"게르마늄"의 검색결과 입니다.

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다이오드 순방향 PN 접합 다이오드 보령머드축제 다이오드 특성 반도체 용어집 인천대 정류회로 발광 다이오드 전자회로실험 11판 반도체 공정

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"게르마늄" 검색결과 81-100 / 1,763건

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[전자회로]실험1 반도체 다이오드의 특성

는 고체로서 게르마늄 또는 실리콘 결정체이다. 순수 게르마늄의 저항은 45[Ω· ㎝]정도이고, 순수 실리콘의 저항은 수천[Ω· ㎝]정도이다. 순수 게르마늄이나 순수 실리콘 ... 은 그림 1-5와 같다.실리콘 다이오드의 전형적인 도통전압은 0.7V이고, 게르마늄 다이오드의 도통전압은 0.3V이다.다이오드가 역방향바이어스 될 때, 특정 전압값에 도달할 때 ... 다이오드 특성곡선을 그려라.8. 게르마늄 다이오드에 대해서도 실험과정 5-6을 되풀이하여 표 1-3을 작성하라.● 실험 결과표 1 - 1바이어스V[V]I[mA]R(다이오드)순 방 향

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.10.10

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반도체 용어집

반도체로 간주된다.불순물 반도체불순물 반도체는 아래 그림과 같이 게르마늄이나 붕소 같은 불순물을 넣어서 만든 반도체로 첨가물의 종류에 따라n형 반도체와 p형 반도체가 있으며, 이 둘 ... 을 결합시킴으로써 다이오드 ·트랜지스터 ·사이리스터(thyristor) 등이 형성된다.고순도의 실리콘 또는 게르마늄의 결정은 자유전자와 양공의 수가 동일하며 높은 저항을 나타낸다 ... 을 걸어 사용하는 npn형이 있으며, pnp형은 주로 게르마늄(Ge), npn형은 주로 실리콘제의 경우가 많다. 게르마늄이나 실리콘 등 진성반도체(眞性半導體)를 순도 99

리포트 | 31페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.02.05

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[A+ 4.5 예비레포트] 기초전자공학실험 - 다이오드 특성

제목다이오드 특성실험 목적실리콘과 게르마늄 다이오드의 특성곡선을 계산하고, 비교하고, 그리고 측정한다.실험 장비1. 다이오드(Diode)2. 저항(Resistance)3 ... . 브레드보드(Breadboard)이론1. 다이오드(Diode) 1-1 다이오드의 정의 다이오드(diode)는 게르마늄(Ge)이나 규소(Si)로 만들어지고, 주로 한쪽 방향으로 전류가 흐르

리포트 | 3페이지 | 5,000원 | 등록일 2021.04.20

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[A+ 4.5 결과레포트] 기초전자공학실험 - JFET 특성, JFET 바이어스 회로

JFET의 전류 캐리어는 정공이다. n-채널 JFET에서 전류의 경로는 n-도핑된 게르마늄이나 실리콘이고, p-채널 JFET에서 전류의 경로는 p-도핑된 게르마늄. 실리콘이다. 전류

리포트 | 15페이지 | 5,000원 | 등록일 2021.04.20

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[컴퓨터로 하는 물리학 실험 (북스힐)] 13. 다이오드 1 결과보고서 (A+)

하고 교류를 여과하고 정류하는 과정을 이해한다.실리콘이나 게르마늄은 4족 원소(최외각 전자가 4개)로서 대표적인 반도체이다. 순수한 상태의 실리콘이나 게르마늄은 진성반도체라고 불린다 ... 형 반도체의 차이를 설명하라.P형 반도체 : P형반도체란 전하를 옮기는 운반자로써 정공이 사용되는 반도체이다.Si(실리콘), Ge(게르마늄) 등의 결정 중 붕소, Ga(갈륨), In(인듐) 같은 원자가가 3가인 원소를 정당히 가한 불순물 반도체이다.

리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.12.31

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Tv, 신문기사, 광고, 서적 등에서 사이비과학에 해당하는 사례 찾기(3개이상)

. 사이비과학의 사례1) 혈액형별 성격 차이,2) 건강에 좋은 게르마늄 팔찌·음이온올해 들어서 `라돈 사태`를 일으켰던 음이온은 대표적인 사이비과학이라고 할 수 있다.(1) 음이온 ... 들은 음이온이 건강에 영향을 끼친다는 과학적인 근거가 없다는 판정을 내렸다.(2) 게르마늄 팔찌를 선두로 한 건강의 팔찌 역시도 마찬가지이다. 1970년대 후반에 일본에서 산화 ... 게르마늄이 건강에 좋다고 알려지게 되면서 식용의 보조제로 판매가 되기 시작하였다. 이후에 면역력의 강화와 혈액순환의 개선에 도움이 된다는 주장까지도 나오게 되면서 게르마늄의 목걸이

리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.01.26

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중앙대학교 일반대학원 융합공학부 학업계획서

강화 원자층 증착에 의한 게르마늄 산화막의 온도 의존적 ??성장 특성 연구, 등채널 각도 프레싱에 의해 제작된 초미세립 저탄소강의 단열 전단밴드의 미세구조 개발 연구 등을 하고 싶

자기소개서 | 2페이지 | 3,800원 | 등록일 2024.04.30

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다이오드 기본특성 실험보고서

로 정확한 전류값을 측정하지 못하여 매끄럽지 못한 파형이 나왔지만 그래프 개형이 모의실험하고 비슷함을 확인 할 수 있다.EX2-3) 게르마늄 다이오드의 V-I 특성전압을 0.1V ... 다.D1N914의 장벽전위는 약 0.7V, D1N60의 장벽전위는 약 0.4V로 볼 수 있고 게르마늄 다이오드의 장벽전위가 실리콘 다이오드의 장벽전위보다 낮아 게르마늄 다이오드

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.04.02

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카이스트(한국과학기술원) KAIST 일반대학원 신소재공학과 자기소개서 연구계획서

원자층 증착에 의한 게르마늄 산화막의 온도 의존적 ??성장 특성 연구, 초기 양이온 화학양론 및 Sc-도핑된 칼슘 구리 티타네이트의 전류-전압 거동 분석 연구, V 추가에 의한

자기소개서 | 2페이지 | 3,800원 | 등록일 2023.07.06

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다이오드 특성 결과보고서

바이어스 시키고 실리콘에서는 약 0.7V, 게르마늄에서는 약 0.3V 전압 강하를 발생시킨다. 선들의 극성을 반대로 연결하면 OL 표시가 나타날 것이다.두 방향에서 모두 값이 낮 ... 다이오드 상태는 양호하다고 볼 수 있다. 다이오드는 게르마늄(Ge) 다이오드인 것을 확인할 수 있었다. Ge 다이오드의 경우 이론적으로는 문턱전압(Threshold Voltage

리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.05.25 | 수정일 2025.03.07

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발광 다이오드 예비보고서

는 적색이나 흰색, GaP는 적색이나 녹색의 가시광선을 방출한다. 실리콘이나 게르마늄은 열을 방출하므로 LED에 사용되지 않는다.

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.07.08 | 수정일 2022.07.15

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연세대학교 일반대학원 시스템반도체공학과 학업계획서

멤리스터 센서 어레이에서 관찰된 실온에서의 가스 감지 및 회수 특성 연구, 플라즈마 강화 원자층 증착에 의한 게르마늄 산화막의 온도 의존적 ??성장 특성 연구, SnS2 멤

자기소개서 | 2페이지 | 3,800원 | 등록일 2024.01.27

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전기전자공학실험-쌍극성 접합 트랜지스터 특성

(BJT)는 실리콘(Si) 또는 게르마늄(Ge)으로 만들어진다. 트랜지스터는 두 개의 n형 재료 층 사이에 하나의 p형 재료 층이 놓이거나(npn), 두 개의 p형 재료 층 사이 ... 과 비교하는 것이 이 실험의 목적 중 하나이다.2. 트랜지스터- 규소나 게르마늄으로 만들어진 반도체를 세 겹으로 접합하여 만든 전자회로 구성요소이며전류나 전압 흐름을 조절하여 증폭 ... 가 연결된 경우이다. 그러므로 남은 트랜지스터 단자는 이미터이다.- 지시 값이 약 700mV이였으면, 트랜지스터 재료는 실리콘이고, 약 300mV이였으면 재료는 게르마늄이다.2-4

리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.02.14

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2019-2 전남대학교 소비자학 과제

2019년 2학기소비자학 과제1성명 :학과 :학번 :과제1.1 독점적 경쟁시장으로 어떤 시장들이 있는지 근거를 중심으로 조사해보고(?), 각각 그 시장들이 여러분 자신에게 있어서는 완전경쟁시장과 비슷한지, 과점이나 독점과 비슷한지 설득적으로 설명하시오(?).? 제가 생..

시험자료 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.03.21

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과학이라는 헛소리 독후감

는지도 모른다.“게르마늄 팔찌를 착용하면 건강에 좋다.”, “좋지 않은 말만 들은 양파는 썩는다.”, “사람의 성격이 혈액형의 영향을 받는다” 등 모두 한 번씩은 들어봤을 것이다. 이는 모두

리포트 | 1페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.01.16

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[신소재공학과][세라믹개론] 세라믹개론 단결정 제조법

된 순수한 고체라고 할 수 있습니다.2.단결정 제조법1. 초크랄스키법 (Czochralskimethod: CZ법)- 초크랄스키법은 게르마늄단결정의 양산(量産)에 활용되고 있으며, 또한 ... (Floating Zone Method : FZ법)- 플로팅존법은 게르마늄다결정 등의 물리적 정제에 이용되었던 띠정제기술을 발전시킨 것으로 실리콘단결정 제조에도 응용되고 있는데, 오염 ... 기술의 발달로 지금은 이 기법에 의해 초크랄스키법으로 제조되는 것에 가까운 정도로 큰 반도체단결정을 만들 수 있게 되었다. 실리콘이나 게르마늄 등의 흩원소물질반도체와 같이, 녹는점

리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.11.11

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수경재배 시 첨가매질이 관엽식물의 생장에 미치는 영향 (Effect of Applied Substrates on Foliage Growth in Hydro-Culture)

(사) 한국생물환경조절학회 장혜숙, 이상규, 문지혜, 박천호

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.29 | 수정일 2025.05.15

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대장균 성장 억제에 대한 TiO 2/HAP/Ge의 항균능 평가 (Assessment of Antibacterial Activity on Growth Inhibition of E. coli by TiO2/HAP/Ge Composite)

한국방재학회 장순웅, 김한상, 이일국, 이시진

논문 | 33페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.07 | 수정일 2025.05.08

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Penelope Simulation에 의한 불감층 두께 효과 및 HPGe 검출기 분석 (Analysis of the Dead Layer Thickness effect and HPGe Detector by Penelope Simulation)

한국방사선학회 장은성, 이효영

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.10 | 수정일 2025.07.19

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고순도 저마늄 감마선 검출기의 검출효율에 따른 유효입체각 검증에 관한 연구 (A Study on the Validation of Effective Angle of Particle Deposition according to the Detection Efficiency of High-purity Germanium Gamma-ray Detector)

한국방사선학회 장보석

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.10 | 수정일 2025.03.28

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