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반도체 atmega128 컴퓨터 삼성전자 컴활 1급 필기 반도체 산업 구조 운영체제 인공지능대학원 정보처리기사 메모리 반도체

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"메모리비메모리" 검색결과 41-60 / 9,313건

소형 DISPLAY 장치를 위한 비 메모리 피부 검출 알고리즘 및 HARDWARE 구현 (Memory-Free Skin-Detection Algorithm and Implementation of Hardware Design for Small-Sized Display Device)

한국정보통신학회 임정욱, 송진근, 하주영, 강봉순

논문 | 9페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.16 | 수정일 2025.05.22

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낮은 쓰기 성능을 갖는 비휘발성 메인 메모리 시스템을 위한 성능 및 에너지 최적화 기법 (Performance and Energy Optimization for Low-Write Performance Non-volatile Main Memory Systems)

대한임베디드공학회 정우순, 이형규

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.13 | 수정일 2025.03.28

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시스템 반도체 등 비메모리 반도체 기술력 현황에 대한 보고서

을 하는 것이 바로 시스템 반도체이므로 새로운 서비스를 구현하기 위해서는 반드시 관련 기술을 확보해야 한다. 시스템 반도체는 메모리 반도체에 비해 산업 규모가 크고 변동성이 낮은 편

리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.01.14

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바이트 접근성을 가지는 비휘발성 메모리 소자를 이용한 낸드 플래시 파일 시스템의 부팅시간 개선 기법 (Boosting up the Mount Latency of NAND Flash File System using Byte-addressable NVRAM)

한국정보과학회 전병길, 김은기, 신형종, 한석희, 원유집

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.01 | 수정일 2025.03.06

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비휘발성 메모리 응용을 위한 ALD법을 이용한 Al2O3 절연막의 특성 (Properties of Al2O3 Insulating Film Using the ALD Method for Nonvolatile Memory Application)

We have successfully demonstrated of metal-insulator-semiconductor (MIS) capacitors with Al2O3/p-Sistructures. The Al2O3 film was grown at 200 ℃ on H-..

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.26 | 수정일 2025.07.04

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반도체 업종 전망-비메모리 반도체 전망-SK하이닉스

반도체 업종 전망/비메모리 반도체 전망/메모리 반도체/SK하이닉스/삼성전자 반도체/반도체 클러스터/용인 반도체/반도체 수출액/파운드리/반도체 업황현재 세계 반도체 시장에서 비 ... 메모리 반도체 시장이 메모리 반도체 시장보다 2.3배 가량 크게 형성되어있다.하지만 현재 삼성전자와 SK하이닉스의 세계시장에서 메모리 반도체 시장 점유율은 58%인 반면, 비메모리 ... 추세이며 이에따라 메모리 반도체를 주력으로하는 국내 반도체기업의 영업이익도 떨어질 수 밖에 없다.이에따라 최근 삼성전자와 SK하이닉스가 비메모리 사업을 키우기위해서 비메모리 사업

리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.02.05 | 수정일 2021.04.30

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A+학점, 인텔, 엔비디아, AMD, 비메모리 반도체 전쟁 분석

인텔, 엔비디아, AMD, 비메모리 반도체 전쟁 분석1. AMD의 자일링스 인수와 의미ㅇ AMD의 최고경영자 ‘리사 수’는 앞으로 10년 동안 반도체 시장이 역사상 최고의 호황 ... 을 맞을 것이라고 말했다. 인공지능, 5G 시대를 맞으면서 반도체 수요가 급증하고 있기 때문이다. 반도체 시장이 커진 만큼 이를 장악하기 위한 비메모리 산업 전쟁도 격렬해지고 있 ... (1986-1990년), 석사(1991-1991년), 박사(1991-1994년)ㅇ 지난 10월 27일 AMD는 최근 비메모리 반도체 전쟁에서 승리하기 위해 자일링스를 350억 달러

리포트 | 6페이지 | 3,800원 | 등록일 2020.11.15

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데이터 쓰기 패턴 분석을 통한 비휘발성 메모리 기반 딥러닝 시스템의 수명 연장 기법 (Lifetime Extension Method for Non-Volatile Memory based Deep Learning System by analyzing Data Write Pattern)

한국반도체디스플레이기술학회 최주희

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.17 | 수정일 2025.05.10

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Logic 공정 기반의 비동기식 1Kb eFuse OTP 메모리 IP 설계 (Design of an Asynchronous eFuse One-Time Programmable Memory IP of 1 Kilo Bits Based on a Logic Process)

하였으며, WL과 BL의 기생적인 커패시턴스를 줄이므로 읽기 모드에서의 동작 전류를 줄였다. 그리고 저전력, 저면적의 eFuse OTP 메모리 IP 설계를 위하여 비동기식 인터페이스 ... 본 논문에서는 로직 공정 기반의 저전력 eFuse OTP 메모리 셀을 제안하였다. eFuse OTP 메모리 셀은 프로그램과 읽기 모드에 최적화되도록 각각의 트랜지스터를 사용 ... 동부하이텍 0.18㎛ generic 공정으로 설계된 eFuse OTP 메모리 IP의 레이아웃 면적은 300 × 557㎛2이다. We propose a low-power eFuse

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.31 | 수정일 2025.06.05

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장단기 메모리 순환신경망 기반의 비침입적 음성 명료도 추정 방법 (A Non-Intrusive Speech Intelligibility Estimation Method Based on Recurrent Neural Network with Long Short-Term Memory)

한국통신학회 윤덕규, 이한나, 최승호

논문 | 3페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.28 | 수정일 2025.05.15

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P(VDF-TrFE) 중합체 박막을 이용한 비휘발성 유기물 강유전체 메모리 박막 트랜지스터 (Nonvolatile Organic Ferroelectric Memory Thin-Film Transistors Using P(VDF-TrFE) Copolymer Films)

한국정보기술학회 정상현, 김광호

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.13 | 수정일 2025.03.28

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비대칭 소스/드레인 수직형 나노와이어 MOSFET의 1T-DRAM 응용을 위한 메모리 윈도우 특성 (Memory window characteristics of vertical nanowire MOSFET with asymmetric source/drain for 1T-DRAM application)

본 연구에서는 1T-DRAM 응용을 위해 Bipolar Junction Transistor 모드 (BJT mode)에서 비대칭 소스/드레인 수직형 나노와이어 소자의 순방향 및 역 ... 방향 메모리 윈도우 특성을 분석하였다. 사용된 소자는 드레인 농도가 소스 농도보다 높으며 소스 면적이 드레인 면적보다 큰 사다리꼴의 수직형 gate-all-around (GAA ... ) MOSFET 이다. BJT모드의 순방향 및 역방향 이력곡선 특성으로부터 순방향의 메모리 윈도우는 1.08V이고 역방향의 메모리 윈도우는 0.16V 이었다. 또 래치-업 포인트는 순

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.15 | 수정일 2025.06.17

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비휘발성 메모리를 위한 SiOSi₃N₄와 Si₃N₄가 대칭적으로 적층된 터널링 절연막의 전기적 특성과 열처리를 통한 특성 개선효과 (Improved Electrical Characteristics of Symmetrical Tunneling Dielectrics Stacked with SiO₂ and Si₃N₄ Layers by Annealing Processes for Non-volatile Memory Applications)

The electrical characteristics and annealing effects of tunneling dielectrics stacked with SiO₂ and Si3N4 were investigated. I-V characteristics of ba..

논문 | 4페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.26 | 수정일 2025.07.04

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CO2가스를 이용하여 증착된 터널층의 계면포획밀도의 감소와이를 적용한 저전력비휘발성 메모리 특성 (Decrease of Interface Trap Density of Deposited Tunneling Layer Using CO2 Gas and Characteristics of Non-volatile Memory for Low Power Consumption)

음을 나타낸다. SiO2(CO2)박막을 터널층을 사용한 금속/절연체/반도체(MIS) 구조의 비휘발성메모리(nonvolatile memory, NVM)는 +16/-19 V의 스트레스전압 ... 에서 2.16 V의 윈도우 메모리를 보였지만 SiO2(N2O)박막을 터널층으로 사용한 MIS 구조의 소자는 +20/-24 V의 높은 인가전압에서 2.48 V의 윈도우 메모리를 보였 ... 다. 그러므로 SiO2(CO2)박막을 NVM의 터널층으로 사용하면 Dit를 감소시켜 저전압메모리를 구현할 수 있다. The silicon dioxide (SiO2) was

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.11 | 수정일 2025.07.19

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NOR Flash를 위한 하프늄 옥사이드 기반 비휘발성 메모리 소자에서의 사파이어 기판을 통한 Self-heating Effect 및 Retention 개선 (Improvement of Self-heating Effect and Retention Characteristics in HfO2-Based Nonvolatile Memory For NOR Flash By Utilizing Sapphire Substrate)

본 논문에서는 NOR Flash를 위한 하프늄 옥사이드(Hafnium oxide, HfO2) 기반 비휘발성 메모리 소자를 설계하는데 있어, 기존의 SOI(Silicon On

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.13 | 수정일 2025.06.17

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경영학 ) 1. 삼성전자가 반도체 사업에서 성공한 이유는 무엇인가 2. 삼성전자가 주력하고 있는 메모리형 반도체의 앞으로의 산업전망은 어떠한가3. 삼성전자가 비메모리형 반도체에 대한 경쟁력을 제고하기 위해 어떻게 해야 할 것인가

인가?2. 삼성전자가 주력하고 있는 메모리형 반도체의 앞으로의 산업전망은 어떠한가?3. 삼성전자가 비메모리형 반도체에 대한 경쟁력을 제고하기 위해 어떻게 해야 할 것인가?사례를 읽 ... . 삼성전자가 주력하고 있는 메모리형 반도체의 앞으로의 산업전망은 어떠한가?3. 삼성전자가 비메모리형 반도체에 대한 경쟁력을 제고하기 위해 어떻게 해야 할 것인가?1. 삼성전자 ... 가 반도체 사업에서 성공한 이유는 무엇인가?2. 삼성전자가 주력하고 있는 메모리형 반도체의 앞으로의 산업전망은 어떠한가?3. 삼성전자가 비메모리형 반도체에 대한 경쟁력을 제고하기 위해

리포트 | 6페이지 | 5,000원 | 등록일 2021.02.15

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비휘발성 차세대 메모리

게 되어, 높은 수율을 가지는 DRAM cell의 제작이 점점 더 어려워지고 있는 추세입니다. 그래서 기존 DRAM을 대체할 수 있고 비휘발성을 가지는 메모리의 필요성이 크게 요구 ... 되고 있습니다.현재 개발되고 있는 차세대 메모리는 DRAM의 고집적성과 낮은 소비전력, flash 메모리의 비휘발성, SRAM의 고속 동작을 모두 구현하기 위한 시도가 이루어지 ... 지만 이미 1960년대에 그 가능성이 제기되었으며 비휘발성 메모리로 집적도 또한 우수합니다. 이런 성격 때문에 차세대 메모리로 각광받고 있으며 최근 상용화의 막바지 단계에 근접해가

리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.08.20

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소형 비행체의 데이터계측을 위한 메모리저장식 계측장치 개발

한국기계기술학회 정재욱

논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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- AMD와 Intel에서 생산되는 최신 CPU의 특징과 차이점, - 반도체 산업은 메모리분야와 비메모리분야로 나뉩니다. 메모리분야와 비메모리분야의 특징과 차이점을 설명하고, 각 분야에 대한 산업계의 동향을 설명하시오.

게임, 동영상, 이미지 등에서 강력한 성능을 발휘할 수 있도록 설계하였다.2) 메모리분야와 비메모리분야의 특징과 차이점을 설명하고, 각 분야에 대한 산업계의 동향1. 메모리분야와 비 ... 메모리분야의 특징과 차이점반도체 산업은 용도에 따라 메모리 반도체와 비메모리(시스템) 반도체로 구분 할 수 있다. 세계 반도체 시장에서 차지하는 비중은 메모리 반도체가 20%, 비 ... 으며, 비메모리(시스템) 반도체는 CPU를 만드는 인텔, 퀄컴, ARM 등의 회사가 있다.메모리 반도체는 우리가 사용하는 많은 기기에서 볼 수 있는 DRAM, SRAM, VRAM

리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2019.10.12

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비휘발성 메모리를 위한 Pt/SBT/Ta2O5/Si 구조의 전기적 특성에 관한 연구

한국재료학회 박건상, 최훈상, 최인훈

논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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