"전자회로소자"의 검색결과 입니다.

기간
- 전체
- 3개월
- 6개월
- 1년
- 2년
- 3년
- 5년
직접입력

적용
연관순
- 연관순
- 최신순
영역
- 전체
- 제목
- 본문
- 태그
페이지 수
- 전체페이지
- 1 페이지 ~ 5 페이지
- 6 페이지 ~ 10 페이지
- 직접입력 페이지 ~ 페이지 적용
확장자
- 전체
- 한글
- PDF
- MS워드
- MS엑셀
- MS파워포인트
- 압축파일
- 기타
할인자료 보기

연관검색어

전자회로 요약 n형 반도체 전기전자회로실험 탄소 피막 저항 전자회로실험term 전자회로 전자기적특성평가 텀프로젝트 회로 전전설3 학사편입

판매자 표지는 다운로드시 포함되지 않습니다.

"전자회로소자" 검색결과 41-60 / 9,524건

설계실습 4. MOSFET 소자 특성 측정 전자회로설계실습 예비보고서 중앙대

1. 목적MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet 를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화 ... 에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구한다.2. 준비물 및 유의사항DC Power Supply(2channel) : 1 대Digital Multimeter

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.09.28

다운로드 장바구니
[A+] 중앙대 전자회로설계실습 결과보고서4 MOSFET 소자 특성 측정

전자회로 설계 및 실습결과보고서학 부전자전기공학부학 번조이 름실 험 일제 출 일담당 교수담당 조교설계실습 4. MOSFET 소자 특성 측정1. 서론트랜지스터의 종류 중 하나인 ... MOSTFET는 전자전기공학의 큰 비중을 담당한다. 회로설계에 있어서는 절대 빠져서는 안되는 소자로써, 전자전기공학도라면 반드시 꼭 익히고 숙달되어야 할 소자이다.이번 실험 ... 은 MOSTFET 소자의 기본적인 전류 흐름을 익히고, Source 그리고 Gate에서 가해준 전압이 Drain에서 흐르는 전류에 어떤 영향을 미치고, 또한 Drain과 Source사이

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.04.07 | 수정일 2021.04.16

다운로드 장바구니
중앙대학교 전자회로설계실습 4 MOSFET 소자 특성 측정 결과보고서 (A+)

- 본 설계실습에서 무엇을 하였으며 그 결과는 어떤가? 수치를 포함하여 요약한다. MOSFET 소자의 특성을 Data sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화 ... 에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 알아보았다. Data sheet를 참고 하면는 약 2.1V 이고, 실습 후 2.1229V로 측정된 것과 비교해 봤을 때 약 0 ... .1229V의 오차를 가지고 있었다. 비록 오차가 있었지만, 거의 비슷한 값을 보였다.- 설계실습계획서에서 설계한 회로와 실제 구현한 회로의 차이점을 비교하고 이에 대한 이유

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.12.06

다운로드 장바구니
중앙대학교 전자회로설계실습 4 MOSFET 소자 특성 측정 예비보고서 (A+)

그리고 (B)에서 Plot 한 simulation결과를 보면 약 2.1229 V에서 MOSFET가 동작하였다. Data sheet에서 Gate threshold voltage 즉 Gate를 활성화 시키는 voltage는 2.1 V임을 알 수 있다. 측정값은 2.122..

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.12.06

다운로드 장바구니
판매자 표지

A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 4 MOSFET 소자 특성 측정

설계실습 4. MOSFET 소자 특성 측정과 목 : 전자회로설계실습학 번 :조/이름:3.1 MOSFET의 특성 parameter 계산(A) Data Sheet를 이용하여 VT ... 133.928[rmmA/V] 이다.3.2 MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 (OrCAD PSPICE)(A) OrCAD를 이용하여 그림 1의 회로도를 설계하여라. (2N7000 ... ] 사이에 정상적으로 위치하는 것을 확인할 수 있다.(D) 위의 결과를 이용하여 VOV=0.6V인 경우, kn, gm을 구하고 3.1의 결과와 비교하여라.위의 회로는V _{DS

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.02.25

다운로드 장바구니
[A+] 중앙대 전자회로설계실습 예비보고서 4주차 MOSFET 소자 특성 측정

전자회로 설계 및 실습예비보고서학 부전자전기공학부학 번조이 름실 험 일제 출 일담당 교수담당 조교설계 실습 4. MOSFET 소자 특성 측정1. 목적MOS Field-Effect ... Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용 ... 하여 소자의 특성을 구한다.2. 준비물 및 유의사항DC Power Supply (2channel): 1대Digital Multimeter (이하 DMM): 1대40cm 잭-집게 연결선

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.04.07 | 수정일 2021.04.16

다운로드 장바구니
판매자 표지

[알기쉬운 기초 전기 전자 실험 (문운당)] 12. 발광 소자의 특성 및 논리회로 결과보고서 (A+)

2. 카르노 맵과 관계식§ 진리표에 따라 7 세그먼트에 입력되어질 단자들에 대한 카르노 맵을 각각 그려보았습니다. 처음에는 주어진 데모만으로 관계식을 나타내기엔 너무 복잡하여, 입력변수들의 조합에 따라 함수값이 발생하지 않는 Don’t care의 개념을 적용하여, 검은..

리포트 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.12.31

다운로드 장바구니
4. MOSFET 소자 특성 측정 예비보고서 - [2021년도 전자회로설계실습 A+ 자료]

예비보고서설계실습 4. MOSFET 소자 특성 측정학과 :담당 교수님 :제출일 : 2021. 00. 00. (월)조 : 0조학번 / 이름 : 2000000 / 성명1.목적MOS ... Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성 (V _{T} ``,`K _{n} ,`g _{m})을 Date Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현 ... 하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구한다.2.준비물 및 유의사항DC Power Supply(2chnnel)1대Digital Multimeter

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.03.05 | 수정일 2022.03.14

다운로드 장바구니
[A+][중앙대학교 전자회로설계실습] 실습4 MOSTFET 소자 특성 측정 예비보고서

전자 회로 설계 실습설계 실습 4. MOSTFET 소자 특성 측정과목명전자회로설계실습담당교수제출일2021.04.11작성자3.1 MOSFET의 특성 parameter 계산(A ... .4=89.2`[mA/V ^{2} ] 이다.3.2 MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 (OrCAD PSPICE)(A) OrCAD를 이용하여 그림 1의 회로도를 설계하여라. (2N ... 며, 이는R_D를 쇼트시켜서 회로를 구성했기 때문에 발생한 오차라고 생각된다.V _{OV} =0.4V 일 때g _{m}값은

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.03.30 | 수정일 2022.04.20

다운로드 장바구니
[A+]중앙대 전자회로설계실습 예비보고서 설계실습4. MOSFET 소자 특성 측정

전자회로 설계 실습 예비보고서설계실습 4. MOSFET 소자 특성 측정학번/성명제출일자1. 목적MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT ... , kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구한다.2. 준비물 및 유의사항DC ... /V)3.2 MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 (OrCAD PSPICE)(A) OrCAD를 이용하여 그림 1의 회로도를 설계하여라.(2N7000/FAI 이용, 1k 저항 사용

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.12.24 | 수정일 2022.01.10

다운로드 장바구니
판매자 표지

[분반 1등], [A+], 중앙대학교 전자회로설계실습 4. MOSFET 소자 특성 측정 예비보고서

전자회로 설계 및 실습 예비보고서설계실습 4. MOSFET 소자 특성 측정설계실습 4. MOSFET 소자 특성 측정1. 목적MOS Field-Effect Transistor ... (MOSFET) 소자의 특성 (V _{T} ``,`K _{n} ,`g _{m})을 Date Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용 ... 하여 소자의 특성을 구한다.2. 준비물 및 유의사항DC Power Supply(2channel) : 1대Digital Multimeter (이하 DMM) : 1대40cm 잭-집게

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.09.25 | 수정일 2022.09.30

다운로드 장바구니
중앙대학교 전기회로설계 및 실습(전자전기공학부) 12. 수동소자의 고주파특성 측정방법의 설계

1.요약: 위 실험은 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성을 측정하는 회로를 설계하고 실험을 통하여 등가회로를 이해하며 넓은 주파수 영역에서 이 회로가 어떻게 동작 ... 하는지를 알아보았다. 먼저 RC회로를 구성하고 입력 전압의 주파수에 따른 저항에 걸리는 전압과 입력 전압과의 위상차를 측정했다. 그리고 공식을 이용해 전달함수의 크기, 즉 이론 값을 구해주

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.01.13 | 수정일 2022.09.27

다운로드 장바구니
중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습(3-1) A+ 4차예비보고서 (점수인증) MOSFET 소자 특성 측정

(100Ω, 1/2W) : 1개3. 설계실습 계획서* 모든 계산결과는 반올림하여 유효숫자 세 자리까지만 사용한다.그림 1. MOSFET 소자 측정 회로3.1 MOSFET의 특성 ... 1. 실험 목적MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압 ... 의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구한다.2. 준비물Digital Multimeter : 1대DC Power Supply (2channel) : 1대40c

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.04.06

다운로드 장바구니
(21년) 중앙대학교 전자전기공학부 전기회로설계실습 결과보고서 12. 수동소자의 고주파특성 측정방법의 설계

설계실습 12. 수동소자의 고주파특성 측정방법의 설계요약: 인덕터와 커패시터의 고주파 특성을 알아보기 위해 RC회로와 RL회로를 고주파 영역에서 작동시키면서 그 크기와 시간차 ... 특성을 잘 파악할 수 있었기 때문에 잘 된 실험이라고 생각한다.서론: 저항, 커패시터, 인덕터 등의 소자들은 실제로는 온도와 주파수에 의해 그 특성이 바뀔 수 있으며 회로를 설계 ... 를 측정하였고 이를 이상적인 RC회로와 RL회로의 전달함수와 비교해보았다. RC회로에서는 낮은 주파수에서는 출력 파형이 입력의 왼쪽으로 치우쳤는데 1MHz를 넘어가는 고주파 영역

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.08.22 | 수정일 2022.09.06

다운로드 장바구니
중앙대 전자전기공학부 전기회로설계실습 2020년 2학기 A+ 자료 설계실습 12. 수동소자의 고주파 특성 측정 방법의 설계

전기회로 설계실습 결과보고서설계실습 12. 수동소자의 고주파 특성측정 방법의 설계1. 서론저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성을 측정하는 회로를 설계하고 실험을 통하여 등가회로 ... 를 이해하며 이들 소자들이 넓은 주파수 영역에서 어떻게 동작하는지 실험적으로 이해한다.다음과 같은 순서로 실험을 진행하였다.① RC회로의 주파수 응답 확인② RL회로의 주파수 응답 ... 확인2. 설계 실습 결과2.1 RC회로의 주파수 응답실험을 시작하기에 앞서, DMM으로 사용할 소자들의 값을 측정하였다.10kΩ 가변저항10.3kΩ10mH 인덕터 저항 측정값27

리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.10.31

다운로드 장바구니
(전자회로실험) 광전소자 결과 보고서

를 통하여 신호를 전달한다.2. 이론기초이론우리는 다른 것보다 더 많이 시각적인 감각을 사용한다. 그러므로 빛을 전기로 바꾸는 소자에 대한 언급과 함꼐 상상력은 출반한다. 광전자 ... 결과보고서광전소자1. 실험목적1) 적색과 녹색 발광 다이오드(LED)들에 대한 자료를 얻는다.2) 7-세그먼트(seven-segment) 지시기로 숫자를 표시한다.3) 광결합기 ... 공학은 광학과 전자공학을 결합한 기술이다. 이 신기로운 분야는 발광 다이오드, LED 표시판과 광결합기가 포함된다.LEDs발광 다이오드는 고체상태의 광원이다. LED는 다음과 같

리포트 | 5페이지 | 1,800원 | 등록일 2019.09.08 | 수정일 2021.08.03

다운로드 장바구니
인하대 전자회로실험1 기타소자및 아날로그입력

Lab3. 기타 소자 및 아날로그 입력실험1) 부저의 소리가 바뀌는데, 신호를 주면 멈추는 실험실험2) 가변저항의 값에 따라 켜지는 다이오드의 수가 달라지는 회로 실험,코드 및 ... ); // 디지털 13번단자에 연결된 소자에 HIGH값을 입력해준다.else //만약 256보다 작다면digitalWrite(13,LOW); // 디지털 13번단자에 연결된 소자에 LOW값 ... 들에 대한 정리를 하는게 중요하다고 생각된다. 디지털 회로의 특성상 HIGH/LOW의 구분이 매우 중요한데, 이를 판단함에 있어 신호의 연속성때문에 모호해질 수 있음을 고려

리포트 | 9페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.07.07

다운로드 장바구니
전자회로설계실습예비보고서4-MOSFET 소자 특성 측정

1. 목적MOS Field-Effect Trasistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, Kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화 ... 에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구한다.2. 준비물 및 유의사항DC Power Supply(2channel) : 1대Digital Multimeter (이하 ... 경우, gm의 값을 구하여라.3.2 MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 (OrCAD PSPICE)(A) OrCAD를 이용하여 그림 1의 회로도를 설계하여라.(2N7000

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.03.29

다운로드 장바구니
[기초전자회로실험2] "수동소자(RLC) 회로의 과도응답 (transient response)" 결과레포트

1Result report Electronic Engineering기초전자회로실험자료는 실제 실험을 바탕으로 작성되었으며,보고서 평가 A+기초전자회로실험 과목 A+받은 자료입니다 ... .본 문서는 나눔글꼴 기준으로 되어있습니다. (네이버 나눔글꼴)1. 실험제목? 수동소자(RLC) 회로의 과도응답 (transient response)2. 실험결과 및 사진1. RC ... 와 저항값과 같은 소자의 값으로 인해 시상수 및 과도응답의 차이에 관한 식을 통해 이론값을 산출하고 이를 바탕으로 실험에서 주어진 회로에서 저항값이 달라짐에 따라 RLC회로

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.03.27 | 수정일 2019.04.01

다운로드 장바구니
[기초전자회로실험] 수동소자(RLC) 회로의 과도응답 (transient response) 예비+결과

13주차 실험: 수동소자(RLC) 회로의 과도응답 (transient response)1. 실험 주제1) RC, RL 및 RLC회로의 과도상태(transient response ... 하고 이론값과 비교해본다 (자세한 방법은 3)RLC회로의 실험 참고).13주차 실험: 수동소자(RLC) 회로의 과도응답 (transient response)실험 제목: 수동소자(RLC) MAT3 ... ) 및 정상상태(steady-state response)에서 일어나는 전압과 전류의 변화를 확인함으로써 저항과 커패시터 및 인덕터의 기본적인 특성을 파악한다.2) RLC회로에서 발생

리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.04.03

다운로드 장바구니

이전10개 1 234 5 6 7 8 9 10 다음10개

파워링크

신청하기