"CMOS소자공학"의 검색결과 입니다.

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반도체공학과 전자공학과 CMOS amplifier 설계 반도체 대학원 카이스트 반도체 포스텍 대학원 DA 변환기 CMOS-TTL interface

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"CMOS소자공학" 검색결과 81-100 / 267건

2025년 삼성전자 DS 및 DX 직무 89가지 면접 질문 및 답변예시

, 리소그래피, 이온주입 등) 중 가장 자신 있는 부분이 무엇인가요?4. 소자 설계에서 scaling(미세화)의 한계와 극복 방안은 무엇이라고 생각하나요?5. 수율(yield ... )을 높이기 위해 공정에서 가장 중요한 요소는 무엇인가요?6. 반도체 소자 특성 분석(예: IV, CV, 신뢰성 테스트)을 해본 경험이 있나요?7. 최신 반도체 업계 이슈(예: EUV ... 과 꾸준한 복습 루틴이 중요하다고 생각합니다. 저는 수업 내용을 단순히 외우기보다, 실생활이나 다른 전공 과목과 연결 지어 이해하려 노력했습니다. 예를 들어 반도체공학 수업

자기소개서 | 58페이지 | 10,000원 | 등록일 2025.08.10

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전류모드 CMOS를 사용한 병렬 3치 승산기 설계 (The Design of Parallel Ternary-Valued Multiplier Using Current Mode CMOS)

본 논문에서는 전류모드 CMOS를 통한 GF(3m)상의 표준기저 승산회로를 제안하였다. 먼저, GF(3)연산을 위해 필요한 가산 및 승산을 진리표를 통해 정의하고 이를 CMOS ... 하며, VLSI에 유리하다. 또한 회로내부에 메모리소자를 사용하지 않고, 연산디지트들이 병렬로 연산되므로 빠른 연산이 가능하다. 제안된 회로의 논리연산동작을 시뮬레이션을 통해 검증 ... mode CMOS is presented. Prior to constructing the GF(3m) multiplier circuit, we provide a GF(3

논문 | 9페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.11 | 수정일 2025.07.19

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SK하이닉스 소자 직무 합격 자기소개서 (3)

CMOS 소자설계를 위한 시뮬레이션 실습’을 이수할 예정입니다. 5일간 약 9시간씩 이론 및 실습을 통해 반도체의 기본 물성, MOSFET의 기본 개념, MOSFET의 디자인과 공정 ... 하고 있는 네트워크/ 경험의 진실성을 증명할 수 있는 근거가 잘 드러나도록 기술) (700~1000 자 10단락 이내)반도체 공정 엔지니어가 되기 위해서 ‘물리전자공학’, ‘반도체 ... 공학’ 등 반도체 강의를 통해 반도체의 물리적 특성과 MOSFET의 특성을 이해했고 시험을 통해 두 과목 모두 A+성적을 거두었습니다. 하지만 실제로 판매되고 있는 메모리 부품

자기소개서 | 5페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.02.06

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[텍사스인스트루먼트코리아 Field Applications Engineer 합격 자기소개서] 자기소개서 자소서, 자기소개서, 자소서, 합격자기소개서, 합격 자기소개서, 합격자소서, 합격자기소개서,합격자소서,기업 자기소개서, 기업 자소서, 기업자기소개서, 기업자소서, 취업 자소서, 취업 자기소개서, 면접 자소서, 면접 자기소개서, 이력서

하며 관련 실험 과목을 수강하며 배운 이론을 적용해보고, 소자의 특성과 회로에 대한 이해를 넓혀갔습니다.실제 칩 설계 과정에 대한 궁금증을 해소하기 위해 IDEC에서 “CMOS ... 에 대해 생각해볼 수 있었습니다.그 후 MOSFET과 BJT모델을 추가하기 위해 각 소자의 Companion model을 구현한 후 간단한 회로에서 예상한 파형이 나오는지 확인 ... Stepping Method로 동작점 계산 후, Dynamic timestep algorithm으로 각 Timepoint에서 소자들의 Companion Model을 업데이트

자기소개서 | 12페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.02.11

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고전압 집적회로를 위한 래치업-프리 구조의 HBM 12kV ESD 보호회로 (A 12-kV HBM ESD Power Clamp Circuit with Latchup-Free Design for High-Voltage Integrated Circuits)

고전압 소자에서 스냅백 이후의 유지 전압은 구동전압에 비해 매우 작아서 고전압 MOSFET이 ESD(ElecroStatic Discharge) 파워클램프로 바로 사용될 경우 래치 ... 업 문제를 일으킬 수 있다. 본 연구에서는 스택 바이폴라 소자를 이용하여 래치업 문제가 일어나지 않는 구조를 제안하였다. 제안된 구조에서는 유지 전압이 구동전압 보다 높으므로 래치 ... V BCD(Bipolar-CMOS-DMOS) 공정을 사용하여 제작되었으며, TLP(Transmission Line Pulse) 장비로 웨이퍼-레벨 측정을 하였다. The

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.08 | 수정일 2025.06.10

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11주차-실험23 예비 - ADDA 변환기

2015년도 제2학기기초회로실험Ⅱ기초회로실험Ⅱ실험23. AD/DA 변환기담당교수 : 교수님학 부 : 전자공학부학 번 :이 름 :실 험 조 :제 출 일 : 2015. 11. 18 ... 므로 고정도와 고속성을 얻을 수 있어 현재 D/A 변환기에 주로 사용되고 있다.(4) 마이크로프로세서 인터페이스 설계시 D/A 변환기를 CMOS 또는 TTL을 사용할 때 이들 각각 ... ]01101.99464[V]11104.62894[V]01112.32263[V]11114.95986[V]OP-amp인 741소자에 전원공급기로 플러스와 마이너스 전압을 같이 넣는 양극

리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.10.02

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현대다이모스 생산기술(파워트레인) 첨삭자소서

하고, 전자 회로 수업에서 CMOS, 저항, Cap 등의 소자를 공부하면 MCU의 동작 과정과 겹치면서 큰 그림이 보이기 시작했습니다. 부전공하면서 학습량은 늘어나고 여유 시간은 줄어들 ... byte)[숲(컴퓨터공학)을 보고 나무(전자공학)를 보자]머릿속 생각을 실제로 구현하는 삶을 살고 싶었고, 자연스럽게 H/W와 S/W를 공부할 수 있는 전자공학과를 선택 ... 하였습니다. 2학년까지 전자 공학을 전공하면서, 무엇인가 허전함을 느꼈습니다. 지금 공부하는 복잡한 수식이 실제로 회로에서 어떻게 동작하는 것인지 알고 싶어, 3학년부터는 컴퓨터 공학을 부전공

자기소개서 | 19페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.02.01

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SK하이닉스 공정 R&D 서류 합격 자소서

설계’ 프로젝트를 진행했습니다. 공정흐름에 따라 CMOS 소자의 변화를 이미지화하며 주요 단위공정의 제한조건을 이해하고 Design Rule에 맞추어 이들을 인테그레이션하여 공정 ... 분석하고 공학적 타당성을 가진 아이디어를 추가하기로 결정했습니다. 밤을 새워 가며 α알루미나 관련 논문 100개를 검토했습니다. 결국 저희는 AIP 정제, PVP와 글루코스 첨가 ... 습니다. 이때 저는 ‘공학과컴퓨터2’에서 배웠던 ANOVA 분석을 응용하고자 했습니다. Maineffectplot에서 각 변수의 영향 정도를 직선 기울기를 통해 파악한 결과 ‘TiO

자기소개서 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.10.29

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[2018년도 상반기] 삼성전자 메모리사업부 공정개발 인턴 합격자소서

이나 경험에 대해 작성해주시기 바랍니다. [100]대학교 1학년 때 창의적 공학설계라는 강의에서 팀원들과 설계를 통해 완성품을 제작하는 프로젝트가 있었습니다. 이를 통해 서로의 부족 ... 밖에 없습니다.한편으로 삼성전자는 최근 사람의 눈보다도 밝은 곳과 어두운 곳의 차이를 보다 정확하고 선명하게 구별할 수 있는 광대역 다이내믹 레인지 기능을 갖춘 자동차용 CMOS 이미지 ... 하십시오. [1000][이 구역의 엔지니어는 나야 나]제가 지원한 메모리 사업부에서 공정 개발 분야는 크게 세 분야 공정 개발, 제조 science, 소자 개발로 나누어집니다.먼저

자기소개서 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.11.22

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45nm CMOS 공정기술에 최적화된 저전압용 이득-부스팅 증폭기 기반의 1.1V 12b 100MS/s 0.43mm2 ADC (A 1.1V 12b 100MS/s 0.43mm2 ADC based on a low-voltagegain-boosting amplifier in a 45nm CMOS technology)

본 논문에서는 주로 고속 디지털 통신시스템 응용을 위해 고해상도, 저전력 및 소면적을 동시에 만족하는 45nm CMOS 공정으로 제작된 4단 파이프라인 구조의 12비트 100MS ... Miller 주파수 보상기법을 선택적으로 적용하였다. 채널길이 변조현상 및 전원전압 변화에의한 전류 부정합을 최소화하기 위하여 캐스코드 전류 반복기를 사용하며, 소자의 부정합을 최소 ... 화하기 위하여 전류 반복기와증폭기의 단위 넓이를 통일하여 소자를 레이아웃 하였다. 또한, 제안하는 ADC에는 전원전압 및 온도 변화에 덜 민감한 저전력 기준 전류 및 전압 발생기

논문 | 9페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.16 | 수정일 2025.07.20

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멀티레벨 셀을 가지는 PoRAM의 센싱 기법 (A Sensing Method of PoRAM with Multilevel Cell)

.13μm CMOS technology, we verified to sense each data “00”, “01”, “10”, “10” by four states of a cell current. 대한전자공학회 전자공학회논문지 - SD 이종훈, 김정하, 이상선 ... 상태의 변화로 셀 데이터를 구분하는 메모리 소자이다. 특히 한 셀당최대 4 레벨의 안정된 저항 값을 가지므로 멀티레벨 셀로 활용이 가능하다. 따라서 멀티레벨의 센싱을 위해 어드레스 ... 하는 전류 비교기를 기본으로 구성되며, 전류를 증폭하기 위해 낮은 입력 임피던스를갖도록 설계되었다. 제안된 기법에 의해 설계된 회로는 0.13μm CMOS 공정 라이브러리를 사용하여 설계

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.25 | 수정일 2025.05.27

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광통신 모듈용 단일칩 CMOS 트랜시버의 설계 (Design of a Single Chip CMOS Transceiver for the Fiber Optic Modules)

STM-1 체계의 광통신용 광모듈 송수신부에 내장하기 위한 155.52 Mbps 트랜시버 ASIC을 0.6 ㎛ 2-poly 3-metal 실리콘 CMOS 기술을 이용하여 설계 ... 형태의 트랜시버를 설계하기 위하여, 잡음 및 상호 간섭 현상을 방지하기 위한 배치 상의 소자 격리 방법뿐만 아니라 전원분리, 가드링, 격리장벽 등을 도입한 새로운 설계 방법을 적용 ... been designed in 0.6 ㎛ 2-poly 3-metal silicon CMOS analog technology and operates at 155.52 Mbps(STM-1

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.31 | 수정일 2025.06.05

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저전압 기준전압 발생기를 위한 시동회로 (Robust Start-up Circuit for Low Supply-voltage Reference Generator)

는 값은 잘 정의되므로 이를 통하여 회로의 상태를 신뢰성 있게 결정할 수 있다. 전류는 내부에 오프셋 전압을 갖는 비교기를 이용하여 측정하였다. 130nm CMOS 공정을 이용 ... 이상의전원 전압이 가해질 경우, 소자에 미스매치가 있더라도 안정적으로 기준전압 생성기가 시동하는 것을 확인하였다 Since most reference voltage generator ... . To measure the current using CMOS-compatible devices only, a comparator with an internal offset

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.25 | 수정일 2025.06.28

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SK 하이닉스 최종합격 자소서 2022 상반기 (서합4번,최합)

들의 추천을 받아 토론 진행 MC까지 진행했습니다.둘째, 발표가 필수인 강의들 위주로 수강하였습니다. ‘공학 설계’, ‘세라믹 공학’, ‘에너지 재료 설계’ 등 조별 발표가 포함 ... , 객관성을 바탕으로 보고서를 작성했습니다. 단순히 이론이 아닌 실험에 바탕으로 한 Data를 앞세워 객관성을 인정받았습니다.그 결과, 대학교 3, 4학년에 수강한 ‘공학 설계 ... leeve’ 제작]일상 속 불편함 개선을 목표로 신소재를 활용한 ‘기능성 컵 sleeve’ 제품을 6개월간 지속적으로 설계하여 ‘공학 설계’수업에서 18개 팀 중 1위를 달성하고, 주변

자기소개서 | 8페이지 | 5,000원 | 등록일 2022.10.15 | 수정일 2023.02.05

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높은 정확도를 가진 집적 커패시터 기반의 10비트 250MS/s 1.8mm2 85mW 0.13um CMOS A/D 변환기 (A 10b 250MS/s 1.8mm2 85mW 0.13um CMOS ADC Based on High-Accuracy Integrated Capacitors)

0.13um CMOS A/D 변환기 (ADC)를 제안한다. 제안하는 ADC는 요구되는 10b 해상도에서 250MS/s의 아주 빠른 속도 사양을 만족시키면서, 면적 및 전력 소모 ... 를 최소화하기 위해 3단 파이프라인 구조를 사용하였다. 입력단 SHA 회로는 게이트-부트스트래핑 (gate-bootstrapping) 기법을 적용한 샘플링 스위치 혹은 CMOS ... 열에는 소자 부정합에 의한 영향을 최소화하기 위해서 인접신호에 덜 민감한 향상된 3차원 완전 대칭 구조의 커패시터 레이아웃 기법을 제안하였으며, 기준 전류 및 전압 발생기는 온-칩

논문 | 11페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.05 | 수정일 2025.07.10

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세메스 공정 기술 자소서

십시오. (700자 이내)695/700 (글자 수, 공백 포함)[Take me to the next level]저는 재학 중 [초미세공정] , [반도체소자공학] 수업을 통해 반도체 ... 전반을 경험3. Analog 회로 설계(IDEC program): CMOS layout 설계공통 질문* ① 세메스를 지원한 이유와 입사 후 회사에서 이루고 싶은 꿈을 기술 하

자기소개서 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.02.26 | 수정일 2024.03.12

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온 칩 셀 특성을 위한 위상 오차 축적 기법 (Phase Error Accumulation Methodology for On-chip Cell Characterization)

한 시간 정보를 제공함으로서 ASIC 설계 흐름 공정의 시간적 분석을 증진시킬 수 있다. 이러한 분석은 기술 공정에서 반도체 파운드리 팀에게 유용하게 사용할 수 있다. CMOS ... 소자의 전파지연시간과SPICE 시뮬레이션 은 트랜지스터 파라미터의 정확도를 예측할 수 있다. 위상오차 축적방법 물리적 실험은 반도체 제조공정(0.11μm, GL130SB)으로 실현 ... delay in the CMOS element and result of analog SPICE simulation, we can make assumptions about accuracy

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.24 | 수정일 2025.05.27

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광통신 모듈용 단일 칩 CMOS 트랜시버의 구현 (Implementation of a Single Chip CMOS Transceiver for the Fiber Optic Modules)

STM-1 체계의 광통신용 광모듈 송수신부에 내장하기 위한 155.52 Mbps 트랜시버 ASIC을 0.6 ㎛ 2-poly 3-metal 실리콘 CMOS 기술을 이용하여 구현 ... 형태의 트랜시버를 설계하기 위하여, 잡음 및 상호 간섭 현상을 방지하기 위한 배치 상의 소자 격리 방법뿐만 아니라 전원분리, 가드링, 격리장벽 등을 도입한 새로운 설계 방법 ... ㎛ 2-poly 3-metal silicon CMOS analog technology and operates at 155.52 Mbps(STM-1) data rates. It

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.31 | 수정일 2025.06.05

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새로운 티타늄 실리사이드 형성공정과 STI를 이용한 서브 0.1㎛ ULSI급 소자의 특성연구 (A Study on sub 0.1㎛ ULSI Device Quality Using Novel Titanium Silicide Formation Process & STI)

현재 VLSI(Very Large Scale Integrated Circuit) 및 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 소자 ... NMOS 경우 6.27e-4∼6.24e-4정도로 PMOS 영역의 경우가 N형 영역의 값에 비하여 큰 값을 나타내었다. 이러한 결과로부터, 서브 0.1㎛급의 초 고집적회로 소자 ... 에 대한 특성은 본 연구에서 제시된 STI 필드산화막 형성방법과 2 단계 티타늄실리사이드 형성방법을 통한 게이트전극층 형성공정으로 우수한 소자 특성을 얻을 수 있을 것으로 사료

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.16 | 수정일 2025.06.17

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2진-4치 변환기 설계에 관한 연구 (A Study on the Design of Binary to Quaternary Converter)

본 논문에서는 전압모드를 기초로 한 2진-4치 상호 변환기와 논리 게이트의 기본 소자라고 할 수 있는 4치 인버터회로를 설계하였다. 2진-4치 변환기는 2비트의 2진 신호를 입력 ... -metal CMOS technology의 파라미터를 사용한 Hspice를 이용하여 모의 실험을 하였다. 모의 실험 결과는 샘플링 레이트가 250MHz, 소비 전력은 0.6mW, 출력 ... circuits are simulated in 0.35μm N-well doubly-poly four-metal CMOS technology with a single +3V supply

논문 | 11페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.03 | 수정일 2025.07.05

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