"치환도핑"의 검색결과 입니다.

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반도체 화학공학과 연세대 중앙대 화학과 FTO 전도성 고분자 한양대 대학원 TCO ITO conjugated polymer

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"치환도핑" 검색결과 61-80 / 139건

판매자 표지

반도체재료공학 정리

)를 첨가(도핑)하여 전자, 정공을 조절해 원하는 특성을 얻는 반도체이다.3) 외인성반도체에서 동결이란 어떠한 현상을 말하는가?도너상태를 예로 들어 어떤 전자도 열에너지에 의해 ... 원소인 실리콘에 5족 원소인 인을 첨가하게 되면 인이 실리콘이 있던 자리에 치환되어 인이 P+로 이온화되어 하나의 잉여전자가 생성된다. 잉여전자는 0K 이상의 온도에서 적은 E ... 에 치환되어 이온화된 보론은 하나의 잉여정공을 생성한다. 0K 이상의 온도에서 적은 E를 받으면 가전자대에 있던 전자들이 여기되어 Acceptor 준위로 이동하며 잉여정공을 채우

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| 시험자료 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2015.07.02 | 수정일 2019.06.07

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연세대 구술면접준비 재료과학과공학 요약정리본

구조(두금속이 같은 결정구조), 전기음성도(크면 클수록 치환형보다는 화합물형성함), 원자가(높은원자가를 갖는 금속에 더 많이 용해됨)15. dislocation(line defect ... 가 외부전기장에 의해 받는 힘에따라 전자가 움직임으로써 일어나는 것.- 이온 전도 ; 이온재료에서 전하를 띤 입자가 이동함으로써 전류를 흐르게 하는 것.* 도핑- 외인성반도체

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| 자기소개서 | 24페이지 | 10,000원 | 등록일 2019.06.28 | 수정일 2019.08.05

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리튬이온배터리 예비레포트

인해 사이클 특성, 저장 안정성, 고온시의 안정성이 크게 떨어지게 된다. 이런 문제를 해결하기 위해 Ni의 일부를 Co로 치환한 LiNi1-xCoxO2 및 여기에 이종금속 Mn ... , Al 등을 추가 도핑하여 안정화 시키는 연구가 활발히 진행되었다. 전지에는 LiNi0.8Co0.2-xAlxO2의 조성이 적용되고 있으며 안전성 등 많은 문제점을 안고 있지만 고용

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| 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.02.14

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8. PLED 소자 제작(예비)

고, PSS는 억셉터로써 도핑된 구조를 가지며, PSS는 음이온성이 물에 대한 분산제 역할을 하기에 PEDOT:PSS는 복합체로써 물속에서 안정된 분산체로 존재할 수 있게 된다 ... 하는 6℃, 밀도:-g/cm ^{3}, 비중:0.8636-0.866벤젠의 수소원자 1개를 메틸기로 치환한 화합물로 무색의 액체이다. 석탄을 건류하여 얻은 경유를 황산으로 씻은 다음 ... )메틸헥산, 메틸헥센 또는 메틸헥사디엔을 접촉적으로 수소 이탈, 고리화한다.5)실험실에서는 프리델-크래프츠 반응 또는 피티히 반응에 의해 합성된다.【구조】톨루엔을 벤젠 치환체라고

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| 리포트 | 39페이지 | 2,500원 | 등록일 2016.04.06

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[정보디스플레이개론_자필과제]치환도핑, 옴의법칙, 전류와 전류밀도, 캐패시턴스, 모빌리티

1) 전류전류는 전기의 흐름이다. 이것은 모든 도체 내에서 자연적으로 생기는 전자의 무질서한 운동과는 별개인 것이다. 이 무질서한 운동은 실제적으로는 어느 방향으로도 영향을 미치지 않으며, 그러므로 전류는 흐르지 않는다. 전류는 양도체 내에서 가장 활발히 흐르는데 양도..

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| 리포트 | 11페이지 | 5,000원 | 등록일 2014.04.02

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광촉매 기술에 관하여

알려진의 계산 결과,의 공유띠는 주로 산소의 2p 전자로 이뤄져 있으며 전도띠는 주로 티타늄의 3d 전자로 이루어져 있음을 보여준다. 또,에서 산소대신 C, N, S 등으로 치환 ... 시켜 만든 최적화된 구조체는 음이온 도핑에 의해 산화 티타늄의 밴드갭이 줄어 들 수 있어 가시광선 촉매로의 전환이 가능할 것이라 예측되었다. 이 결과는 음이온 도핑에 의해 밴드갭

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| 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.04.06

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Hydrogen Storage by metallized graphenes (Review)

Graphene? Monolayer Graphite (one-atom-thick planar sheet)  탄소재료중 비표면적이 가장 큼.금속을 도핑한 Graphene 을 이용 ... doping 한 Graphene에 Metal을 분산시키면 Graphene 에 치환된 것처럼 결합한다. 그림 (b)는 금속에 따른 Graphene 과의 Binding Energy ... Energy는 떨어지는 경향을 보였으며, 반면 V 을 치환한 Graphene의 경우 Binding에너지는 수소흡착횟수에 상관없이 일정한 특성을 보인다.치환된 금속에 따른 수소

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| 리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.10.27

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Polymer LED

다. 이러한 전통적인 관점에서 볼 때 전도성 고분자의 출현은 매우 생소한 것이라고 할 수 있다. 전도성 고분자의 연구는 1977년 도핑된 폴리아세틸렌이 금속 수준의 전도도를 보인다는 보고 ... 적으로 이해가 적은 곳이며, 실험적으로 O2 plasma 처리를 통하여 표면의 거칠기를 낮출 수 있고, poly(styrene sulphonic acid)가 도핑된 PEDOT(poly ... 한 치환체를 도입하거나, 중합과정에서 head-to-head로 일정하게 반응할 수 있도록 비대칭 구조의 단량체를 사용함으로써 최소화 할 수 있는 것으로 알려져 있다.3.2 고분자

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| 리포트 | 10페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.09.11

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전도성 고분자

한 폴리아세틸렌이 요오드에 의해 도핑되면 109배의 전도도가 증가된다는 사실이 밝혀진 이후로 전도성 고분자에 대한 관심과 연구는 증가하게 되었다.현재 전자재료는 경량화, 소형 ... 되어야 한다. 최근에는 안정성이 우수한 폴리피롤, 폴리아닐린, 폴리사이오펜등 잘 알려진 전도성 고분자를 중심으로 제조법의 개선, 측쇄 치환, 기능성 도판트의 혼입 등의 방법으로 102 ... 적으로 산화시키면 전자가 제거될 수 있다. 이것을 도핑(dopping) 이라고 한다. 도핑은 전하운반체수를 증가시킬 뿐만 아니라, 만약에 주입된 전자들이 갭 내에서 새로운 에너지상태

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| 리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.06.11

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TCO,ITO

적 생산단계에서 원가절감의 한계를 나타나고 있어 대체 물질의 개발이 시급한 실정이다. 현재 여러모로 이루어지고 있는 연구 분야는 Ga, Al 등이 도핑된 TCO가 있다.2 ... 물이다. ITO는 In2O3의 결정구조에서 In 자리에 Sn이 치환고용된 형태인데 의 (a)에 In2O3의 결정구조를 나타내었다.ITO의 전기전도성이 최대화인 적정 SnO2의 첨가 ... 은 내부 산소 공공(oxygen vacancy)에 직접적인 영향을 받으며, ITO에서 Sn이 3 atomic% 미만으로 도핑되어 있을 때는 첨가된 dopant보다 전체 carrier

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| 리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.25

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sputtering

적 생산단계에서 원가절감의 한계를 나타나고 있어 대체 물질의 개발이 시급한 실정이다. 현재 여러모로 이루어지고 있는 연구 분야는 Ga, Al 등이 도핑된 TCO가 있다.2 ... 물이다. ITO는 In2O3의 결정구조에서 In 자리에 Sn이 치환고용된 형태인데 의 (a)에 In2O3의 결정구조를 나타내었다.ITO의 전기전도성이 최대화인 적정 SnO2의 첨가 ... 은 내부 산소 공공(oxygen vacancy)에 직접적인 영향을 받으며, ITO에서 Sn이 3 atomic% 미만으로 도핑되어 있을 때는 첨가된 dopant보다 전체 carrier

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| 리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.25

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ZnO박막과 ZnO에 Al을 농도를 달리한 박막의 PL측정과 분석

하는 Zn과 O등이 있다. Zn과 O가 1:1-x 의 비로 혼합되어 있기 때문에 ZnO 내에 일정 수의 산소 공공이 존재한다. ZnO에 3가 이온인 3인 Al을 도핑 시키면 Zn과 Al ... 이온의 크기 차이가 크지 않기 때문에 일부 Zn2+ 이온이 Al 이온과 치환 된다. ZnO 박막에서 Zn2+ 이온과 치환 된 3가 이온, 그리고 산소 공공은 잉여 전자의 제공원 ... 으로 작용한다. ZnO 박막에 잉여 전자가 증가하면 전자의 농도와 밴드갭이 증가한다.본 실험에서는 Al의 도핑 농도 변화가 ZnO 및 AZO 박막에 미치는 전기적 특성 및 광학

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| 리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.01.04

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고분자전해질 멤브레인

에서 불소 치환된 스타이렌 (예: polytrifluorostyrene sulfonic acid )으로 대체되었다. 이로 인해 PEFC의 사용기간이 다섯 배 가량 증가하는 효과를 보 ... 와 유사한 불소탄화수소 고분자 주쇄에 불소치환 알킬에테르 곁사슬 말단에 술폰기가 공유결합한 가지형 고분자로 양이온 전도체인 산성분자가 고분자에 일차결합을 이루고 있어 이온전도체가 막박 ... 도를 갖는 희석 산의 형태를 띠고 있다. 전도도면에서는 전형적인 산성수용액으로 가소제로 사용되는 물의 끓는점 이상에서는 사용할 수 없다는단점이 있다. 선형 불소치환 탄소 주쇄

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| 리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.12.11 | 수정일 2014.08.20

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LED 레포트 A+

LE의 P층을 P와 P+으로 나누어 불순물밀도를 다르게 한다. 또, P+층에서는 Ga의 일부를 x% 만큼 Al로 치환한 3원의 화합물 반도체인 AlxGa1-xAs을 이용하여 제작 ... 0℃)에서 GaN를 성장하는 방법을 사용하여 백그라운드 도핑 수준과 이동도를 각각 n∼1017 ㎝-3와 400㎠/Vs으로 향상시켜 Ⅲ/Ⅴ족 질화물질을 이용한 소자의 접근을 가능 ... 하게 했다. 그 후 니치아에 의해 백그라운드 도핑 수준과 이동도가 n∼mid 1016㎝-3와 600㎠/Vs까지 증가하게 되었다.도핑을 하지 않은 GaN 박막 특성의 향상과 더불어 n

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| 리포트 | 26페이지 | 2,500원 | 등록일 2012.03.09

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전도성고분자)

게 활용되어 왔다화학/바이오 센서전도성 고분자 rdb의 도핑/디도핑 메커니즘은 전도도, 중량 ,컬러, 부피 등에 있어서 가역적인 변화를 일으킨다 이러한 성질은 전도성 고분자 ... 가 특정 분석물에 대해 뛰어난 감응도를 보이는 것을 가능케 한다 이 감응도는 중합과정에서 알맞은 도핑 이온을 첨가함으로써 선택적으로 조절될 수 있다 따라서 최근에는 전도성 고분자 나노 ... 체로 사용될 수 있었다 예를 들어, 철 이온이 도핑된 polypyrrole 나노입자는탄화과정 중에 철 이온이 산화철 형태로 바뀌면서 자성을 띄는 탄소 나노입자 또는 나노튜브로 쉽

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| 리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.02.10

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ZnO박막과 Al 도핑한 ZnO박막의 PL, 홀계수, 엘립소미터 측정 및 분석

하는 Zn과 O등이 있다. Zn과 O가 1:1-x 의 비로 혼합되어 있기 때문에 ZnO 내에 일정 수의 산소 공공이 존재한다. ZnO에 3가 이온인 3인 Al을 도핑 시키면 Zn과 Al ... 이온의 크기 차이가 크지 않기 때문에 일부 Zn2+ 이온이 Al 이온과 치환 된다. ZnO 박막에서 Zn2+ 이온과 치환 된 3가 이온, 그리고 산소 공공은 잉여 전자의 제공원 ... 으로 작용한다. ZnO 박막에 잉여 전자가 증가하면 전자의 농도와 밴드갭이 증가한다.본 실험에서는 Al의 도핑 농도 변화가 ZnO 및 AZO 박막에 미치는 전기적 특성 및 광학

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| 리포트 | 8페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.01.04

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전도성 고분자 기본 정리

년에 Shirakawa가 합성한 폴리아세틸렌이 요오드에 의해 도핑되면 109배의 전도도가 증가된다는 사실이 밝혀지게 되면서 57, 58) 전도성 고분자는 많은 과학자들에게 유연 ... 한 폴리피롤, 폴리아닐린, 폴리사이오펜등 잘 알려진 전도성 고분자를 중심으로 제조법의 개선, 측쇄 치환, 기능성 도판트의

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| 리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.07

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유기 태양전지 효율 향상 방안 (무기 태양전지 비교 및 hybrid 구조 제시)

Conjugated length가 긴 polymer 합성적절한 치환기와 가지의 선택구조적 접근 방법Tandem, stack cell흡수률 증가를 위한 표면 처리 (무반사 코팅 ... p-n junction을 이루는 nanorod로 대체한다. ZnO or Si nanorods를 대부분 n-type으로 구성하고 nanorods 끝 부분을 p-type으로 도핑

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| 리포트 | 10페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.09.11

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cnt 투명전극

. 투명전극재(2/3)ITO (Indium tin Oxide) ITO는 In2O3에 SnO2를 도핑시켜 제조한 재료로써 현재 가장 많이 쓰이는 투명전극재료.Sn 이 치환 도핑됨3 ... 가공 (1/4)(1) CNT 박막 형성을 위한 CNT 조성물 제조 (2) 투명기판 위에 상기CNT 조성물을 이용하여 CNT 박막 형성 (3) 상기CNT 박막의 전도성 분산제를 도핑5 ... 한 방법을 선정5. CNT 투명전극 가공 (4/4)(3) 상기CNT 박막의 전도성 분산제를 도핑 - CNT 박막의 전도도를 향상시키기 위하여 CNT 박막내의 분산제를 도판트 용액

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| 리포트 | 24페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.11.08

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전도성고분자

은 금속만이 가질 수 있는 것으로 알려져 있었으나 1977년에 iodine이 도핑된 polyacetylene의 전기전도도가 10³S/cm로 금속에 버금간다는 사실이 밝혀진이후 ... 의 수소대신 긴 알킬기를 치환하는 등의 화학적 개질에 의해 전기전도도는 그대로 유지하면서 가공성은 향상 시키고자 많은 연구가 진행되어 왔으나 특수한 단량체 몇 가지를 제외하고는 대부분 ... )나 dodecylbenzenefonic acid(DBSA)와 같이 분자의 크기 가 큰 유기산을 혼입제로 사용하면 분자간 인력이 줄어들어 도핑된 착체가 전기전도도는 그대로 유지하면서도 유기용매에 용해될수 있

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| 리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.04.23

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