"고려대학교 전기회로"의 검색결과 입니다.

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고려대 9단원 직류의 측정 24 중첩의 정리 전기회로 38,39,40 전기전자 자소서 고려대 편입 메쉬해석법 실험

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"고려대학교 전기회로" 검색결과 101-120 / 159건

고려대학교 편입학 (2019) 전기전자공학부 자기소개서 입니다

자기소개서2019학년도 고려대학교 편입학자기소개서 작성 시 유의사항1. 자기소개서는 인터넷 원서접수 대행기관에서 원서접수와 함께 입력하여 제출하는 방식이므로 별도로 출력 ... 하는 입학전형에서 지원자격을 제한받는 등의 불이익을 감수하겠습니다.⇒ 본인은 위 사항에 대해 확인 서약합니다. (동의 : □)2019학년도 고려대학교 편입학자기소개서1. 해당 모집 ... 함을 넘어서 누군가에 희망을 줄 수 있다는 것에 감명을 받았습니다. 특히 이 분야에서 중요하다고 여겨지는 자연분해가능한 전자소자에 대한 연구를 고려대학교에서 관심을 갖고 진행

자기소개서 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2019.06.25

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전기회로실험 인덕턴스의 특성, 변압기의 특성, 인덕턴스의 직병렬 연결(35,36,37) 예비보고서

또는 교류회로에서 인덕턴스가 미치는 영향을 관찰한다. 유도성 리액턴스는 다음과 같은 식에서 구할 수 있음을 실험적으로 입증한다. XL = 오실로스코우프로 위상변화를 측정 ... 한다. 관련 이론 인덕터의 인덕턴스와 리액턴스 저항성 부하는 교류회로와 직류회로에 관계없이 전류-전압관계가 성립한다. 저항뿐만 아니라 리액턴스 성분인 인덕터와 캐패시터도 교류회로에서 전류

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.05.03

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전기회로실험 중첩의 정리, 테브닌 정리, 노튼의 정리(24,25,26) 결과보고서 (실험값, 검토, 고찰 포함)

며, 변환된 등가회로는 본래의 회로와 동일한 전기적 특성을 갖는다. 테브닌 전압을 결정하기 위해서는 본래 회로망의 부하단자를 개방하고, 이 두 단자의 전압을 계산한다. 테브닌 저항 ... 고찰검토중첩의 정리를 확인하기 위해 실험을 하였다. 전원 두개가 공급되는 회로의 측정값은 전원이 각각 하나씩 공급될 때의 측정값과 유사하게 나왔다. 따라서 중첩의 정리를 확인 ... 하였다.고찰한 개 이상의 전압원에 의해 공급되는 회로 내의 전류를 구하기 위해 중첩의 정리가 어떻게 이용되는지 설명하시오.하나 이상의 전압원을 포함하는 선형회로에서 임의의 소자에 흐르

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.04.29

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전기회로실험 중첩의 정리, 테브닌 정리, 노튼의 정리(24,25,26) 예비보고서 (시뮬레이션 포함)

이론중첩의 정리“하나 이상의 전압원을 포함하는 선형회로에서 임의의 소자에 흐르는 전류는 단독으로 동작하는 개별 전압원에 의해 생성된 전류의 대수적 합과 같다. 또한, 임의의 소자 ... 에 걸리는 전압은 개별 전압원에 의해 생성된 전압의 대수적 합과 가다.”(그림 24-1 두 개의 전원을 갖는 저항기 회로)(그림 24-2 V2는 단락회로로 대체된다.)(그림 24-5 ... )(그림 24-6)예비 점검중첩의 정리는 그림 24-5의 회로에 적용될 수 있다. 틀림.전압원이 하나뿐이기 때문이다.그림 24-2의 회로에서 R4에 흐르는 전류 대 R4에 거릴

리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.04.29

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전기회로실험 RC 시정수, 캐패시터의 리액턴스, 직병렬 연결(38,39,40) 예비보고서 (시뮬레이션 포함)

발생한다. 이와 같이 캐패시턴스는 여러 전기적 조건하에서 발생할 수 있다. 예를 들어서 공기중에서 분리되어 있는 두 전선은 임의의 조건하에서 회로에 문제를 야기 시킬 수 있는 캐 ... 전압이다.캐패시터를 충전시키기 위하여 필요한 시간RC회로로서 캐패시터를 일정한 값까지 충전하는데 시간이 필요하며 이때 시간 t를 시정수라 한다. 시정수는 다음과 같이 표현한다.t ... = R × C예비 점검인가전압이 20V이고 직렬연결한 2.2MΩ의 저항을 통하여 0.25F의 캐패시터가 충전되고 있다. 이 회로의 시정수는 0.55초이다.시정수에서 (1)의 회로

리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.05.21

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전자회로 설계 및 실험 5 MOSFET의 특성 결과보고서

전자회로 설계 및 실험 9주차 MOSFET의 특성 결과보고서1. 실험 목적1. 소자 문턱 전압과 소자 전도도 변수를 측정해 본다.2. MOS 소자의 특성 커브를 측정해 보고, 이 ... 를 통해서 MOS의 여러 특성에 대해 알아본다.2. 실험 결과 및 분석실험 1.측정이 실험은 위와 같이 NMOS 소자로 이루어진 회로에서 NMOS의 게이트-소스 간 전압인에 따른 ... 드레인 단자에 흐르는 전류를 측정하는 실험이었다. 이 때,가 1.6V 미만이면 얼마간의 전압을 인가하던지 드레인 전류는 흐르지 않음을 알 수 있었다. 이는 NMOS 회로의 채널

리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.04.15 | 수정일 2016.06.21

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전기회로실험 최대 전력전송, 망로전류, 평형 브리지 회로(21,22,23) 결과보고서 (실험값, 검토, 고찰 포함)

결 과 보 고 서실험 21. 최대 전력전송실험 22. 망로전류를 이용한 회로해석실험 23. 평형 브리지 회로성명:학번:실험일:실험 21. 최대 전력전송실험결과표 21-2 Part ... A: 직류회로의 전력측정StepsVPS, VVL, VIL, ARC, ΩRL, Ω2,39.964.970.049101.2100.84Power FormulaPower, W(a) PL ... 한다. 그래프에 “PPS vs. RL”로 표시한다.실험 22. 망로전류를 이용한 회로해석실험결과표 22-2 망로전류 계산에 대한 입증ResistorResistanceVoltage

리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.04.29

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일반고 서울대 고려대 연세대 유니스트 포항공대(포스텍) 카이스트 한양대 합격 자기소개서

적으로 문제를 인식하려는 노력을 기울이고 있습니다. 더 나아가 모든 사람에게 편리함을 줄 수 있는 기술 개발에 힘쓰겠다는 다짐을 하게 되었습니다. (994) [고려대학교] 4. 해당 ... 모집단위 지원 동기를 포함하여 고려대학교가 지원자를 선발해야 하는 이유를 기술해 주시기 바랍니다. (1,000자 이내) ‘참가자들이 과학적 탐구를 하도록 하겠다’는 것이 체험 ... 튼튼한 기반을 이루어야 합니다. 그래서 저는 전자전기공학부로 진학할 것입니다. 반도체, 멀티미디어, 컴퓨터 공학 등의 학습을 통해 인간의 뇌를 바탕으로 한 인공지능형 반도체

자기소개서 | 7페이지 | 3,800원 (45%↓) 2090원 | 등록일 2020.06.09

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전기회로실험 RC 시정수, 캐패시터의 리액턴스, 직병렬 연결(38,39,40) 결과보고서 (실험값, 검토, 고찰 포함)

을 설명하시오.RC회로에서 전원을 공급하기 위하여 스위치를 c점으로 닫게 되면, 스위치를 닫는 그 순간에는 캐패시터가 충전 되지 않은 상태이므로 캐패시터에 걸리는 전압은 0이 ... 에는 전원전류와 방향이 반대인 최대전류가 흐른다. 시간이 지남에 따라 캐패시터에 충전되었던 전압이 저항에 의해 소비되면서 점점 방전된다. 따라서 캐패시터의 전압과 회로에 흐르는 전류 ... 가 서서히 감소하고 일정 시간이 흐르게 되면 완전방전 상태가 되어 회로에는 더 이상 전류가 흐르지 않는다. 이때 시정수의 시간에서 캐패시터는 인가전압의 63.2%를 방전하게 된다

리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.05.21

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전자회로 설계 및 실험 3 BJT 증폭기의 DC 바이어스 결과보고서

전자회로 설계 및 실험 6. BJT 증폭기의 DC 바이어스 결과보고서1. 실험 목적1. BJT 회로에서 바이어스 점 결정을 위한 DC 바이어스 회로에 대해 공부한다.2. 하나 ... 의 저항을 이용한 간단한 바이어스 회로와 두 개의 저항으로 구성되는 전압분배 회로의 바이어스 회로의 장단점을 실험 측정을 통해 확인한다.3. 자기 바이어스 회로에서 BJT 특성에 무관 ... 한 동작을 위한 회로 구성을 실험을 통해 알아본다.2. 실험 결과 및 분석실험 1. Simple biased circuit (표 6-1)항목과정 2 - 411.33V11.33V11

리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.04.15 | 수정일 2016.06.21

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전자회로 설계 및 실험 예비, 결과 레포트 모음

모든 레포트 A 이상, 대부분 A+입니다. 마지막에 총 점수 공지에서 실험 총 인원인 백여명 중 레포트 점수 1등을 받았습니다.pspice, 이론 정리, 결과 분석, 사진 모두 완벽하게 되있습니다.실험 오리엔테이션 및 매우 간략한 첫 실험 및 중간고사 주(실험없음)를 ..

리포트 | 9페이지 | 15,000원 | 등록일 2012.02.24 | 수정일 2016.03.20

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전기회로실험 오실로스코우프,신호발생기,전압및주파수측정(31,32,33) 예비보고서 (시뮬레이션 포함)

는 자동적으로 방생될 수 있으며, 이 방법이 많이 사용된다. 동기 회로는 오실로스코우프 내부회로의 신호에 의해서 가동될 수 있다. 동기 회로는 외부 신호전압에 의해서 가동될 수도 있 ... 다. 크리거 회로는 오실로스코우프 내부회로의 전원에 의해 가동될 수 있다.예비 점검오실로스코우프는 교류파형의 관측을 위해 사용된다. 맞음.정확한 시간측정은 동기식 오실로스코우프 ... , 구형파를 발생한다. 신호발생기와 함수발생기는 제작회사마다 설계방식과 기능이 상이하므로 사용설명서에 따른 사용방법을 익혀야 한다.예비 점검AF 신호발생기는 실험용 또는 라디오 회로

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.04.29

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전자회로 설계 및 실험 2 BJT 동작 - 대신호 소신호 동작 예비보고서

BJT 증폭 회로의 대신호/소신호 동작다이오드회로에서처럼 BJT를 이용한 대부분의 아날로그 전기/전자회로들은 고정된 상수값의 바이어스(Bias) 신호에 작은 진폭의 시간에 따라 변하 ... 전자회로 설계 및 실험 5. BJT 동작 - 대신호/소신호 동작1. 실험 목적1. BJT 회로에서 대신호/소신호 동작에 대해 공부한다.2. 얼리 효과를 포함한 BJT 소자의 특성 ... 는 신호를 실어서 증폭, 전달하는 역할을 수행한다. 또한 다이오드 증폭 회로와 마찬가지로 BJT 증폭회로의 분석에서도 바이어스 점(Bias point, 또는 동작점

리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.04.15 | 수정일 2016.06.21

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전자회로 설계 및 실험 1 BJT(Bipolar Junction Transistor)의 특성 결과보고서

전자회로 설계 및 실험 4. BJT(Bipolar Junction Transistor)의 특성1. 실험 결과 및 고찰Ⅰ.(베타) 측정베타() - 계산값101.2122.5303 ... , V, mA-실험 회로에서이므로가 0V일 때에는 포화 모드(Saturation Mode)이다. 따라서는 거의 흐르지 않게 되며,가 2.5V일 때 측정하는 이후에서 mA단위 ... 으며, 직접 실험한 결과로는 10mV가 최소 단위이고 비교적 정밀한 편이 아니어서 그에 따라서 옮은 값을 구하기 어려웠다.-또한그래프는 예비보고서에서 하였던 Pspice 회로 모델의 결과

리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.04.15 | 수정일 2016.06.21

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전자회로 설계 및 실험 3 BJT 증폭기의 DC 바이어스 예비보고서

전자회로 설계 및 실험 6. BJT 증폭기의 DC 바이어스1. 실험 목적1. BJT 회로에서 바이어스 점 결정을 위한 DC 바이어스 회로에 대해 공부한다.2. 하나의 저항을 이용 ... 한 간단한 바이어스 회로와 두 개의 저항으로 구성되는 전압분배 회로의 바이어스 회로의 장단점을 실험 측정을 통해 확인한다.3. 자기 바이어스 회로에서 BJT 특성에 무관한 동작 ... 을 위한 회로 구성을 실험을 통해 알아본다.2. 기초 이론BJT는 차단 모드(Cutoff Mode), 포화 모드(Saturation Mode), 능동 모드(Active Mode)의 3

리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.04.15 | 수정일 2016.06.21

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전류와 전류사이

%9C%EA%B8%80.pdf, 2017.10.11, 2019.10.25.HalidayResnickWalker, 일반물리학 2 제 10판 (고려대.서강대.연세대.이화여대.충남대.한양대, 옮김). 서울: 범한서적. (원서출판 2015). ... 전류와 전류사이로렌츠 힘****-***** *** | 물리학실험2 026분반 | 2019.10.25Abstract이번 실험에서는 솔레노이드에 의한 자기장이 형성된 상태에서 폐회로 ... 의 토크와의 평형을 통해 이를 확인할 수 있는 점을 이용한다. 로렌츠힘 공식의 자기장 세기, 폐회로의 전류에 따른 이론식과의 관계를 실험을 통해 확인했으며 오차의 원인으로 폐회로

리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2019.11.04

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전자회로 설계 및 실험 2 BJT 동작 - 대신호 소신호 동작 결과보고서

전자회로 설계 및 실험 5. BJT 동작 - 대신호 / 소신호 동작1. 실험 결과 및 고찰가. 수식을 이용한 파라미터의 산출Vin=VIN=2VVin=VIN=4VVin=VIN=6V ... = 6V일 때,65.23/7.83=8.33V실험 1을 소신호 모델로 바꾸면 위와 같다. 여기서 주의할 점은, 독립전류원의 수치 값이로 나타내 지는데, 이때의는(회로에서는 r_pie ... 지 않으면가 1보다 작게 되어 효율적인 전압 증폭 효과를 얻을 수 없었다.나. BJT 회로의 소신호 증폭도 측정 (inp-p=0.5V)표 5-2linlllllVin=1V DC0

리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.04.15 | 수정일 2016.06.21

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전자회로 설계 및 실험 6 MOSFET 소스 공통 증폭기의 특성 예비보고서

전자회로 설계 및 실험 10. MOSFET 소스 공통 증폭기의 특성1. 실험 목적1. MOSFET의 드레인(Drain) 특성을 실험적으로 결정한다.2. FET 증폭기에 대한 바 ... 13-2), 커패시터는 충전된다. 이때 게이트가 정이기 때문에 드레인과 소스 사이의 반도체 표면에는 음전하(전자)가 유도되어 채널이 형성되고, 소스-드레인 회로에 전류가 흐르 ... 핸스먼트형 MOSFET에 대한 회로 기호를 나타난다. 여기서 점선으로 된 수직 채널선은 인핸스먼트형 MOSFET를 의미한다.디플리션형 MOSFET(Depletion MOSFET)그림

리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.04.15 | 수정일 2016.06.21

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전자회로 설계 및 실험 5 MOSFET의 특성 예비보고서

전자회로 설계 및 실험 9주차 MOSFET의 특성1. 실험 목적1. 소자 문턱 전압과 소자 전도도 변수를 측정해 본다.2. MOS 소자의 특성 커브를 측정해 보고, 이를 통해서 ... MOS의 여러 특성에 대해 알아본다.2. 기초 이론전계?효과 트랜지스터(FET)(a) MOSFET의 구조, (b) 옆에서 본 MOSFET, (c) 회로 기호BJT와 마찬가지 ... 도 있다. 이런 이유로, 현재의 대부분의 VLSI회로는 MOS기술로 만들어지고 있다.전류 전도를 위한 채널의 형성(a) 게이트 전압에서의 MOSFET, (b) Depletion

리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.04.15 | 수정일 2016.06.21

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전자회로 설계 및 실험 6 MOSFET 소스 공통 증폭기의 특성 결과보고서

전자회로 설계 및 실험 10주차 MOSFET 소스 공통 증폭기의 특성1. 실험 목적1. MOSFET의 드레인(Drain) 특성을 실험적으로 결정한다.2. FET 증폭기에 대한 바 ... .773.894.02+0.803.513.954.194.374.534.684.824.96- 이번 실험은 위의 그림 13-13의 회로를 구성하고를 -0.5V로 고정시키고를 천천히 증가 ... 은 위의 그림 13-11의 회로를 구성하고 일그러짐 없는 최대 출력 파형이 나오기 위한 입력 전압의 진폭=100mV임을 실험을 통해 확인할 수 있었다. 그 이상이 되면 파형의 윗부분

리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.04.15 | 수정일 2016.06.21

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