"전자회로실험 보고서"의 검색결과 입니다.

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증폭기 2n3904 전압 전자회로실험 결과보고서 고급전자회로실험 실험실습 예비보고서 리미터 전전설3 공통이미터증폭기

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"전자회로실험 보고서" 검색결과 721-740 / 6,854건

연산 증폭기 실험 보고서(전자회로 실험), A+ 보고서, 과학기술원자료

연산 증폭기(비반전, 반전, 버퍼, 가산기, 미분기, 적분기) 실험Ⅰ. 실험목표가. 반전 증폭기와 비반전 증폭기, 전압 팔로워, 가산기의 회로 구성을 알고 입력 전압과 출력 전압 ... }? 직류회로 실험이 끝나면 Op_AMP를 이용하여 반전 증폭기 교류 Input 회로를 브레드 보드에 구성한다.? Function generator를 manual mode로 바꾼 ... Supplies를 매뉴얼 모드로 바꾼 후에 전압 노즐을 변화시키면서 파형을 관찰한다.? 직류회로 실험이 끝나면 Op_AMP를 이용하여 가산기 교류 Input 회로를 브레드 보드에 구성

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| 리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.09.05 | 수정일 2020.04.16

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PN 접합 다이오드 실험 보고서(전자회로 실험), A+ 보고서, 과학기술원자료

pn접합 다이오드 실험Ⅰ. 실험목표- p-n 접합으로 이루어진 다이오드의 특성을 알아보고 간단한 회로를 구성해본다.- 다이오드의 스위칭 작용으로 전류의 on/off를 제어 ... 에 그림과 같이 다이오드 부(-) 리미터 회로를 구성한다. (단, 다음 실험에서 사용한 저항R _{1}은10k OMEGA 을 사용하였고, 저항R _{2}는1k OMEGA 을 사용 ... 하였다.)그림 18. 다이오드 부리미터 회로6) 실제 브레드보드에 다이오드 부리미터 회로를 구성한다.7) 실험 과정 3번과 4번을 반복한다.8) 아래 그림과 같이 다이오드 아래 부분

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| 리포트 | 21페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.09.05 | 수정일 2020.04.16

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서강대학교 고급전자회로실험 - 실험 5. Multiplier 결과 보고서

고급전자회로 실험 결과 보고서실험 5. Multiplier분반학번이름조학번이름시작종료실험시작/종료시간 기재(통계 목적임)예비보고서는 아래 양식에서 ‘1. 실험결과’에 시뮬레이션 ... 결과를 입력하여 제출한다.결과보고서는 예비 보고서에 측정결과 및 분석을 추가하고, ‘2. 고찰사항’을 작성하여 제출한다.1. 실험결과1. 실험회로 11.1 [실험회로 1] 과 같이 ... .1152.9272.927회로도를 시뮬레이션 하여 각 노드에서의 전압을 측정하였다. 실제 실험에서는 회로도에 나와 있는 저항이 모두 없어 62k는 68k로 30k는 33k로 대체

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| 리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.04.20 | 수정일 2020.04.24

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기초전자회로실험 예비보고서 - 노드전압 및 망전류 회로해석

.75I2358358.7I3128128.2I43023.2.3I5236236.3I6194194.2I7108108.1I8430430.5참고문헌민상원, 『설계능력 향상을 위한 전기, 전자, 통신, 컴퓨터공학 기초전공실험, (2011년)예비보고서 기초전자회로실험1 실험일: 년 월 일 ... 실험 제목 : 노드전압 및 망전류 회로해석 방법실험에 관련된 이론노드전압 방법위와 같이 각 노드에 걸리는 전압을 V1과 V2로 잡아 준다. 그리고 이후 위와 같이 나온 두 개 ... : 회로의 전압과 전류가 비례관계로 표시될 수 없으며 다이오드나 배리스터, 철심을 넣은 코일이 있다.실험회로 및 시뮬레이션 결과4.1 노드전압 방법측정문제 1-1 ) 2장 4.1

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| 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.09.29 | 수정일 2019.09.30

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MOSFET 실험 결과 보고서, 기회실2 보고서, 전자회로실험, 기초회로실험2 결과보고서

Lab. 7 MOSFETs1. 서론MOSFET은 게이트가 산화 실리콘(SiO2)층에 의해 채널과 격리된 점이 JFET과 다르다. 공핍형과 증가형의 두 종류가 있으나 이번 실험 ... 에서는 증가형에 대해서만 실험하였다.1)증가형 MOSFET(E-MOSFET)증가형 MOSFET은 단지 증가 모드로만 동작하고 공핍모드로는 동작하지 않는다. 증가형 MOSFET은 공핍 ... 층을 만들어 채널이 임계값 이상의 외부전압에 의해 형성된다. 게이트 –소스 전압이 증가될수록 채널의 전도도가 증가하므로 채널로 더 많은 전자를 끌어당기게 되며 임계값 이하의 게이트

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| 리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2018.03.15

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기초전자회로실험 예비보고서 - Thevenin Norton회로와 DC전원장치

(1) Thevenin 등가회로: 부하의 관점에서 나머지 회로 부분을 간단히 표현할 수 있는 등가회로로써 부하 양단에 걸리는 전압과 전원을 제거하고 측정되는 합성저항의 직렬 형태 ... ) Norton 등가회로: 부하의 관점에서 보면 이상 전압원, 전류원 및 선형저항으로 구성된 어떠한 회로라도 이상 전류원 In과 등가저항Rth이 병렬 연결된 등가 회로로 나타낼 수 있

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| 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.09.29 | 수정일 2019.09.30

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충북대학교 전자공학부 전자회로실험II 결과보고서 함수 발생기

1주. 함수 발생기 결과보고서학번이름조날짜1. 결과(1) 설계- 발진주파수가1kHz이고,C _{1} ,`C _{2} ,`C _{3}가10nF인 경우VR _{1}의 저항 값 구하기 ... } over {2 pi TIMES 10nF TIMES R} 을 통해R=15.915k OMEGA 이 나오는데 회로 상에10k OMEGA 의 저항이 있어서 가변저항VR _{1},VR ... 가 났는데 그 이유는 op-amp 소자가 타서였는데, op-amp 소자를 바꾸고 다시 실험하였을 때 정현파, 구형파, 삼각파 파형을 얻을 수 있었다.전원 공급기의 전압을 줄 때에 주의

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| 리포트 | 2페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.30

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전자회로실험 결과보고서9. OP Amp 회로

결과보고서실험9. OP-AMP 회로 실험반전증폭기비반전증폭기가산기1. 실험회로반전증폭기비반전증폭기가산기V_{ O}(Vpp)=480mVV _{IN}(Vpp)=200mVV_{ O ... 전자회로2 이론수업에서도 배우지않아 이해가 전혀 안되었지만 조교님의 실험수업시간에 설명을 통해 OP-AMP의 특성을 조금은 이해가 되었다.먼저 반전증폭기 실험은 간단하게 설명 ... 과 온도변화와 저항의 온도변화 때문에 오차가 발생했을 수도 있다.4. 실험을 통해 느낀 점 또는 통해 얻은 점이번실험은 OP-AMP의 회로를 간단하게 알아보는 시험을 하였다. 아직

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| 리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.05.01

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충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 결과보고서 실험 7. MOSFET 기본 특성 1

[실험 7. MOSFET 기본 특성 I (결과보고서)]1. 실험결과1) 외부 캐패시터의 캐패시턴스- 100pF 캐패시터의 출력 파형을 기록한다.[출력이 10%-90%로 증가 ... =CPAR을 의미한다.? 그 차이 CWITH-CWITHOUT=Cgs,MOSFET로부터 총 게이트 커패시턴스를 계산한다.2. 비고 및 고찰이번 실험에서는 외부 캐패시터의 캐패시턴스와 역전압 ... 이 인가된 PN 다이오드의 캐패시턴스, MOSFET 게이트 캐패시턴스에 대해 알아보는 실험을 하였습니다.첫 번째 실험은 외부 캐패시터의 캐패시턴스를 알아보는 실험이었습니다. 간단

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| 리포트 | 2페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.24

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충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 예비보고서 실험 8. MOSFET 기본 특성 2

[실험 8. MOSFET 기본 특성 Ⅱ (예비보고서)]문턱전압, 이동도, "on"저항 Ron1. 실험 목적본 실험의 목적은 MOSFET의 소오스-드레인 채널의 저항적 특성을 측정 ... 다.? 실험으로 얻은 데이터와 추출된 변수들을 통해 기대할 수 있는 이론값들을 서로 비교하게 된다.2. 실험 순서1) 와 같은 회로를 구성한다. 이때 DVM(Digital ... 이 MOSFET의 문턱전압 VTH이 된다.? 실험결과와 그 데이터의 분석 방법을 개략적으로 보이면 과 같다.3) PMOSFET? P-채널 MOSFET에 대해 와 같이 회로를 구성

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| 리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.24

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전자실험보고서; RC회로의 시정수 예비보고서

RC 회로의 시정수예비보고서1. 실험 목적R-C 직렬회로에서 커패시터의 특성과 시정수의 개념을 이해하고, 저항을 통하여 커패시터가 충?방전 되는 시간을 실제로 확인한다.2. 실험 ... 된 커패시터는 일시적인 배터리(전지)처럼 작용?직렬 RC 회로에서의 시정수-커패시터에 충전되는 전압이 인가전압의 63.2%가 되는 시간 ,tau =RC[sec]?커패시터 충전 시-RC회로 ... } over {R} e ^{- {t} over {tau }}?커패시터 방전 시-회로에서 커패시터가 충분히 충전된 다음 스위치를 B위치로 하면 커패시터에 충전된 전하는 저항 소자를 통하

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| 리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2017.08.26

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충북대학교 전자공학부 전자회로실험II 예비보고서 함수발생기

주제 1. Op-amp를 이용한 함수 발생기 예비보고서1. 실험 목적(1) Op-amp를 이용한 정현파 발진기의 동작 원리를 이해한다.(2) 윈 브리지 발진기의 발진주파수를 구하 ... 고, 발진을 일으키기 위한 시동조건과발진을 유지하기 위한 발진조건을 확인한다.(3) 함수 발생기를 구성하는 기본 회로인 비교기, 적분기의 동작 원리를 이해한다.(4) 주어진 규격 ... 을 만족하는 함수 발생기를 설계한다.2. 이론1. 발진 조건증폭기와 달리 외부에서 인가된 신호 없이 회로 스스로 출력전압을 발생시키는 회로를 발진기라고 한다. 연산 증폭기를 이용

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| 리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.30

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아주대학교 전자회로실험 설계1 C 측정 결과보고서

설계1.REPORT설계1. C 측정회로 설계 결과보고서전자공학도의 윤리 강령 (IEEE Code of Ethics)(출처: http://www.ieee.org)나는 전자공학도 ... 하도록 도우며, 이 윤리 헌장을 준수하도록 지원한다.위 IEEE 윤리헌장 정신에 입각하여 report를 작성하였음을 서약합니다.학 부: 전자공학과제출일:과목명: 전자회로실험교수명:분 ... .)따라서 적분기 회로를 구성한 후 입력에 사각파를 인가하고 오실로스코프를 통하여 입력, 출력, 주기를 측정하여 C의 값을 구한다.3. 실험 부품? 전원 :±15V,±5V

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| 리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.06.06

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전자회로실험 결과보고서 다이오드 대신호 소신호 동작

실험2. 다이오드 동작: 대신호/소신호 동작1. 실험제목다이오드 동작: 대신호/소신호 동작2. 목적1) 다이오드 회로에서 소신호 동작에 대해 공부한다.2) 다이오드 소자의 특성 ... 는다.4. 실험 결과와 PSPICE simulation 결과 비교 분석1) 다이오드 회로 특성- 실험값VinVout100mV0V300mV0.1mV500mV9.8mV700mV97.7mV ... 에 걸리는 전압 또한 낮고 대략 600mV 이상에서 급격히 증가하여 그 이후로는 선형적으로 증가한다.- 다이오드 회로 특성곡선 측정 Vin-VoutPspice에서 확인한대로 실험

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| 리포트 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2019.10.03

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[기초전자회로실험1] "15 휘스톤 브리지 / 16 미분회로와 적분회로" 결과보고서

1Result report Electronic Engineering기초전자회로실험115 휘스톤 브리지16 미분회로와 적분회로자료는 실제 실험을 바탕으로 작성되었으며,보고서 평가 ... A+기초전자회로실험1 과목 A+받은 자료입니다.1. 실험제목① 휘스톤 브리지② 미분회로와 적분회로2. 실험결과표 [10-1] 휘스톤 브리지의 원리R _{X}300Ω470Ω1KΩ1 ... }50KHZ1.65V _{pp}50KHZ3. 고찰휘스톤브리지의 원리와 미분회로와 적분회로를 구성해보고 이에 대한 실험을 하였다. 우선 휘스톤브리지에서는 가변저항을 통해 사이에 걸리

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| 리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.03.18 | 수정일 2019.03.29

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[기초전자회로실험1] "15 휘스톤 브리지 / 16 미분회로와 적분회로" 예비보고서

1Preliminary report Electronic Engineering기초전자회로실험115 휘스톤 브리지16 미분회로와 적분회로자료는 실제 실험을 바탕으로 작성되었으며,보고 ... 서 평가 A+기초전자회로실험1 과목 A+받은 자료입니다.1. 실험제목① 휘스톤 브리지② 미분회로와 적분회로2. 실험목적① 휘스톤 브리지로 저항을 측정하는 원리를 실험한다.② 휘스톤 ... 브리지로 커패시터와 인덕터를 측정하는 원리를 실험한다.③ 휘스톤 브리지를 센서에 활용하는 원리를 실험한다.④ 커패시터를 이용한 미분회로와 인덕터를 이용한 미분회로를 실험

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| 리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.03.18 | 수정일 2019.03.29

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전자회로실험1 예비보고서 직렬 및 병렬 다이오드 구조

.google.co.kr%2F[2] 전자회로실험 제 10판예비보고서 전자회로설계및실험1 실험일: 2019년 03월 25일 ... (threshold voltage)이라고 한다.(실리콘 다이오드와 게르마늄 다이오드의 문턱전압 그래프)실험회로 및 시뮬레이션 결과1. 문턱 전압 VtSi과 Ge 두 다이오드에 대해서 ... 적인 값을 계산하라.Vo = 0.7Vg. Vo를 측정하고, 순서 4(f)의 결과와 비교하라.참고문헌본 예비보고서 작성에 참고한 문헌 및 website 정보를 기록[1] https

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| 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.09.29 | 수정일 2019.09.30

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서강대학교 고급전자회로실험 - 실험 9. Modulation (demodulation) 결과 보고서

고급전자회로 실험 결과 보고서실험 9. Modulation (demodulation)분반학번이름조학번이름시작종료실험시작/종료시간 기재(통계 목적임)1. Matlab ... , 스펙트럼 확인.위의 파형스펙트럼은 기저대역에 있는 Right 성분 신호의 USB성분을 추출하고 그 신호를 USB 변조한 것이다. 이는 위에서 한 실험 1.3의 Block

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| 리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.04.20 | 수정일 2020.04.24

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서강대학교 기초전자공학실험 - 실험 9. 브리지 회로 결과 보고서

제목 : 실험9. 브리지 회로실험결과(1) 브리지 회로로 저항값 측정그림 9-1. 휘트스톤 브리지 회로.표 9-1. R2/R1=1일 때의 브리지 회로에 의한 저항 Rx의 측정 ... )을 인가하였을 때 브리지 회로로 저항 값 측정그림 9-3. 휘트스톤 브리지 실험 회로(P1 : 채널1의 프로브, P2 : 채널2의 프로브).표 9-2. R2/R1=1일 때의 브리지 ... 를 제인가?가변저항을 1Ω씩 변화시킬 때의 전류변화가 아주 작으므로 실험의 정확도를 높이기 위해 고감도 전류계를 사용한다.4) 그림 9-2의 회로가 평형상태일 때 R1=R2=4 [K

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| 리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.04.20 | 수정일 2020.04.24

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서강대학교 기초전자공학실험 - 실험 9. 브리지 회로 예비 보고서

1. 제목 : 실험9. 브리지 회로의 특성2. PSpice 시뮬레이션 결과< 그림 9-2 회로 >< 그림 9-3 회로 >3. 토의전원이 6V 직류전원인 경우R_{ x}= { R ... 의 시뮬레이션에서도 확인할 수 있다. 실제 전지에서는 내부저항이 매우 작아 이를 무시할 수 있지만 테브난 등가회로에서 전력을 최대로 전달하기 위한 부하의 저항을 결정할 때 위의 실험 ... 결과를 활용할 수 있다.1. 제목 : 실험11. 테브난, 노턴의 정리2. PSpice 시뮬레이션 결과< 그림 11-4 회로와 그림 11-4의 테브난 등가회로 >< 그림 11-6

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| 리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.04.20 | 수정일 2020.04.24

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