"전자공학실험"의 검색결과 입니다.

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"전자공학실험" 검색결과 1,201-1,220 / 15,539건

전자응용실험 13장 결과 [BJT 특성 시뮬레이션]

전자응용실험1실험13. BJT 특성 시뮬레이션[결과보고서]과목명전자응용실험1담당 교수학과전자공학부조이름제출일2019-05-20실험 13BJT 특성 시뮬레이션5. 실험 방법 및 ... . 따라서 접합은 도핑, 전계, 전자 혹은 정공의 농도의 변화가 심하기 때문에 정확한 시뮬레이션을 위해 mesh를 많이 배치할 필요가 있다. 그러나 mesh가 많아지면 시뮬레이션 시간 ... = {I _{C} 차} over {전압차}= -1.9426E-15V _{A} (얼리전압)= {I _{C}} over {Slope}= 3.875비고 및 고찰이번실험은 PISCES 입력

리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15

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전자응용실험 3장 결과 [BJT 출력 특성 측정]

전자응용실험1실험?. BJT 출력 특성 측정[결과보고서]과목명전자응용실험1담당 교수학과전자공학부조조원제출일2019-03-186. 실험 결과(1) 공통 에미터 특성 곡선 IC vs ... -0.297} =63.50{I _{C}} over {기울기} =VAF=22.29V비고 및 고찰이번 실험은 공통 에미터 특성 (I _{c} `vsV _{CE}) 그래프를 이용 ... 하여 기울기와I _{C}를 측정하여 얼리전압(VAF)를 구하는 실험이였다. 이 Early 현상은 Gummel-Poon 모델에서 normalized 베이스 전하q_b로서 표시된다. 또한 이

리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15

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학과소개-반도체공학과

연습, 전자공학실험, 나노실험, 파동 및 광학실험, 캡스톤디자인, 물성실험, 나노물리학, 응용물리, 생체분석광학 등4) 개설 대학가천대, 고려대, 경북대, 경상국립대, 극동대 ... 반도체공학과1) 학과 개요우리가 평소 흔히 볼 수 있는 컴퓨터, 자동차, 스마트폰, 각종 생활 전자제품이 작동할 수 있는 이유는 바로 반도체가 있기 때문이다. 국가 핵심 산업인 ... ·반도체물리학부, 디스플레이반도체공학과, 물리반도체과학부, 반도체·디스플레이학부, 나노반도체물리학, 반도체물리전자학과, 반도체시스템공학과, 반도체장비공학과, 시스템반도체공학과

리포트 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.07.01

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전자응용실험 13장 예비 [BJT 특성 시뮬레이션]

전자응용실험1실험13. BJT 특성 시뮬레이션[예비보고서]과목명전자응용실험1담당 교수학과전자공학부조이름제출일2019-05-13실험 13BJT 특성 시뮬레이션1. 실험 목적1 ... 스, 베이스-콜렉터 접합은 역방향 바이어스하는 active 영역에서 동작시키면 정공 및 전자 분포를 가진다. 에미터-베이스 접합은 순방향 바이어스이기 때문에 에미터의 정공은 베이스 ... 로, 베이스의 전자는 에미터로 넘어가며, 베이스-콜렉터 접합은 역방향 바이어스이기 때문에 정공 및 전자의 이동이 없다. 따라서 에미터에서 베이스로 넘어온 정공(점선)은 기울기를 가지

리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15

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전자응용실험 12장 예비 [다이오드 특성 시뮬레이션]

전자응용실험1실험12. 다이오드 특성 시뮬레이션[예비보고서]과목명전자응용실험1담당 교수학과전자공학부조이름제출일2019-04-15실험12다이오드 특성 시뮬레이션1. 실험 목적1 ... 에 바이어스를 인가한 모습을 나타낸다.그림 12.1 p+ n 접합 다이오드이 다이오드에 순방향 바이어스를 인가한 경우x=-x _{p} ,`x _{n} `지점에서의 전자 및 정공 ... .2)여기서N _{A} ,`N _{D}는 각각 p+, n-type의 도핑 농도이며,V _{T} =kT/q이다.순방향 바이어스시의 전자 및 정공의 농도는 다음과 같다.DELTA n

리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15

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전자응용실험 9장 예비 [MOSFET 기판 전류 측정]

전자응용실험1실험?. MOSFET 기판 전류 측정[예비보고서]과목명전자응용실험1담당 교수학과전자공학부조조원제출일2019-04-08실험 9MOSFET 기판 전류 측정1. 실험 목적 ... 가 증가한다. 특히 드레인 근처의 핀치오프 영역에서의 전계가 많이 증가한다. 이렇게 증가된 전계에 의해서 핀치오프 영역을 지나가는 전자는 에너지를 얻게 되는데 이 전자를 hot ... carrier라고 부른다(보통 > 1.5eV). 고 에너지를 가진 이 hot carrier 전자는 impact ionization을 일으켜서 전자-정공 쌍을 많이 발생시키기 때문

리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15

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오실로스코프 결과레포트

실험 17 결과보고서이름 : 신직수학과 : 전자공학과 / 학번 : 201533933【 오실로스코프 】◆ 실험개요본 실험에서는 오실로스코프를 구성하는 네 가지 주요 제어부에 대해 ... 이해하고 설명하며, 직류전원공급기(DC power supply)에서 나오는 직류전압을 스코프로 측정해본다.◆ 실험데이터표 17-2전원공급기설정값스코프VOLTS/DIV 값화면 ... V/div1.7 div8.44 V◆ 결과분석 및 결론본 실험은 오실로스코프를 구성하는 네 가지 주요 제어부(표시제어부, 수직축 제어부, 수평축 제어부, 트리거 제어부)를 이해

리포트 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.05.12 | 수정일 2022.04.18

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펄스 측정 결과레포트

실험 19 결과보고서이름 : 신직수학과 : 전자공학과 / 학번 : 201533933【 펄스 측정 】◆ 실험개요본 실험에서는 펄스 신호를 통해 상승시간, 하강시간, 주기, 펄스반복 ... 펄스에 존재하는 새그, 오버슈트, 언더슈트, 링잉 등의 현상을 파악하고 문제를 해결해야하는 책무를 갖게 될 전자공학도로서, 지금의 기초회로실험이 튼튼한 지식의 기반을 쌓을 수 있 ... 시간을 측정하기 위해서는 오실로스코프의 대역폭이 얼마가 되어야하는지 계산해본다.◆ 실험데이터표 19-1 표 19-2 표 19-3오실로스코프 함수발생기(사각파 출력) 함수발생기

리포트 | 5페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.05.12 | 수정일 2022.04.18

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전자응용실험 14장 결과 [MOSFET 특성 시뮬레이션]

전자응용실험1실험14. MOSFET 특성 시뮬레이션[결과보고서]과목명전자응용실험1담당 교수학과전자공학부조이름제출일2019-06-03실험 14MOSFET 특성 시뮬레이션5. 실험 ... / 약 3.39E-04>>lambda = 5.99E-02비고 및 고찰이번실험은 PISCES 입력 파일에 소자 구조, 도핑 농도, 전압 등의 정보를 주고 MOSFET의 특성 ... 을 알아보는 실험이었다. 실험 1번에서는 기판, 소스, 드레인의 표면 농도접합 깊이, 게이트 전극 길이, 두께를 입력하고 MOSFET의 도핑 농도를 시각적으로 볼 수 있는 실험이

리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15

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7장 오실로스코프와 파형발생기 결과

기초전자회로실험 ? 7장, 오실로스코프와 파형발생기 결과보고서1.실험결과7.4.1 오실로스코프 작동[표 7-1] 오실로스코프의 사용법실험과정첨두치(Vpp)주파수주기실험과정 (3 ... 발생기(함수발생기)의 조작법을 익히고 직접 작동 해 보며 결과를 얻는 실험이었다. 오실로스코프와 파형발생기의 경우 이번 실험 이전에 디지털공학실험 첫 주에 실험을 해 본 적이 있 ... 는데다 디지털공학 실험 시 자주 사용했기 때문에 큰 어려움 없이 빠르게 실험을 진행 할 수 있었다.오실로스코프로 처음에 점검 출력(PROBE COMP)에 채널을 연결해서 파형

리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.01.06

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원자의 전자배치와 오비탈 결과레포트

과목명: 일반화학실험1학과: 화학공학과학번:조:이름:실험 날짜:담당교수:목차Ⅰ. 실험목표3Ⅱ. 실험방법3Ⅲ. 실험결과4Ⅳ. 고찰7Ⅴ. 참고문헌7Ⅰ. 실험목표전자가 채워지는 오비탈 ... . 실험결과실험1 Orbital Viewer 프로그램- 실습으로 주어진 원자의 바닥상태 전자배치를 나타내시오.탄소(C)의 바닥상태 전자배치: 1s2 2s2 2p2- 리튬 원자 ... 의 특성을 결정하는 양자 수 3가지에 대한 기본 규칙을 알아보고, 3가지 양자수에 의하여 오비탈의 특성이 어떻게 변하는지를 컴퓨터 프로그램으로 알아본다.Ⅱ. 실험방법실험1

리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2025.06.10

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자기부품 결과레포트

실험 16 결과보고서이름 : 신직수학과 : 전자공학과 / 학번 : 201533933【 자기부품 】◆ 실험개요본 실험에서는 릴레이의 시동전압과 복귀전압을 이해하고, 래치회로와 같이 ... 릴레이를 사용하는 회로를 꾸며본다. 또한 릴레이와 관련된 용어의 뜻을 이해하고 설명해본다.◆ 실험데이터< 실험 1 >Q : 색띠 저항값은?A :330 OMEGA ±5%Q : 멀티 ... 미터로 측정한 저항값은?A :327.6` OMEGA[ 스위치 OFF ] [ 스위치 ON ]< 실험 2 >[ 스위치 OFF ] [ 스위치 ON ]Q : 전원 OFF 시에 어느 LED

리포트 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.05.12 | 수정일 2022.04.18

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11장 A,B 및 AB급 푸시풀 전력 증폭기 실험 결과레포트

11장 A,B 및 AB급 푸시풀 전력 증폭기실험 결과레포트전자공학과 학년 학번: 이름 :● 실험 결과1-1 B급 푸시풀 전력 증폭기Vm=15V, RL=15ohm그림 1-1▶양

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.05.29 | 수정일 2021.09.05

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4장 제너다이오드 특성 및 전압조절기 결과레포트

4장 다이오드 클리퍼 및 클램퍼 실험결과레포트전자공학과 학년 학번: 이름 :● 실험 결과1. 제너다이오드의 전압 전류 특성①순방향 바이어스그림 1-1▶입력전압 V1을 0V ... 한 전압을 유지하는 것을 확인할 수 있음●결론이번 실험은 일반적인 다이오드와 다른 특성을 가진 제너다이오드의 전압-전류 특성과 역방향 바이어스가 되었을 때 나타나는 특이한 전자현상인 ... 에서 10V까지 0.01V 단위로 증가시키면서 실험을 진행하였음▶Pspice 상에서 1N4734A 다이오드와 유사한 D1N4734 다이오드를 사용하였음그림 1-2▶ 시뮬레이션 결과 제너

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.05.29 | 수정일 2021.09.05

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[전기회로설계실습] 설계실습 9 계획서

설계실습 계획서5조전자전기공학부전자전기공학부전자전기공학부설계실습 9. lPF와 HPF 설계3.1 C = 10㎋인 커패시터와 R을 직렬 연결하여 cutoff frequency ... } over {360} `=8.93㎲`만큼 커패시터 전압이 전원전압보다 늦게 되며, 그래프 2에서 이를 볼 수 있다.3.4 3.3의 결과를 실험으로 확인하려고 한다. (a) 입력 ... 다.시간 = 100 ㎲ × (57.858/360) = 16.072 ㎲. 16.072 ㎲ 만큼 인덕터의 전압이 전원 전압 보다 빠르다.3.8 위의 결과를 실험으로 확인하려고 한다

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.09.14

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중첩의 원리 결과보고서

기초전자공학실험 결과보고서(실험7. 중첩의 원리 )1. 실험과정 5.2의 측정결과를 다음의 표에 작성하고, 이론적인 계산 결과와 실험 결과를 비교 분석하라.전압전류V1I10.3 ... mAV2I21.5mAV3I3-2.4mA예비보고서에 구한 이론적인 실험결과와 크게 차이가 나지 않는다.전압전류전압전류V1'I1'17mAV1''I1''-14mAV2'I2'15mAV2 ... ''I2''4mAV3'I3'6mAV3''I3''-15mA2. 실험과정 5.3, 5.4의 측정결과를 다음의 표에 작성하고, 이론적인 계산 결과와 실험결과를 비교 분석하라.예비보고서

리포트 | 4페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.11.20

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직렬 공진 결과레포트

29주차 실험 결과보고서이름 : 신직수학과 : 전자공학과 / 학번 : 201533933【 직렬 공진 】◆ 실험개요본 실험에서는 직렬 공진 회로의 공진주파수, Q, 그리고 대역폭 ... 을 통해 쌓은 지식과 내용들을 잊지 않고 더욱 발전시켜 미래의 산업 분야 발전에 도움이 될 수 있는 전자공학도가 되어야겠다는 목표를 다지게 되었다.◆ 평가 및 복습문제01 (a) 대역폭 ... 을 계산해보고, 이들의 매개변수를 측정해본다. 또한 직렬 공진 회로의 선택도에 영향을 주는 요소들에 대해서 설명해본다.◆ 실험데이터표 29-1 표 29-2표시값측정값L _{1}5

리포트 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.05.12 | 수정일 2022.04.18

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7장 소신호 에미터 공통 교류 증폭기 결과레포트

7장 소신호 에미터 공통 교류증폭기 실험결과레포트전자공학과 학년 학번: 이름 :● 실험 결과1. AC 특성그림 1-1▶ 세가지의 실험 중 Vcc를 지속적으로 연결해야하므로 글로벌 ... 전원으로 설정해두었음▶ C2와 RL개방 실험 전에 전체적인 회로 특성을 먼저 파악하기 위해 입출력 전압 관계 실험을 진행하였음▶ 입력전압에 비해 전압이득이 매우 크므로 VIN ... 바이패스 커패시터 개방 회로 특성그림 1-2▶ 에미터단에 달린 커패시터를 개방하고 입력과 출력사이의 전압관계를 알아보기 위해 실험을 진행하였음▶ 따라서 에미터 단자에 연결된 저항은 더

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.05.29 | 수정일 2021.09.05

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8장 소신호 베이스 공통 교류증폭기 실험 결과레포트

8장 소신호 베이스 공통 교류증폭기 실험결과레포트전자공학과 학년 학번: 이름 :● 실험 결과1. RL=100ohm그림 1-1▶ 세가지의 실험 중 Vcc를 지속적으로 연결해야하 ... 의 입출력관계가 어떻게 변화하는지 알아보는 실험을 진행하였음▶ 전압이득은R _{c}가 매우 크므로R _{c} DOTEQ R _{c} //R _{L} = {2200*1000k ... _{C} 이므로R _{c} CONG R _{C}가 되고 부하저항의 연결은 증폭기의 전압이득에 영향을 주지 않게 됨▶ 따라서 두 번째 실험과 같은 특성인 입출력 파형을 나타내게 됨

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.05.29 | 수정일 2021.09.05

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1장 다이오드 특성 결과레포트

1장 다이오드 특성 결과레포트전자공학과 학년 학번: 이름 :● 실험 결과1. 다이오드 전압-전류 특성1.1 순방향 바이어스그림 1-1(a)▶ Pspice 상 1N4003GP 모델 ... 바이어스 회로도에서는 크게 역방향 전류와 항복전압을 찾는 과정이 있음▶ 다이오드의 애노드, 캐소드 방향에 유의하여 실험을 진행하였음▶ 역방향 바이어스 상황에서는 DC전원을 0V ... 에서 14V까지 0.01V씩 증가시키면서 실험을 진행하였는데, 실험에서 사용한 D1N4003 다이오드는 14V까지는 이상적으로 작동하여 애벌린치 항복전압 현상이 발생하지 않았음▶ 역

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.05.29 | 수정일 2021.09.05

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