개 1 2 3 4 5 678 다음10개

파워링크

신청하기