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"기초전기전자실험" 검색결과 661-680 / 5,720건

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    전기전자공학실험-다이오드의 특성
    2주차 기초전자 공학 실험 과제 리포트제목 : 다이오드의 특성목적-실리콘과 게르마늄 다이오드의 특성 곡선을 계산하고, 비교하고, 그리고, 측정한다.-다이오드를 포함하는 회로 ... 의 직류 응답을 얻기 위해서 PSpice를 이용하여 OD Sweep를 수행한다. 그리고 온도 해석의 Spice 모의실험을 수행한다.실험 소요 장비계측기 ? DMM저항 - 1KΩ, 1M ... 가 다이오드 검사 기능을 갖추고 있지 않다면, 순방향과 역방향 영역에서 저항값을 측정함으로써 다이오드 상태를 점검할 수 있다. 다이오드를 검사하는 이러한 두 방법을 실험 앞부분에서 다룰
    리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.02.14
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    전기전자공학실험-JFET 바이어스 회로
    기초전자공학 13주차 과제기초전자공학13주차 기초전자 공학 실험 예비 레포트제목JFET 바이어스 회로목적고정 바이어스, 자기 바이어스, 전압 분배 바이어스 JEFT회로를 분석 ... 한다.실험 소요 장비계측기DMM부품저항1KΩ, 1.2kΩ, 2.2kΩ, 3kΩ, 10kΩ, 10kΩ, 1kΩ전위체계트랜지스터JFET 2N4166(또는 등가)전원직류전원9V 건전지 ... 와 홀더* 이론 개요실험에서 세 개의 바이어스 회로를 분석한다. 이론적으로 JFET를 바이어스하는 순서는 BJT와 같다. JFET의 드레인 특성곡선이 주어지고 JFET와 연결된 외부
    리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.02.14
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    전기전자공학실험-JFET 특성
    기초전자공학 실험 12주차 예비레포트기초전자공학 실험12주차 기초전자 공학 실험 예비 report제목JFET 특성목적JEFT 트랜지스터의 출력 특성, 드레인 특성, 전달 특성 ... 을 구한다.실험 소요 장비계측기DMM커브 트레이서(가능하면)저항100Ω, 1kΩ, 10kΩ, 5kΩ전위체계, 1MΩ 전위체계 트랜지스터JFET 2N4416(또는 등가)전원직류 전원
    리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.02.14
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    전기전자공학실험-BJT 바이어스 회로 설계 (2)
    기초전자 공학 실험 10주차 예비레포트기초전자 공학 실험10주차 기초전자 공학 실험 예비 레포트제목BJT 바이어스 회로 설계목적컬렉터 귀환, 이미터 바이어스, 전압분배기 바이어 ... 를 실험 9의 고정 바이어스와 비교한다면, 전자에서 베이스 저항은 고정 전압V _{CC}에 연결된 것이 아니라 트랜지스터의 컬렉터 단자에 연결되어 있다. 그러므로 컬렉터 귀환 구조 ... 스 BJT회로를 설계한다.실험 소요 장비계측기DMM부품1) 저항300Ω, 1.2kΩ, 1.5kΩ, 3kΩ, 15kΩ, 100kΩ2) 트랜지스터2N3904 또는 등가2N4401 또는
    리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.02.14
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    전기전자공학실험-차동 증폭기 회로
    (VCC)와 음의 전원(VEE)가 DC바이어스를 제공한다. 이 실험에서 두 트랜지스터의 re 값이 같다고 가정하였을 때 차동 전압이득의 크기는A _{v} = {R _{C}} over ... FET 차동 증폭기에 대한 차동 전압이득의 크기는 다음과 같이 계산된다.A _{v} = {g _{m} R _{D}} over {2}실험 순서1. BJT 차동 증폭기의 DC 바이어 ... 은 전압 비를 이득의 정의로 사용하라.A _{v} =0PSpice 모의실험 27-21. 전압원 VCC와 VEE가 공급한 총 DC 전력은 얼마인가?VCC=9.853mWVEE=14.97}은
    리포트 | 27페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.02.14
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    전기전자공학실험-공통 이미터 트랜지스터 증폭기
    『기초전자실험 REPORT』공통 이미터 트랜지스터 증폭기실험 목적- 공통 이미터 증폭기의 교류와 직류 전압을 측정 한다.- 부하 동작과 무 부하 동작 조건에서 전압 이득(A ... _{ v}), 입력 임피던스(Z_{ i}), 출력 임피던스(Z_{ o})의 측정값을 구한다.실험 장비? 계측기- 디지털 멀티미터 (Digital Multimeter : DMM) ... }}실험순서1. 공통 이미터 직류 바이어스a. 그림 17-1 회로의 저항값들을 측정하고 기록하라.그림 17-1R_1 = 33.37KΩR_2 = 10.06KΩR_3 = 2.9999K
    리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.02.14
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    전기전자공학실험-공통 이미터 증폭기 설계
    『기초전자실험 REPORT』공통 이미터 증폭기 설계* 예비 레포트공통 이미터 증폭기 바이어스- V _{B} = {V _{CC} R _{2}} over {R _{TH}}V _{E ... - http://blog.naver.com/710hsy/220297022693* 결과레포트실험 목적공통 이미터 증폭기를 설계, 구성하고 시험한다.직류 바이어스와 교류 증폭값을 계산 ... 하고 측정한다.실험 장비계측기- 디지털 멀티미터 (Digital Multimeter : DMM)- 오실로스코프 (Ocsilloscope)부품- 저항 : 설계과정에서 선택- 트랜지스터
    리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.02.14
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    전기전자공학실험-전류원 및 전류 미러 회로
    에 의해 전류가 형성된다. (전자 – n채널 / 정공 – p채널)- FET의 가장 중요한 특성으로 높은 입력 임피던스를 갖는다. 그래서 FET는 BJT보다 온도적으로 더 안정되어있
    리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.02.14
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    전기전자공학실험-29&30.선형 연산 증폭기 회로 및 능동 필터 회로
    )를 사용하여 계산할 수 있다.4. 실험 과정 및 결과(1) 반전 증폭기그림 29-5a. 그림 29-5의 증폭기 회로에 대한 전압이득을 계산하라.실제 저항값 측정A _{v ... } ``=�� {5.87-5.78} over {5.87} �� TIMES 100%=1.53%c.R _{i}를 100kΩ으로 바꾼 다음 실험 순서 2(a)와 2(b)를 반복하라.A
    리포트 | 32페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.02.14
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    전기전자공학실험-공통 소스 트랜지스터 증폭기
    . Boyleastad 지음)- 전자회로 실험 제11판(홍릉과학 출판사, Robert L. Boyleastad 지음)- https://m.blog.naver.com/PostView ... Transister의 Common Emitter증폭기와 유사하다. BJT에 비해선 상당히 큰 전류 이득을 가질 수 있다.출처- 전자회로 제11판(홍릉과학 출판사, Robert L ... _{i} =R _{G}교류 출력 임피던스: 교류 출력 임피던스는 다음과 같다.Z _{o} =R _{D}실험 순서1.I _{DSS} `와V _{P} `측정특성 커브 트레이서가 있
    리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.02.14
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    전기전자공학실험-비교기 회로의 동작
    하는 ww.ktword.co.kr- Boylestad Nashelsky의 “Electronic Devices And Circuit Theory” (전자회로 11판)결과 레포트1. 실험 ... 목적- 비교기 IC 회로의 DC동작과 AC동작을 측정한다.- 위상편이 발진기에 사용된 증폭기의 이득, 그리고 출력전압(V _{out} `)의 진폭과 주파수를 측정하여 실험 결과 ... 와 이론값을 비교한다.- 다양한 종류의 발진기 회로에서의 전압파형을 측정한다.2. 실험 장비(1) 계측장비- 오실로스코프- DMM(2) 부품- 저항 : 1kΩ, 3.3kΩ, 10k
    리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.02.14
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    전기전자공학실험-A급 및 B급 전력 증폭기
    . Boylestad, Louis Nashelsky 저『전자회로실험』 - Robert L. Boylestad, Nashelsky, Monssen 저결과 레포트1. 실험 목적A급과 B급 ... }} = {V _{L(p)} ^{2}} over {2R _{L}} ``= {V _{L(p-p)} ^{2}} over {8R _{L}} ````이다.출처『전자회로』 - Robert L ... ) 공00%=5.02%* 컴퓨터 실습PSpice 모의실험 26-11. DC바이어스 해석을 수행하라.2. 위에서 구한 데이터를 볼 때 Q점이 부하선의 중간부근에 위치하는가?Q점이 부하선
    리포트 | 23페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.02.14
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    전기전자공학실험-A급 및 B급 전력 증폭기 (2)
    . Boylestad, Louis Nashelsky 저『전자회로실험』 - Robert L. Boylestad, Nashelsky, Monssen 저결과 레포트1. 실험 목적A급과 B급 ... }} = {V _{L(p)} ^{2}} over {2R _{L}} ``= {V _{L(p-p)} ^{2}} over {8R _{L}} ````이다.출처『전자회로』 - Robert L ... ) 공00%=5.02%* 컴퓨터 실습PSpice 모의실험 26-11. DC바이어스 해석을 수행하라.2. 위에서 구한 데이터를 볼 때 Q점이 부하선의 중간부근에 위치하는가?Q점이 부하선
    리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.02.14
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    전기전자공학실험-다단 증폭기 RC 결합
    을 가질 수 있다.출처- 전자회로 제11판(홍릉과학 출판사, Robert L. Boyleastad 지음)- 전자회로 실험 제11판(홍릉과학 출판사, Robert L. Boyleastad ... Av1,?,Avn인 n개의 증폭기의 전압이득은Av=Av1*Av2*Av3*?*Avn 이다.본 실험에서 실험하고자 하는 RC결합은 커패시터를 이용해 직류 성분을 차단하고 교류 성분 ... ), Zi=RG, Zo=RD||rd이고, 이때 Av의 값은 FET 소자의 파라미터 gm(gfs), rd(gos,yos)의 값과 드레인 저항 RD에 의해 결정된다.다음은 본 실험
    리포트 | 19페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.02.14
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    전기전자공학실험-공통 이미터 증폭기의 주파수 응답
    (전자회로 11판)네이버 블로그http://blog.naver.com/PostView.nhnblogId=710hsy&logNo=220303048566&categoryNo=39 ... &parentategoryNo=0&viewDate=¤tPage=1&postListTopCurrentPage=1&from=postView결과 레포트1. 실험 목적- 공통 이미터 ... 을 구한다.2. 실험 장비(1) 계측장비- 오실로스코프- DMM- 함수 발생기- 직류전원(2) 부품- 저항 : 2.2kΩ(2), 3.9kΩ, 10kΩ, 39kΩ- 커패시터 : 1F
    리포트 | 10페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.02.14
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    전기전자공학실험-달링턴 및 캐스코드 증폭기 회로
    _{e _{`2}}}4. 실험 방법 및 결과1. 달링턴 이미터 폴로어 회로a. 그림 23-1 회로의 직류 바이어스 전압과 전류를 계산하라. 계산값을 아래에 기록하라.beta _{D
    리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.02.14
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    전기전자공학실험-공통 베이스 및 이미터 폴로어
    REPORT18. 공통 베이스 및 이미터 폴로어(공통 컬렉터) 트랜지스터 증폭기Ⅰ. 실험 목적1. 공통 베이스 및 이미터 폴로어(공통 컬렉터) 증폭기의 직류와 교류 전압을 측정 ... 한다.2. 전압 이득(A _{v}), 입력 임피던스(Z _{i}), 출력 임피던스(Z _{o})를 측정한다.Ⅱ. 실험 장비ⅰ) 계측기- 오실로스코프- 디지털 멀티미터(DMM)- 함수 ... _{o} =` {(V _{o} -V _{L} )} over {V _{L}} R _{L}출처Electronic Devices And Circuit Theory (전자회로 11판
    리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.02.14
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    망로 전류 및 마디 전압을 이용한 회로해석 실험 결과레포트
    실험 5: 망로 전류 및 마디 전압을 이용한 회로해석1. 실험결과표 5-1 저항 측정 값표시값Vs330Ω100Ω100Ω100Ω100Ω100Ω100Ω(RL)측정값341Ω101Ω ... -10.07mAVc0.677V1.03VIR4+IR6+IRL=IR5010.21mAVab0.677V1.05VVbc0.452V1.04V2. 고찰본 실험은 크게 2가지로 나눌 수 있는데 망 ... 로 전류법, 마디 전압법을 통한 회로 해석 실험을 통해 각각을 값들을 측정하여 실험결과를 구하는 실험이다.망로 전류법을 이용한 회로 해석 및 입증 실험에서의 결과값은 다음과 같다.망
    리포트 | 2페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.11.24
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  • 판매자 표지 자료 표지
    전기전자공학실험 과제 (super nodal, 중첩의원리)(matlab/simulink)
    리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.06.04
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    부산대 기전실1 요약자료(시험)
    적 의미(RL회로도)전기회로에 전압을 가했을 때 전류가 점차 증가하여 정상치의 63.2%에 이를 때까지의 시간(RC)-커패시터에 영향을 미치는 요소C=εA/d 각 판의 표면적, 판 사이 ... 의 거리, 판 사이에 있는 절연 재료의 투과율에 따라 달라짐-커패시터 에너지 저장방식전기장으로 저장함-RC회로의 임피던스 및 위상각(RL과 반대)직렬일 때 저항과 커패시터의 등가
    시험자료 | 2페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.04.08
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