"기초전자회로실험 레포트"의 검색결과 입니다.

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"기초전자회로실험 레포트" 검색결과 581-600 / 964건

예비15.(전자회로)(울산대)전류원및전류미러회로(멀티심시뮬레이션포함)

REPORT전기전자공학기초실험전류원 및 전류 미러 회로과 목 :전기전자공학기초실험제출일 :2010년6월14일교 수 :이양범교수님조 교 :조교님학 과 :전기전자정보시스템공학부학 번 ... :조 명 :이 름 :조 원 :1. 실험목적전류원과 전류 미러회로에서 DC 전압을 측정한다.2. 이론전류원 회로 : 그림 15-1은 드레인-소스 포화전류에서 동작되도록 바이어스 된 ... 원 회로이다.전류 미러 회로 : 저항를 통해 흐르는 전류는 부하를 통해 똑같이 흐른다.그림 15-4의 회로는 전류미러가 어떻게 많은 부하에 같은 전류를 공급할 수 있는가를 나타낸다

리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.03.19

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결과(실험7), 200820126, 안효중, 9조

한다.위 IEEE 윤리헌장 정신에 입각하여 report를 작성하였음을 서약합니다.학 부: 전자공학부제출일: 2012.5.14과목명: 전자회로실험교수명: 이재진 교수님분 반: 월 8 ... .5~11.5학 번: 200820126성 명: 안효중< 실험 7 삼각파 발생회로 결과보고서 >[1] 실험 의의op-amp를 이용한 비교기, 적분기의 동작을 기초로 한 구형파 및 ... REPORT전자공학도의 윤리 강령 (IEEE Code of Ethics)(출처: http://www.ieee.org)나는 전자공학도로서, 전자공학이 전 세계 인류의 삶에 끼치

리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.08.26

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예비9.(전자회로)(울산대)BJT의 에미터 바이어스 및 콜렉터 궤환 바이어스(간단한멀티심시뮬레이션포함)

REPORT전기전자공학기초실험BJT의 에미터 바이어스 및 콜렉터 궤환 바이어스과 목 :전기전자공학기초실험제출일 :2010년5월17일교 수 :이양범교수님조 교 :조교님학 과 :전기 ... 전자정보시스템공학부학 번 :조 명 :이 름 :조 원 :1. 실험 목적에미터 바이어스와 콜렉터 궤환 바이어스회로의 직류동작점을 결정한다.2. 이론이 실험은 실험 8을 확장한 것 ... 으로 에미터 바이어스회로와 콜렉터 궤환회로의 실험을 수행한다.에미터 바이어스 회로에미터 바이어스회로는 단일 혹은 2중 전원 공급기를 사용하여 구성될 수 있다. 두 회로는 실험 8의 고정

리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.03.19

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예비13.(전자회로)(울산대)공통이미터증폭기설계(멀티심시뮬레이션포함)

REPORT전기전자공학기초실험공통 이미터 증폭기 설계과 목 :전기전자공학기초실험제출일 :2010년6월7일교 수 :이양범교수님조 교 :조교님학 과 :전기전자정보시스템공학부학 번 ... 한다.,,,,,3. 실험 순서그림 13-1. CE 증폭회로1) 부품의 선택위와 같은 회로에서의 값은 TR의 최대값보다 작으므로 적당하고, 진폭이가 되어야 하고의 중간대역에서와 ... :조 명 :이 름 :조 원 :1. 실험목적CE 증폭기를 직류 바이어스와 교류 증폭값을 고려하여 설계, 구성, 실험한다.2. 이론이번 실험은 그림 13-1와 같이 바이패스 되는를 갖

리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.03.19

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예비14.(전자회로)(울산대)달링톤및캐스코드증폭기회로(멀티심시뮬레이션포함)

REPORT전기전자공학기초실험달링톤 및 캐스코드 증폭기 회로과 목 :전기전자공학기초실험제출일 :2010년6월14일교 수 :이양범교수님조 교 :조교님학 과 :전기전자정보시스템공학 ... 부학 번 :조 명 :이 름 :조 원 :1. 실험목적달링톤과 캐스코드 회로에서 직류와 교류 전압을 측정한다.2. 이론달링톤 회로 : 그림 14-1은 각 TR의의 곱과 같은 유효 ... 다.에서이고,은와 반대 극성을 가진다.,,3. 실험 순서1) 달링톤 이미터-폴로워 회로① 그림 14-1의 회로에 대해 DC 전압과 전류를 계산하라.,,의 이론치를 계산하라.② 그림

리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.03.19

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신호발생기 결과 레포트

전자 공학 기초실험 2(신호발생기 결과 Report )실험 7 조교 수 님 : 김 환 용조 원 : 서대훈 (20083135)이승현 (20084728)제출 날짜 : 2012년 9월 ... 주파수 : 2Hz삼각파첨두값 : 5v주파수 : 2Hz5. 실험 고찰이번 실험은 전자부분에서 가장 기초적인 두 기기인 오실리스코프와 함수발생기의 동작 법을 실험하였다. 저번 실험 ... 수 있는 거지만 전자전공쪽으로는 전공지식이 많이 부족하고 용어에 익숙하지 않아서 따라 하기가 쉽지 않았다.첫 번째 실험은 수직감도를 맞춘 후 전압을 바꿔가면서 DC 전압파형을 측정

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.09.16

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재료기초실험 접합 다이오드의 특성 실험

재료기초실험리포트신소재공학과2701161유호창1. 제목접합 다이오드의 특성 실험2. 실험 일시 및 장소일시 : 2012년 11월 5일 16:00 ~ 18:00장소 : 공과대학 A ... 을 실험적으로 알아보고 이해한다.(2) 실험원리 (이론)[1] N형 반도체실리콘, 게르마늄과 같은 결정 내에 5개의 가전자를 갖는 5족 원소인 안티몬, 비소, 인 등의 억셉터 불순물 ... 라고 생각된다. Si 다이오드의 역방향 실험 회로에서 저항이 매우 크기 때문에 당연히 전류가 흐르지 않을 것이라고 생각 하였으나 단위를 마이크로암페어로 설정하고 측정을 하니 미세

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.06.29

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예비11.(전자회로)(울산대)공통이미터트랜지스터증폭기(간단한멀티심시뮬레이션포함)

REPORT전기전자공학기초실험공통 이미터 트랜지스터 증폭기과 목 :전기전자공학기초실험제출일 :2010년6월7일교 수 :이양범교수님조 교 :조교님학 과 :전기전자정보시스템공학부학 ... 므로입력 임피던스 :가 바이패서 된다면 위의 식에에 되므로출력 임피던스 :3. 실험 순서그림 11-1. 공통 에미터 교류 증폭 회로1) 공통 에미터 직류 바이어스① 그림 11-1의 회로 ... 에서,,,를 계산하고 기록하라.② 식 11-1을 사용하여의 값으로를 계산하라.③ 그림 11-1으 l회로를 결선하고, 실험을 하여,,를 측정하라.④ 이 값들을 순서 ①에서 계산된 값

리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.03.19

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예비10.(전자회로)(울산대)BJT바이어스회로설계

REPORT전기전자공학기초실험BJT 바이어스 회로 설계과 목 :전기전자공학기초실험제출일 :2010년5월17일교 수 :이양범교수님조 교 :조교님학 과 :전기전자정보시스템공학부학 번 ... :조 명 :이 름 :조 원 :BJT 바이어스 회로 설계1. 실험목적콜렉터 궤환회로, 에미터 바이어스, 전압 분배기 바이어스회로를 설계한다.2. 이론회로설계에 있어서 원하는 회로 ... ? 전압분배기 바이어스 :가 증가하면 안정성 감소3. 실험 과정1) 콜렉터 궤환 회로①,=,=로 하고 그림 10-1 콜렉터 궤환회로에 대해 요구되는값을 결정하라.그림 10-1. 콜렉터

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.03.19

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예비12.(전자회로)(울산대)공통베이스및이미터플로워트랜지스터증폭기(멀티심시뮬레이션포함)

REPORT전기전자공학기초실험공통 베이스 및 이미터 플로워 트랜지스터 증폭기과 목 :전기전자공학기초실험제출일 :2010년6월7일교 수 :이양범교수님조 교 :조교님학 과 :전기전자 ... 는 약 1의, 높은, 낮은를 제공한다. EF의,,는 다음과 같다.,,.3. 실험 순서1) 공통 베이스 DC 바이어스그림 12-1. 공통 베이스 증폭회로① 그림 12-1의 회로 ... 정보시스템공학부학 번 :조 명 :이 름 :조 원 :1. 실험목적CB와 EF 트랜지스터 증폭기에서,,를 측정한다.2. 이론CB 트랜지스터 증폭기는 주로 고주파 동작에 사용되며,가 낮

리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.03.19

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[회로이론실험 예비레포트] 커패시터의 리액턴스, 인덕터의 리액턴스

Report회로이론113주차 실험예비보고서전자통신공학부13주차 실험 예비보고서이름 : 학번 :Page No. 11. Chapter 21 실험 : 커패시터의 리액턴스2. 실험목적 ... 를 구할 수 있을 것이다.6. 참고문헌- Polytechnician을 위한 기초전기전자+전자회로실습/박종화, 고수복, 김용규, 김우성, 김종겸, 이형우/ 복두출판사- 전기전자회로 ... 실험/황종선, 김영민, 김종만, 김원섭/ 동일출판사- 전기전자회로실험/ 이현수, 백승명/ 태영문화사- 이론과 함께 하는 디지털 회로실험/ 한학근 저/ 문운당- To accompany

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.08.20

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결과7.(회로이론)(울산대)(KVL)키르히호프의전압법칙

REPORT전기전자공학기초실험키르히호프의 전압법칙(KVL)과 목 :전기전자공학기초실험제출일 :2010년4월5일교 수 :이양범교수님조 교 :조교님학 과 :전기전자정보시스템공학부학 ... .13015측정값(그림7-7)150.6830.6352.1441.35310.09414.95계산과정:2. 실험 결과 고찰(1) 실험 B의 결과를 KVL을 써서 회로를 해석하시오.표기값으로 계산 ... 의 전압 +4.96V, +4.96V 를 합하면 오차가 있기는 하나 0V에 가깝다는 것을 알 수 있다.(2) 실험 C의 결과를 KVL을 써서 회로를 해석하시오.위에서의 방법과 마찬가지

리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.03.19

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결과8.(전자회로)(울산대)BJT의고정바이어스및전압분배기회로

REPORT전기전자공학기초실험쌍극성 접합 트랜지스터(BJT) 특성과 목 :전기전자공학기초실험제출일 :2010년5월24일교 수 :이양범교수님조 교 :조교님학 과 :전기전자정보시스템 ... 공학부학 번 :조 명 :이 름 :조 원 :1. 실험 결과1) β의 결정전압와를 측정(측정치)(측정치)베이스전류 계산컬렉터전류 계산값 결정계산과정 :2) 고정 바이어스 회로2N ... .824표 8-5.의 백분율 변환31.33%37.43%0.38%6.96%계산과정 :2. 실험 결과 고찰이번 실험은 고정 바이어스와 전압분배기 바이어스 회로에서의 직류 동작점을 결정

리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.03.19

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P-SPICE(피스파이스 활용실험)

전자전기컴퓨터설계실험1예비레포트 5주차제출일자 : 2013.03.30.일실험주제: P-Spice강상혁 교수님2조전자전기컴퓨터공학부학번 : 2010440058이름: 박태준 ... . Introduction (실험에 대한 소개)가. Purpose of this Lab- 기초 장비실험에 이어 이번 실험에서는 P-Spice를 이용하여 간단한 회로를 구현하고 장비에 대한 ... of the Lab( 실험 결과)가. Result of Lab 1[1-1] 아래의 회로에서 1, 2, 를 Pspice를 이용하여 구하시오.-Measured(obtained

리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.07.22

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JFET 실험 예비레포트

학번 :20103122제목 : JFET 특성 실험이름 :조원주FET vs BJTFET ( Field Effect Transistor )BJT ( Bipolar Junction ... Trasistor)1. 전압제어형 소자이다.2. unipolar 소자이다. 전자나 정공 중 하나에 의해 전류가 형성 된다.3. gate,drain,sorce ?3단자소자1. 전류제어 ... 형 소자이다.2. bipolar 소자이다. 전자와 정공 두 종류의 캐리어 모두에 의해 전류가 형성된다.3. collector,emitter,base ?3단자소자FET 의 특징&종류

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.12.08

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[월오전1조]8주차 RLC소자의 특성 예비레포트

기초전자공학실험18주차 예비 레포트실험날짜:조 :조원:1.Title1. 신호발생기와 오실로스코프의 사용법2.R,L,C 소자의 특성2.Name3.Abstract1. 신호발생기 ... 와 오실로스코프의 기본적인 사용법을 익히는 실험을 한다.2.R,L 및C 등 전기·전자 회르를 구성하는 기본 소자 각각에 대한 전압과 전류 사이의 기본적인 위상 개념을 파악하여 각 소자 ... 외에도 여러 가지 기능이 있으며 잘 익혀두면 다양한 실험과 계측을 할 수 있다.2.R,L,C 소자의 특성(1)bold R(저항)회로저항R만을 가지는 이상적 저항기를 통하여i

리포트 | 11페이지 | 2,500원 | 등록일 2013.10.28

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결과15.(회로이론)(울산대)최대전력전송

REPORT전기전자공학기초실험최대 전력 전송과 목 :전기전자공학기초실험제출일 :2010년6월7일교 수 :이양범교수님조 교 :조교님학 과 :전기전자정보시스템공학부학 번 :조 명 ... 의 실험에서 알게 된는 전원의 내부저항으로 볼 수도 있다. 테브난의 등가 회로로 바꾼 회로를만큼의 내부저항을 가진 전압원과 부하저항의 연결로도 볼 수 있는 것이다. 이것을 통해 부하 ... :이 름 :조 원 :1. 실험 결과저항값정격값0.3300.4701.22.23.94.711측정값0.3220.4621.1892.1783.8494.7230.9740.994표 15-1

리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.03.19

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12. 인덕턴스 특성

인덕턴스 특성결과레포트과목 : 기초회로실험담당교수 : 이능헌 교수님제출일 : 2014.05.30.1.목적1) 직류 또는 교류회로에서 인덕턴스가 미치는 영향을 관찰한다.2) 유도성 ... 개· 인덕터 : 3개· 스위치 : 1개· 리드선B. 실험방법 및 순서1. 주어진 인덕터의 인덕턴스값 L을 L-C-R 미터를 사용하여 측정한다.2. 그림 1과 같이 회로를 구성한 후 ... 리액턴스는 다음과 같은 식에서 구할 수 있음을 실험적으로 입증한다.ＸL=2πfL3) 오실로스코프로 위상변화를 측정한다.2. 이론1)인덕터의 인덕턴스와 리액턴스저항성 부하는 교류

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.06.22 | 수정일 2014.12.12

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결과12.(전자회로)(울산대)공통베이스및이미터플로워트랜지스터증폭기

REPORT전기전자공학기초실험공통 베이스 및 이미터 플로워 트랜지스터 증폭기과 목 :전기전자공학기초실험제출일 :2010년6월14일교 수 :이양범교수님조 교 :조교님학 과 :전기 ... 전자정보시스템공학부학 번 :조 명 :이 름 :조 원 :1. 실험 결과1) 공통 베이스 DC 바이어스(계산치)(계산치)(계산치)(계산치)(계산치)계산과정 :(측정치)(측정치)(측정치 ... )(측정치)8) 이미터 폴로우 (EF) 출력저항,(계산치)(측정치)(측정치)(측정치)2. 실험 결과 고찰이번 실험은 공통 베이스와 이미터 플로우, 트랜지스터 증폭기에서의 교류전압증폭

리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.03.19

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결과13.(전자회로)(울산대)공통이미터증폭기설계

REPORT전기전자공학기초실험공통 이미터 증폭기 설계과 목 :전기전자공학기초실험제출일 :2010년6월14일교 수 :이양범교수님조 교 :조교님학 과 :전기전자정보시스템공학부학 번 ... :조 명 :이 름 :조 원 :1. 실험 결과1) 부품의 선택에미터 전압직류 동작점에서 콜렉터 전류이때의 동작점은의 1/2 인 5V, 직류 바이어스 회로의 출력단의 식은 다음과 같 ... 다.에 걸리는 전압은따라서교류 전압 증폭률검토 :,입력 임피던스는를 사용하여따라서를 사용한다.검토:검토:2) 설계의 컴퓨터 해석3) CE 회로 구성 및 시험(측정치)(측정치)(측정치

리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.03.19

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